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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]存储元件和存储装置-CN201110255439.5在审
发明人：肥后丰;细见政功;大森广之;别所和宏;山根一阳;内田裕行 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-08-31 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明公开了存储元件和存储装置，其中，该存储元件包括层结构。该层结构包括：存储层，具有垂直于膜面的磁化；磁化固定层，具有垂直于膜面的磁化；绝缘层，设置在存储层与磁化固定层之间；以及盖层，设置在存储层的与绝缘层侧的面相反的一面侧，其中，在层结构的层压方向上注入自旋极化的电子，从而存储层的磁化方向变化，并且执行信息记录，存储层接收到的有效反磁场的大小小于存储层的饱和磁化量，并且盖层的至少与存储层接触的面由Ta膜构成。
存储元件装置

[发明专利]存储元件和存储装置-CN201110263800.9有效
发明人：山根一阳;细见政功;大森广之;别所和宏;肥后丰;内田裕行 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-09-07 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明公开了存储元件和存储装置，其中，该存储元件包括层结构，该层结构包括：存储层，具有垂直于膜面的磁化；磁化固定层；以及绝缘层，设置在存储层与磁化固定层之间。在层结构的层压方向上注入自旋极化的电子，存储层所接收的有效反磁场的大小小于存储层的饱和磁化量，关于与存储层接触的绝缘层以及在绝缘层的相反侧与存储层接触的另一侧层，至少与存储层接触的界面由氧化膜构成，并且除了Co-Fe-B磁性层之外，存储层还包括非磁性金属和氧化物中的至少一种。
存储元件装置

[发明专利]存储元件和存储装置-CN201110255449.9有效
发明人：肥后丰;细见政功;大森广之;别所和宏;山根一阳;内田裕行 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-08-31 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明公开了包括存储元件和存储装置，其中该存储元件包括层结构，该层结构包括：存储层，具有垂直于膜面的磁化，并且其磁化方向相应于信息而变化；磁化固定层，具有垂直于膜面的磁化；以及绝缘层，设置在存储层与磁化固定层之间。在层结构的层压方向上注入自旋极化的电子，从而存储层的磁化方向变化，并且对存储层执行信息记录，存储层所接收的有效反磁场的大小小于存储层的饱和磁化量，并且存储层和磁化固定层具有使界面磁各向异性能变得大于反磁场能的膜厚。
存储元件装置

[发明专利]存储元件和存储器件-CN201110253669.8有效
发明人：山根一阳;细见政功;大森广之;别所和宏;肥后丰;内田裕行;浅山徹哉 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-08-30 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明公开了存储元件和存储器件。该存储元件，包括具有垂直于膜面的磁化且其磁化方向对应于信息而改变的存储层；具有垂直于膜面且成为存储在存储层中的信息的基准的磁化的磁化固定层；设置在该存储层和该磁化固定层之间并由非磁性层构成的绝缘层，其中，沿具有该存储层、该绝缘层和该磁化固定层的层结构的层压方向注入自旋极化电子，从而磁化方向改变，并对该存储层执行信息的记录，该存储层接收的有效抗磁场的强度小于该存储层的饱和磁化量。
存储元件器件

[发明专利]存储元件和存储装置-CN201110259029.8有效
发明人：肥后丰;细见政功;大森广之;别所和宏;山根一阳;内田裕行 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-09-02 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明公开了存储元件和存储装置，所述存储元件包括：存储层，具有垂直于膜表面的磁化；磁化固定层，具有垂直于膜表面的磁化；以及绝缘层，设置在存储层和磁化固定层之间，其中在层结构的层叠方向上注入自旋极化的电子，从而存储层的磁化方向变化并执行信息的记录，存储层接收的有效反磁场的大小小于存储层的饱和磁化量，对于绝缘层以及在与绝缘层相对的一侧上存储层接触的另一侧的层，至少与存储层接触的界面由氧化膜形成。
存储元件装置

[发明专利]存储元件和存储装置-CN201110264219.9有效
发明人：细见政功;别所和宏;大森广之;肥后丰;山根一阳;内田裕行 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-09-07 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储元件和存储装置，该存储元件包括：存储层，具有垂直于膜表面的磁化，并且其磁化方向相应于信息而变化；磁化固定层，具有垂直于膜表面的磁化；绝缘层，设置在存储层和磁化固定层之间。其中，存储层具有Co-Fe-B层与属于1A族、2A族、3A族、5A族或6A族的任意一族的元素的层叠结构，在层结构的层叠方向上注入自旋极化的电子，从而存储层的磁化方向发生变化，并且对存储层进行了信息记录，存储层接收的有效反磁场的大小小于存储层的饱和磁化量。
存储元件装置

[发明专利]存储元件和存储装置-CN201110262686.8有效
发明人：内田裕行;细见政功;大森广之;别所和宏;肥后丰;山根一阳 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-09-06 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储元件和存储装置，该存储元件包括：存储层，具有垂直于膜面的磁化，并且磁化方向对应于信息而改变；磁化固定层，具有垂直于膜面的的磁化，并成为存储在所述存储层中的信息的基准，由多个磁性层构成，并且具有介由非磁性层将所述多个磁性层进行层压的多层铁钉扎结构；以及绝缘层，由非磁性材料制成，并且设置在存储层与磁化固定层之间。
存储元件装置

[发明专利]存储元件及存储器-CN201110259046.1有效
发明人： 大森广之;细见政功;别所和宏;肥后丰;山根一阳;内田裕行 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-09-02 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明公开了存储元件和存储器。该存储元件包括：磁性层，包括选自由Fe、Co和Ni组成的组中的至少一种元素以及碳，并且相对于Fe、Co和Ni的总量，碳的含量为3原子％以上且小于70原子％，并且在垂直于膜面的方向上具有磁各向异性；以及氧化物层，由具有氯化钠结构或尖晶石结构的氧化物形成并且与磁性层接触。
存储元件存储器

[发明专利]存储元件以及存储器-CN201110262491.3无效
发明人： 大森广之;细见政功;别所和宏;肥后丰;山根一阳;内田裕行 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-09-06 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供了存储元件以及存储器，该存储元件包括：磁性层，包含FexNiyBz作为主要成分，并具有在垂直于膜面的方向上的磁各向异性，其中，x+y+z＝1，0.2x≤y≤4x，且0.1(x+y)≤z≤0.4(x+y)；以及氧化物层，由具有氯化钠结构或尖晶石结构的氧化物形成，并与磁性层的一个面相接触。
存储元件以及存储器

[发明专利]存储元件和存储装置-CN201110257563.5无效
发明人：别所和宏;细见政功;大森广之;肥后丰;山根一阳;内田裕行 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-08-31 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明提供了存储元件和存储装置，其中，该存储元件包括：存储层，具有垂直于膜面的磁化；磁化固定层，具有垂直于膜面的磁化；以及绝缘层，设置在存储层与磁化固定层之间，其中，在层结构的层压方向上注入自旋极化的电子，从而存储层的磁化方向变化，并且执行信息记录，存储层所接收的有效反磁场的大小小于存储层的饱和磁化量，绝缘层由氧化膜构成，并且存储层由Co-Fe-B构成，在与绝缘层的界面附近处，B浓度较低，并且B浓度随其远离绝缘层而增大。
存储元件装置

[发明专利]存储元件和存储装置-CN201110264209.5无效
发明人：内田裕行;细见政功;大森广之;别所和宏;肥后丰;山根一阳 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-09-07 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储元件和存储装置，该存储元件包括：存储层，具有垂直于膜表面的磁化，并且其磁化方向相应于信息而变化；磁化固定层，具有垂直于该膜表面的磁化；以及绝缘层，设置在该存储层和该磁化固定层之间，其中，沿着层结构的层叠方向注入自旋极化的电子，从而该存储层的磁化方向发生变化，对该存储层进行了信息记录，该存储层所接收的有效反磁场的大小小于该存储层的饱和磁化量，并且，以接触该磁化固定层的与该绝缘层侧相反的面的方式形成有Ta膜。
存储元件装置

[发明专利]存储元件和存储设备-CN201110249775.9在审
发明人：别所和宏;细见政功;大森广之;肥后丰;山根一阳;内田裕行 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-08-26 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明公开了存储元件和存储设备。该存储元件包括存储层，通过磁性材料的磁化状态保持信息；磁化固定层，具有作为存储在存储层中信息的基准的磁化；以及中间层，由非磁性材料形成并设在存储层和磁化固定层之间。利用根据在具有存储层、中间层和磁化固定层的层结构的层压方向上流动的电流产生的自旋矩磁化反转对存储层的磁化进行反转以执行信息存储，存储层包括含有Fe和Co中至少一种的合金区域，以及存储层在其磁化反转期间接收的有效反磁场的大小小于存储层的饱和磁化量。
存储元件设备

[发明专利]存储元件和存储装置-CN201110166046.7有效
发明人： 大森广之;细见政功;别所和宏;肥后丰;山根一阳;内田裕行 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-06-15 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明提供一种存储元件和包含该存储元件的存储装置，所述存储元件包括：存储层，其配置为基于磁性材料的磁化状态而保持信息；磁化固定层；和非磁性中间层。所述存储层包括：垂直磁化层，其磁化方向处于垂直于膜面的方向；非磁性层；和强磁性层，其沿膜面内方向具有易磁化轴，并且该强磁性层的磁化方向相对于垂直于膜面的方向倾斜处于15度～45度范围内的角度，通过垂直磁化层隔着非磁性层与强磁性层的堆叠，并且在垂直磁化层和强磁性层之间进行磁耦合，从而构成所述存储层。本发明通过在存储元件的存储层中的强磁性层的磁化和垂直磁化层的磁化的方向的反转，可缩短将信息记录在存储元件中所必需的反转时间，还可减小该反转时间的差异。
存储元件装置

[发明专利]便携式信息装置-CN201110166076.8无效
发明人： 大森广之;细见政功;别所和宏;肥后丰;山根一阳;内田裕行 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-06-15 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： G11B5/012 文献下载
摘要：本发明公开了一种便携式信息装置，其包括：装置主体；附件，当使用所述便携式信息装置时，所述附件被安装在所述装置主体上；固体磁性存储器，其设置在所述装置主体的安装有所述附件的部分处，并适合于根据磁性材料的磁化状态来保持信息；以及磁屏蔽，其设置所述附件上，并且包括当所述附件安装在所述装置主体上时与所述固体磁性存储器相对的部分。根据本发明，即使当所述便携式信息装置不能通电或启动时也能够擦除信息，并且在丢弃或再利用所述便携式信息装置时能够减少用于擦除机密信息或个人信息的劳动力。
便携式信息装置

[发明专利]磁存储器元件及其制造方法-CN201110217230.X无效
发明人： 大森广之;细见政功;别所和宏;肥后丰;山根一阳;内田裕行 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-07-29 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁存储器元件及其制造方法，该磁存储器元件包括：存储层，在层表面上具有垂直磁化，其磁化方向根据信息而变；以及参考层，与存储层相对设置，为信息的基准，同时在层表面上具有垂直磁化，其中，该存储器元件通过电流在存储层、非磁性层以及参考层形成的层之间流动时所产生的自旋扭矩反转存储层的磁化来存储信息；存储层在存储时的温度下的矫顽力为在室温下的矫顽力的0.7倍以下，在存储层的一侧上形成的电极的层面方向上的中央部的热导率低于其周边部的热导率。
磁存储器元件及其制造方法

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