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[发明专利]向高炉炉身部供给含氢气的还原气体的方法-CN201680081079.2有效
发明人：伊藤信明;堂野前等;铃木公仁;中尾宪治;礒原丰司雄 -专利权人：日本制铁株式会社;杰富意钢铁株式会社;株式会社神户制钢所;日新制钢所株式会社;新日铁住金工程技术株式会社
申请日： 2016-02-05 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： C21B5/00 文献下载
摘要：本发明提供一种新的向高炉炉身部供给还原气体的方法，其能够将大量含有高浓度氢气的还原性气体供给到高炉内较深位置(高炉径向上更靠近中心轴的位置)，并且能够削减CO2产生量，该CO2产生量是将通过高炉中的氢气熔炼而减少的CO2量和制造向高炉供给的还原气体时产生的CO2量进行合算而得到的。本发明的向高炉炉身部供给还原气体的方法的特征在于，在反应器内向预热了的焦炉煤气供给含氧气体并升温至1200～1800℃而将焦炉煤气改质，由此生成富含氢气的改质气体，然后在所述反应器内将含CO的气体与该改质气体混合，将氢气浓度调整为15～35体积％(湿)而得到还原气体，在还原气体吹入炉身部的流量/还原气体吹入风口的流量比＞0.42的条件下，向高炉炉身部供给该还原气体。
高炉炉身部供给氢气还原气体方法

[发明专利]硅精炼设备和用于精炼硅的方法-CN201280069013.3有效
发明人： 堂野前等 -专利权人：菲罗索拉硅太阳能公司
申请日： 2012-02-03 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于通过真空熔融来精炼硅的方法，其中防止了杂质凝聚物从位于坩埚上方的杂质捕获装置落下和熔融硅的污染。用于容纳熔融硅(3)的坩埚(4)和用于加热坩埚(4)的加热工具(5)位于配备有真空泵(1)的处理室(2)的内部；还设置有：杂质捕获装置，其具有用于冷却和凝聚从熔融硅的液面蒸发的杂质蒸气的杂质凝聚部；和用于防止熔融硅的污染的污染防止装置，其具有用于当被杂质捕获装置捕获的杂质落下时接收和容纳杂质的杂质接纳部。
精炼设备用于方法

[发明专利]用于制造高纯硅的方法、通过该方法得到的高纯硅、以及用于制造高纯硅的硅原料-CN201280073015.X有效
发明人：德丸慎司;日吉正孝;近藤次郎;堂野前等;岸田丰;中泽滋;尾上浩三 -专利权人：菲罗索拉硅太阳能公司
申请日： 2012-03-08 - 公布日： 2015-01-07 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明提供：一种通过熔融硅的单向凝固制造高纯硅的方法，所述方法能够廉价地并且工业上容易地制造高纯硅，所述高纯硅具有低氧浓度和低碳浓度并且适用于如制造太阳能电池的用途；通过这种方法得到的高纯硅；以及用于制造高纯硅的硅原料。一种当通过使熔融硅原料在铸造容器中单向凝固来制造高纯硅时使用含有100至1000ppmw的碳和0.5至2000ppmw的锗作为原料制造高纯硅的方法，通过这种方法得到的高纯硅，以及用于制造高纯硅的硅原料。
用于制造高纯方法通过得到以及原料

[发明专利]金属或半导体熔融液的精制方法和真空精制装置-CN201280069123.X无效
发明人：岸田丰;堂野前等;近藤次郎;后藤洁;大桥渡 -专利权人：菲罗索拉硅太阳能公司
申请日： 2012-02-06 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明的目标是在对金属或半导体熔体的精炼中，在不损害精炼效率的情况下缓解与由流动熔体中的不稳定性导致的坩埚不平相伴的磨损和撕裂，以及在长时期内允许安全操作从而不发生从坩埚的泄漏。提供一种金属或半导体熔体精炼方法，其中通过使用AC电阻加热加热器作为坩埚加热方法，将熔体保温并通过由电阻加热加热器产生的旋转磁场混合。金属或半导体熔体精炼方法和用于精炼方法的最佳真空精炼装置的特征在于：为了当通过旋转磁场使熔体旋转时在熔体与坩埚底面之间的边界中不出现流体不稳定性，设熔体的运动粘度系数为v(m²/秒)、熔体的流体表面的半径为R(m)、且熔体的旋转角速度为Ω(弧度/秒)，进行使被定义为Re＝R×(Ω/v)^(1/2)的雷诺数(Re)的值不超过600的操作。
金属半导体熔融精制方法真空装置

[发明专利]硅熔液的搬运部件和硅熔液的搬运方法-CN201080025161.6有效
发明人：岸田丰;堂野前等;冈泽健介;德丸慎司;日吉正孝;冈岛正树 -专利权人：新日铁高新材料股份有限公司
申请日： 2010-06-08 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： C01B33/02 文献下载
摘要：本发明提供一种在作为半导体元件或太阳能电池的原料使用的高纯度硅的制造中，不需要加热设备的简便的硅熔液的搬运部件和输送方法。硅熔液的搬运部件由热容量极小的角型材料或圆筒形状部件构成，由热容量的极小绝热材料保护其周边，搬运部件的热容量的合计为13000(J/Kg)以下。使用该搬运部件，以流量为50(Kg/min)以上且流速为0.1(m/sec)以上搬运硅熔液。
硅熔液搬运部件方法

[发明专利]陶瓷·金属复合体、氧化物离子输送用复合结构体及有密封性的复合体-CN200510091419.3无效
发明人：伊藤涉;佐近正;堂野前等;永井徹 -专利权人：新日本制铁株式会社
申请日： 2001-09-07 - 公布日： 2006-03-08 - 主分类号： B01D63/06 文献下载
摘要：本发明确立在800℃以上的高温区域，能容易地形成密封、而且可靠性及热循环特性优异的密封技术，提供可很好地用于纯氧、富氧空气等的制造装置、烃气体的部分氧化为代表的隔膜反应器、固体氧化物燃料电池、氧纯化装置及热交换器等的复合体。本发明对于迄今为止密封性改善成为瓶颈、开发迟缓的广泛的领域，能够提高实用化的可能性。特别是通过应用于纯氧、富氧空气等的制造装置、烃气体的部分氧化为代表的隔膜反应器、固体氧化物燃料电池、氧纯化装置及热交换器等，能够对开发速度的提高作出大的贡献。
陶瓷金属复合体氧化物离子输送复合结构密封性

[发明专利]生产硅的方法-CN03801130.1无效
发明人：近藤次郎;冈岛正树;德丸慎司;堂野前等 -专利权人：新日本制铁株式会社
申请日： 2003-07-22 - 公布日： 2005-01-12 - 主分类号： C01B33/021 文献下载
摘要：本发明涉及一种生产Si的方法，其特征在于它包括将碱金属元素的氧化物、氢氧化物、碳酸盐或氟化物、或者碱土金属元素的氧化物、氢氧化物、碳酸盐或氟化物、或者两种或更多种前述化合物加入固体SiO中，其中这些化合物的总摩尔量为固体SiO摩尔量的1/20至1000倍，将混合物在Si的熔点至2000℃之间加热以进行形成Si的反应，以及将Si与反应副产物分离并回收。该方法可以用于以较低成本和良好的效率由各种形式的SiO生产Si，所述SiO是在Si生产方法等中形成且传统上没有工业价值。
生产方法

[发明专利]陶瓷·金属复合体、氧化物离子输送用复合结构体及有密封性的复合体-CN01815345.3无效
发明人：伊藤涉;佐近正;堂野前等;永井徹 -专利权人：新日本制铁株式会社
申请日： 2001-09-07 - 公布日： 2003-10-29 - 主分类号： B01D71/02 文献下载
摘要：本发明确立在800℃以上的高温区域，能容易地形成密封、而且可靠性及热循环特性优异的密封技术，提供可很好地用于纯氧、富氧空气等的制造装置、烃气体的部分氧化为代表的隔膜反应器、固体氧化物燃料电池、氧纯化装置及热交换器等的复合体。本发明对于迄今为止密封性改善成为瓶颈、开发迟缓的广泛的领域，能够提高实用化的可能性。特别是通过应用于纯氧、富氧空气等的制造装置、烃气体的部分氧化为代表的隔膜反应器、固体氧化物燃料电池、氧纯化装置及热交换器等，能够对开发速度的提高作出大的贡献。
陶瓷金属复合体氧化物离子输送复合结构密封性

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