“哈佛学院院长等”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果115个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]纸基微流体系统-CN200980116682.X有效
发明人： A·C·西格尔;S·T·菲利普斯;M·D·迪基;D·罗兹基维奇;B·威利;G·M·怀特赛德斯;A·W·马丁内斯 -专利权人： 哈佛学院院长等
申请日： 2009-03-27 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： G01N35/00 文献下载
摘要：本发明是以一种化验装置、一种微流体装置和一种检测流体样品中存在高电解质浓度的方法为特征的。所述化验装置包括多孔的亲水性基底；不渗流体的屏障，其限定出化验区域的边界和主通道区域的边界，所述主通道区域被流体地连接到化验区域上；和设置在所述多孔的亲水性基底上的导电材料条带。所述微流体装置包括多孔的亲水性基底；不渗流体的屏障，所述屏障贯穿多孔的亲水性基底的厚度并且在所述多孔的亲水性基底内部限定出具有第一和第二侧壁且末端开口的通道的边界；和设置在所述多孔的亲水性基底上的导电路径，所述导电路径包括(i)导电材料条带，从而在没有跨接第一和第二侧壁的导电材料的情况下形成断开电路；和(ii)被电气连接到导电材料条带的电池、电气应的指示器和电阻器。
纸基微流体系统

[发明专利]基于纸的细胞阵列-CN200980110195.2有效
发明人： R·德达;A·拉罗迈内萨格;G·M·怀特赛德斯 -专利权人： 哈佛学院院长等
申请日： 2009-03-27 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： G01N35/00 文献下载
摘要：公开了三维细胞阵列、制备三维细胞阵列的方法及使用所述阵列鉴定制剂的方法。三维细胞阵列含：多孔亲水基质，其中所述基质含多个多孔区，各多孔区至少部分被不透液界面束缚；及含细胞的水凝胶，其中所述水凝胶被嵌入所述多孔区内。制备三维细胞阵列的方法包括：提供多孔亲水基质，其中所述基质含多个多孔区，各多孔区至少部分被不透液界面束缚；及使所述多孔亲水基质与细胞和温度敏感性水凝胶或离子型水凝胶前体的悬浮液接触，其中所述悬浮液浸透所述基质的一个或多个多孔区。鉴定制剂的方法包括：提供描述的修饰细胞功能的阵列；使所述阵列与一种或多种测试制剂接触；及检测在所述一种或多种测试制剂存在下的一种或多种细胞功能；其中在所述一种或多种测试制剂存在下细胞功能的变化指示所述一种或多种测试制剂修饰细胞功能。
基于细胞阵列

[发明专利]用于铜互连的氮化钴层及它们的形成方法-CN200880016689.X有效
发明人： R·G·高登;H·伯罕达里;金勋 -专利权人： 哈佛学院院长等
申请日： 2008-04-09 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： C07F15/06 文献下载
摘要：用于集成电路的互连结构，其包括有助于铜线的成核、生长和附着的氮化钴层。可将氮化钴沉积在难熔金属氮化物或碳化物例如氮化钨或氮化钽的层上，所述层充当铜的扩散阻挡层并且还提高氮化钴和下方的绝缘体之间的附着。可以由新型脒基钴前体通过化学气相沉积形成氮化钴。沉积在氮化钴上的铜层显示出高的电导率并且可充当微电子用铜导体的电化学沉积的籽晶层。
用于互连氮化它们形成方法

[发明专利]基于形成图案的多孔介质的横向流动和穿过生物测定装置、及其制备方法和使用方法-CN200780042728.9有效
发明人： G·M·怀特赛德斯;S·T·菲利普斯;A·W·马丁内斯;M·J·巴特;A·翁;S·托马斯;H·辛迪;S·J·韦拉;E·卡里罗;K·A·米里卡;Y·刘 -专利权人： 哈佛学院院长等
申请日： 2007-10-18 - 公布日： 2009-11-11 - 主分类号： G01N33/558 文献下载
摘要：本发明的实施方案提供了基于形成图案的多孔介质的横向流动和穿过生物测定装置、及其制备方法和使用方法。在一个方面，测定装置包括多孔、亲水介质；包含聚合光致抗蚀剂的流体不透性屏障，所述屏障基本上穿透多孔、亲水介质的厚度，且在多孔、亲水介质内限定测定区域的边界；和在测定区域中的测定试剂。
基于形成图案多孔介质横向流动穿过生物测定装置及其制备方法使用方法

[发明专利]材料的化学定向的静电自组装-CN200780036842.0无效
发明人： L·S·马科卡提;G·M·怀特赛德斯;A·温克勒曼 -专利权人： 哈佛学院院长等
申请日： 2007-10-04 - 公布日： 2009-11-04 - 主分类号： B01J2/00 文献下载
摘要：一种自组装制品包括表面，该表面包含具有固定电荷的化学官能度；和在核心的表面上组装的多个颗粒，所述颗粒具有表面，该表面包含与核心的电荷相反的电荷的固定化学官能度。
材料化学定向静电组装

[发明专利]四脒基金属(IV)化合物及其在气相沉积中的用途-CN200780029810.8有效
发明人： R·G·戈登;J-S·莱恩;H·李 -专利权人： 哈佛学院院长等
申请日： 2007-06-26 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： C07C257/14 文献下载
摘要：合成并表征了四(N，N’-二烷基脒基)金属(IV)。示例性金属包括铪、锆、钽、铌、钨、钼、锡和铀。这些化合物是挥发性，高热稳定的，且适用于金属与它们的氧化物、氮化物和其他化合物的气相沉积。
基金 iv 化合物及其沉积中的用途

[发明专利]超高处理量光学-纳米孔DNA读出平台-CN200580032954.X无效
发明人： A·梅勒;J·麦瑟;J·S·埃德 -专利权人： 哈佛学院院长等
申请日： 2005-08-12 - 公布日： 2008-01-09 - 主分类号： G06F19/00 文献下载
摘要：本文描述了分析聚合物分子的方法。这些方法用于以单分子灵敏度高处理量读出DNA和RNA分子。本发明的方法包括：(1)DNA(或RNA)双链的电控制的解链，和(2)使用一种或多种分子信号检测，读出分子的身份(或密码)。
超高处理光学纳米 dna 读出平台

[发明专利]使用脒基金属的原子层沉积-CN200380106327.7有效
发明人： R·G·格登;B·S·利姆 -专利权人： 哈佛学院院长等
申请日： 2003-11-14 - 公布日： 2006-01-25 - 主分类号： C23C16/06 文献下载
摘要：金属薄膜在均匀厚度和优良阶梯覆盖下沉积。铜金属薄膜通过交替量的N，N′－二异丙基乙脒铜(I)和氢气的反应沉积在加热的底材上。钴金属薄膜通过交替量的N，N′－二异丙基乙脒钴(II)和氢气的反应沉积在加热的底材上。这种金属的氮化物和氧化物可分别用氨或水蒸气代替氢气形成。细孔中的薄膜具有非常均匀的厚度和良好的阶梯覆盖。合适的应用包括微电子器件中和磁信息存储器件中磁致电阻的电连接。
使用基金原子沉积

[发明专利]氮化钨的汽相沉积-CN03819074.5无效
发明人： R·G·戈登;S·苏赫;J·贝克尔 -专利权人： 哈佛学院院长等
申请日： 2003-07-09 - 公布日： 2005-09-28 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：通过二(烷基亚氨基)二(二烷基氨基)钨的蒸汽和路易斯碱或氢等离子体反应在基材上沉积氮化钨薄膜。例如，二(叔丁基亚氨基)二(二甲基氨基)钨的蒸汽和氨气以交替的剂量提供到加热至300℃的表面，产生的氮化钨涂层具有非常均匀的厚度和在长径比高达至少40∶1的孔穴中具有极好的阶梯覆盖。所述薄膜是金属的并且是好导电体。在微电子器件中合适的应用包括铜扩散的阻挡层和用于电容的电极。相似的方法沉积氮化钼，其适用于在X射线镜面中和硅交替的层。
氮化沉积

[发明专利]二氧化硅纳米层压材料的汽相沉积-CN03809539.4有效
发明人： R·G·戈登;D·豪斯曼;J·贝克尔 -专利权人： 哈佛学院院长等
申请日： 2003-03-28 - 公布日： 2005-08-03 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明涉及在固体基材上薄膜沉积用材料与方法。通过含铝化合物与硅烷醇反应，在加热基材上沉积二氧化硅/氧化铝纳米层压材料。纳米层压材料在长宽比大于40∶1的空穴内具有非常均匀的厚度和优良的阶梯覆盖。该膜透明且是良好的电绝缘子。本发明还涉及尤其通过生产半多孔介电材料用的材料与方法，生产在微电子器件中，在导电体的绝缘中使用的改进多孔介电材料用的材料与方法，其中表面孔隙度显著下降或消除，同时保持内部孔隙度，以维持整个介电材料所需的低k值。还使用本发明，用低k介电材料选择填充窄槽，同时避免任何电介质在沟槽外部的表面上沉积。
二氧化硅纳米层压材料沉积

首页
«上一页
1
2
3
4
5
6
7
8
共 115 条