专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]代码编译方法及装置-CN201710031295.2有效
  • 周红轮;侯坤明 - 腾讯科技(深圳)有限公司
  • 2017-01-17 - 2021-04-02 - G06F8/41
  • 本发明是关于一种代码编译方法,属于软件开发技术领域。所述方法包括:接收针对源程序的编译指令;若所述编译指令指示编译获得的目标程序用于调试,则获取调试代码设置规则;根据所述调试代码设置规则设置调试代码;对设置有所述调试代码的所述源程序进行编译。该方法由开发人员预先设置好调试代码设置规则,当开发人员需要对源程序进行调试时,自动根据调试代码设置规则在源程序的代码中设置调试代码并编译,当开发人员需要对源程序进行反复修改和调试时,不需要开发人员每一轮调试之前在源程序中手动设置调试代码,极大的简化了开发人员的调试代码设置步骤,减少了调试时间,提高软件程序的调试效率。
  • 代码编译方法装置
  • [发明专利]紫外选择性硅雪崩光电探测芯片-CN201210566512.5无效
  • 周红轮;刘小会;曾璞 - 西南技术物理研究所
  • 2012-12-24 - 2013-07-17 - H01L31/107
  • 本发明提出的一种紫外选择性硅雪崩探测芯片,P+光吸收层(4)以小于200nm的厚度相连N型层(3),N+欧姆接触层(5)对称于P+光吸收层(4),在N+欧姆接触层(5)的两边,设有高掺杂深扩散区穿通整个N-型外延层(2),使雪崩区之外的整个芯片处于同一电位的P+深扩散区(6),该P+深扩散区(6)通过N-型外延层(2)上端平面设置的氮化硅钝化层(9),经芯片阳极(7)、芯片阴极(8)与N+欧姆接触层(5)互连。本发明以超浅的光吸收层避免光生载流子在表面附近复合,在电场的加速作用下产生碰撞离化效应,实现光生载流子的雪崩倍增;通过高掺杂深扩散区穿通整个外延层,实现对紫外波段的选择性探测。
  • 紫外选择性雪崩光电探测芯片
  • [实用新型]光敏芯片钝化结构-CN201220720861.3有效
  • 王鸥;邱月瓴;曾璞;刘小会;周红轮;胡卫英;刘从吉;罗成思 - 西南技术物理研究所
  • 2012-12-24 - 2013-06-12 - H01L31/0216
  • 本实用新型提出的一种光敏芯片钝化结构,旨在提供一种减少干扰,合格率高,易于实现的硅基探测器的光敏芯片钝化结构。本实用新型通过下述技术方案予以实现:硅基探测器的光敏芯片钝化结构,包括光刻保留在工艺芯片表面的氧化硅钝化膜,氧化硅钝化膜同P型隔离区氧化硅断开,用聚酰亚胺胶膜包裹P型隔离区氧化硅钝化膜,各个方向包裹了氧化硅钝化膜,形成完整包裹型双层钝化膜。本实用新型包含了聚酰亚胺与氧化硅薄膜,芯片表面保留氧化硅钝化膜,并同P型隔离区氧化硅断开,让聚酰亚胺胶包裹隔离区氧化硅,形成完整包裹型钝化膜,有效减少了离子污染。消除了器件在背景光照下输出干扰信号,减少了不合格品的数量,提高了器件性能。
  • 光敏芯片钝化结构

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