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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种LED芯片制作方法-CN202210089138.8有效
发明人：徐平;许孔祥;周孝维;杨云峰 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本申请提供了一种LED芯片制作方法，依次包括：生长AlN薄膜、制作圆形状的Mg金属薄膜层、生长MgN层、生长掺杂Si的n型GaN层、有源层MQW、P型AlGaN层和P型GaN层；退火处理。本发明通过引入圆形状的Mg金属薄膜层和MgN层来提升载流子的辐射复合效率，从而使LED的发光效率得到提升，并降低工作电压，提高抗静电能力。
一种 led 芯片制作方法

[发明专利]LED外延量子阱生长方法-CN202110117461.7有效
发明人：徐平;周孝维 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种LED外延量子阱生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温GaN缓冲层、生长非掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长多量子阱层、生长AlGaN电子阻挡层、生长掺杂Mg的P型GaN层，降温冷却，其中生长多量子阱层依次包括进行掺In预处理、生长InGaN阱层、Ga2O3预生长、生长Ga2O3层、退火处理、生长InxAlyMg(1‑x‑y‑z)Nz层以及生长GaN垒层的步骤。本发明通过采用新的多量子阱层生长方法来提升量子阱材料质量，具体是提升外延片材料的晶格周期性以及材料界面特性，从而提高LED的性能。
led 外延量子生长方法

[发明专利]一种提高辐射复合效率的LED外延生长方法-CN202010191154.9有效
发明人：徐平;吴奇峰;胡耀武;周孝维 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2020-03-18 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种提高辐射复合效率的LED外延生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温缓冲层GaN、生长不掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长多量子阱层、生长AlGaN电子阻挡层、生长掺杂Mg的P型GaN层，降温冷却，其中生长多量子阱层依次包括生长InGaN过渡层、InGaN阱层、掺杂渐变SiN层、掺杂渐变MgN层、线性渐变掺杂Mg的GaN垒层、InAlN层的步骤。本发明方法解决现有LED外延生长方法中存在的量子阱生长质量不高及量子阱辐射复合效率低下的问题，从而提高LED的发光效率。
一种提高辐射复合效率 led 外延生长方法

[发明专利]一种提升发光效率的LED多量子阱层生长方法-CN202010504386.5有效
发明人：徐平;龚彬彬;周孝维;胡耀武 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2020-06-05 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种提升发光效率的LED多量子阱层生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温GaN缓冲层、生长非掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长多量子阱层、生长AlGaN电子阻挡层、生长掺杂Mg的P型GaN层，降温冷却，其中生长多量子阱层依次包括生长Si3N4层、生长SixAl(1‑x)N层、生长InGaN阱层、生长Mg渐变掺杂InAlN层、生长高温Si掺杂AlGaInN层、生长低温不掺杂AlGaInN层和生长GaN垒层的步骤。本发明方法解决现有LED外延生长方法中存在的量子阱晶体质量不高问题，从而提高LED的发光效率，降低工作电压，减少波长漂移。
一种提升发光效率 led 多量子阱层生长方法

[发明专利]LED外延片制作方法-CN202210313652.5在审
发明人：徐平;周孝维;许孔祥 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种LED外延片制作方法，依次包括：处理衬底、生长低温GaN缓冲层、生长非掺杂GaN层、生长掺杂Si的n型GaN层、制作载流子过渡层、生长多量子阱层、生长AlGaN电子阻挡层、生长掺杂Mg的P型GaN层，降温冷却，其中制作载流子过渡层依次包括进行溅射氧化钼层、臭氧处理以及制作氮原子层的步骤。本发明通过采用新的制作方法来提升量子阱的晶体质量，从而提高LED的发光效率。
led 外延制作方法

[发明专利]LED外延片制作方法-CN202210426000.2在审
发明人：徐平;胡耀武;周孝维 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED外延片制作方法，涉及半导体技术领域，包括以下步骤：提供蓝宝石衬底片；在蓝宝石衬底片表面边缘区域制作形成一个圆环状凹坑；将圆环状凹坑内部填充多个聚苯乙烯微球；溅射AlN薄膜；进行退火处理，使得多个聚苯乙烯微球均变成空心球壳；生长氮化镓外延材料层；进行氟等离子处理，使得P型氮化镓层上表面的部分P型氮化镓层变为氟、镁共掺杂氮化镓层。本申请能够减少LED外延片的翘曲和裂纹，提高LED芯片的散热能力，并有效提高LED的发光效率和抗静电能力。
led 外延制作方法

[发明专利]一种发光二极管的制作方法-CN202210266949.0在审
发明人：徐平;周孝维;冯磊 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2022-03-17 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管的制作方法，涉及半导体技术领域，制备方法包括：提供蓝宝石衬底；在蓝宝石衬底的表面制作形成多个圆柱体凹坑；将圆柱体凹坑内部填充用于散热和反射光的石墨烯粉末；在圆柱体凹坑的正上方制作形成凸起的掺有金刚石颗粒的氧化硅圆锥体；生长氮化镓外延层，获得完全结构的外延片。上述制备方法能够提高LED芯片的散热能力，有效提高LED器件的发光效率，还可以减少LED外延片翘曲度，提升LED发光波长和亮度分布均匀性。
一种发光二极管制作方法

[发明专利]一种去除石墨表面氮化镓基化合物的方法-CN201510318124.9有效
发明人：蒋万里;周孝维 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2015-06-11 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： C01B32/205 文献下载
摘要：本申请公开了一种去除石墨盘表面氮化镓基化合物的方法，所述石墨盘放置在真空高温炉内，所述方法包括升高温度至500℃‑900℃，使用N2分压，去除真空高温炉内及石墨盘上的杂质和水分；升高温度至1050℃‑1100℃，使用H2+N2混合气分压裂解氮化镓基化合物，同时去除氧化物；升高温度至1350℃‑1360℃，无分压裂解氮化镓基化合物40‑60分钟并抽离；温度在1350℃‑1360℃维持40‑60分钟，使用H2+N2混合气分压，还原氧化物；以及降温冷却。本发明的方法大大节省了处理的时间，提高了效率，同时还充分节省了能源。
一种去除石墨表面氮化化合物方法

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