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[发明专利]存储装置、其操作方法、存储控制器及其操作方法-CN201910202222.4有效
发明人：文大植;河庆洙;孙宁洙;吴起硕;李昶教;张晋熏;崔娟圭;玄锡勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-03-18 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：提供了一种存储装置、一种操作存储装置的方法、一种存储控制器和一种操作存储控制器的方法。操作布置在多区块存储设备的不同区块中并共享信号线的存储装置的方法包括：在多区块存储设备中包括的所有存储装置中，接收信号线的片内终结(ODT)状态信息。所述方法还包括：在多区块存储设备中的每个存储装置中，将信号线的ODT状态信息存储在模式寄存器中。所述方法还包括：在多区块存储设备的每个存储装置中，基于存储在模式寄存器中的信号线的ODT状态信息产生控制信号。所述方法还包括：在多区块存储设备的每个存储装置中，响应于控制信号而改变信号线的ODT设置。
存储装置操作方法控制器及其

[发明专利]存储器装置、存储器系统和存储器装置的操作方法-CN201910339068.5有效
发明人：李东勳;文大植;孙宁洙;孙永训;吴起硕;李昶教;赵泫润;河庆洙;玄锡勳 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-04-25 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：公开了一种存储器装置、存储器系统和存储器装置的操作方法。一种存储器装置包括：驱动器，驱动与外部装置连接的数据线；内部ZQ管理器，产生内部ZQ开始信号；选择器，基于ZQ模式选择内部ZQ开始信号和来自外部装置的ZQ开始命令中的一个；ZQ校准引擎，通过响应于选择器的选择结果执行ZQ校准来产生ZQ码；以及ZQ码寄存器，响应于来自外部装置的ZQ锁存命令将ZQ码加载到驱动器上。
存储器装置系统操作方法

[发明专利]操作半导体存储器装置的方法和半导体存储器装置-CN201710501634.9有效
发明人： 吴起硕;全成桓 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-06-27 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：提供一种操作半导体存储器装置的方法和半导体存储器装置。在操作包括存储器单元阵列和被配置为控制对存储器单元阵列的访问的控制逻辑电路的半导体存储器装置的方法中，从外部存储器控制器接收与差分数据时钟信号同步的数据，基于从差分数据时钟信号分频出的分频数据时钟信号将所述数据存储在存储器单元阵列中，响应于来自存储器控制器的读取命令和目标地址从存储器单元阵列读取数据，根据半导体存储器装置的选通模式使用单选通信号和差分选通信号之一将读取数据发送到存储器控制器。
操作半导体存储器装置方法

[发明专利]调节占空比的存储器装置和具有存储器装置的存储器系统-CN201910001529.8有效
发明人：文大植;车吉勋;吴起硕;李昶教;崔娟圭;崔桢焕;河庆洙;玄锡勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-01-02 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G11C11/4063 文献下载
摘要：公开一种调节占空比的存储器装置和具有存储器装置的存储器系统。一种存储器装置包括：时钟接收器，被配置为：从存储器控制器接收用于在数据写入操作期间接收写入数据的写入时钟；占空比监视器，被配置为：通过监视写入时钟的占空比生成第一监视信息；占空比调节器，被配置为：响应于占空比控制信号，调节写入时钟的占空比并且输出调节的写入时钟。存储器装置将第一监视信息提供给存储器控制器，并且从存储器控制器接收使用第一监视信息生成的占空比控制信号。
调节存储器装置具有系统

[发明专利]电子装置及其操作方法-CN202210470516.7在审
发明人： 吴起硕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G06F15/78 文献下载
摘要：提供了电子装置及其操作方法。所述电子装置包括：片上系统(SoC)，所述SoC包括处理器、由所述处理器控制的近存储器控制器和由所述处理器控制的远存储器控制器；近存储器器件，所述近存储器器件包括第一存储通道和第二存储通道，所述第一存储通道被配置为与所述近存储器控制器通信并且在多种模式中的第一模式下操作，所述第二存储通道被配置为与所述近存储器控制器通信并且在所述多种模式当中的与所述第一模式不同的第二模式下操作；以及远存储器器件，所述远存储器器件被配置为与所述远存储器控制器通信。所述第一存储通道还被配置为基于来自所述近存储器控制器的命令，将操作模式从所述第一模式改变为所述第二模式。
电子装置及其操作方法

[发明专利]计算系统、非易失性存储器模块以及操作存储设备的方法-CN201710248135.3有效
发明人：林璇渶;吴起硕;徐圣镕;赵永进;崔仁寿 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-04-17 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： G11C16/32 文献下载
摘要：公开了一种操作存储设备的方法，该方法包括：将对用于内部操作的内部操作时间的请求发送到外部设备，从外部设备接收与请求相对应的内部操作命令，以及基于内部操作命令在内部操作时间期间执行内部操作。
计算系统非易失性存储器模块以及操作存储设备方法

[发明专利]半导体存储器件及其位线读出放大器操作方法-CN201610621144.8有效
发明人：柳成宪;崔钟贤;孙东佑;吴起硕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-08-01 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：一种半导体存储器件包括多个存储单元、多条字线和多条位线，其中每个存储单元耦合到各自的字线和位线。半导体存储器件包括多个读出放大器，其中每个读出放大器耦合到两条位线。半导体存储器件被配置为接收第一正供电电压、第二正供电电压和负供电电压，并且在放大存储单元中的数据的操作中基于负供电电压来确定放大电压的低电平。
半导体存储器件及其读出放大器操作方法

[发明专利]半导体存储装置、电子设备及设置半导体存储装置的方法-CN202010759067.9在审
发明人： 吴起硕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：提供一种半导体存储装置、电子设备及设置半导体存储装置的方法。所述电子设备包括：半导体存储装置，被配置为存储工艺信息并将所述工艺信息输出到外部；以及主机，被配置为：从所述半导体存储装置读取所述工艺信息，并根据所述工艺信息选择多种操作模式中的一种操作模式以将其设置为所述半导体存储装置的操作模式。所述多种操作模式可以限定所述半导体存储装置的功耗或所述半导体存储装置的响应特性中的一者或更多者。
半导体存储装置电子设备设置方法

[发明专利]信号发送和接收设备、存储器件及操作它们的方法-CN201911130434.2在审
发明人：李昶教;李东建;张晋熏;河庆洙;吴起硕;金经纶 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-11-18 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： G06F13/40 文献下载
摘要：提供了一种信号发送和接收设备、存储器件及操作它们的方法。所述信号发送和接收设备包括：第一片上端接电路，所述第一片上端接电路连接到通过其发送或接收第一信号的第一引脚，当所述第一片上端接电路被启用时，所述第一片上端接电路被配置为将第一端接电阻提供给与所述第一引脚连接的信号线；第二片上端接电路，所述第二片上端接电路连接到通过其发送或接收第二信号的第二引脚，当所述第二片上端接电路被启用时，所述第二片上端接电路被配置为将第二端接电阻提供给与所述第二引脚连接的信号线；以及片上端接控制电路，所述片上端接控制电路被配置为：独立地控制所述第一片上端接电路和所述第二片上端接电路中的每一个的启用时间和停用时间。
信号发送接收设备存储器件操作它们方法

[发明专利]半导体存储器装置及具有该装置的存储器系统和电子装置-CN201810730845.4在审
发明人：崔娟圭;吴起硕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-07-05 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： G11C11/4093 文献下载
摘要：本申请提供了一种半导体存储装置、存储器系统和电子装置。所述半导体存储装置被配置为：响应于模式设置命令而输入模式设置代码并设置在线数据；利用写命令处理数据位数信息以产生第一数据信号；利用读命令处理数据位数信息以产生第二数据信号；基于使用行地址和激活命令产生的字线选择信号和使用列地址和写命令或读命令产生的列选择信号来存取所选存储器单元；响应于第一数据信号，处理第一数量的数据位并将第一数量的数据位发送到所选的存储器单元，并且响应于第二数据信号，处理从所选的存储器单元接收的数据并输出第二数量的数据位。
存储器单元半导体存储装置存储器系统处理数据第一数据电子装置数据信号位数信息读命令写命令响应半导体存储器装置模式设置命令字线选择信号列选择信号激活命令输入模式在线数据列地址行地址存取输出配置申请

[发明专利]存储器装置、包括其的电子装置和电子装置的操作方法-CN201811293828.5在审
发明人：金光贤;吴起硕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-11-01 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：本申请提供了一种电子装置、存储器装置和电子装置的操作方法。电子装置包括存储器和片上系统(SoC)。存储器装置包括分配给第一通道的第一存储器单元区域和分配给第二通道的第二存储器单元区域。SoC包括第一处理单元和第二处理单元。第一处理单元被构造为通过第一通道将用于访问第一存储器单元区域的第一命令发送至存储器装置。第二处理单元被构造为通过第二通道将用于访问第二存储器单元区域的第二命令发送至存储器装置。存储器装置被构造为使得第一通道的带宽和第二通道的带宽彼此不同。
存储器装置电子装置处理单元存储器单元区域第二存储器单元区域命令发送带宽片上系统存储器分配访问申请

[发明专利]具有多个低功率状态的存储器装置及其功率状态控制方法-CN201711045809.6在审
发明人：崔娟圭;吴起硕;申丞濬;金惠兰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2018-05-08 - 主分类号： G06F1/32 文献下载
摘要：本发明提供一种控制多个低功率状态的方法和存储器装置。所述方法包含：进入低功率模式状态，其中响应于低功率状态进入命令刷新存储器装置的存储器单元行并且功率消耗低于在自身刷新模式状态中的功率消耗；以及基于在存储器装置的模式寄存器中设置的低功率模式退出时延时间，或警报信号和低功率模式退出命令中的至少一个，退出所述低功率模式状态。通过使用多个低功率状态，可最大化节省存储器装置的功率消耗。
具有多个低功率状态存储器装置及其控制方法

[发明专利]由两个或更多处理器共享的存储设备和包括其的系统-CN201710351716.X在审
发明人：金光贤;吴起硕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-05-18 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： G06F15/167 文献下载
摘要：提供由第一处理器和第二处理器共享的公共存储设备。公共存储设备包括存储单元阵列，包括分配用于第一处理器的第一存储区域和分配用于第二处理器的第二存储区域；刷新屏蔽信息存储电路，被配置为存储刷新屏蔽信息，刷新屏蔽信息指示对第一存储区域和第二存储区域中的至少一个是否执行刷新；以及刷新电路，被配置为根据刷新屏蔽信息对第一存储区域和第二存储区域选择性地执行刷新。
两个更多处理器共享存储设备包括系统

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