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[发明专利]一种硅电容的制作方法-CN201810148687.1在审
发明人： 吴晓鸫;季骏;张可可;王涛;陈正才;高向东 -专利权人：无锡中微晶园电子有限公司
申请日： 2018-02-12 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： H01L21/62 文献下载
摘要：本发明涉及硅电容制作技术领域，具体公开了一种硅电容的制作方法，其中，包括：提供硅片作为硅片衬底以及提供LPCVD设备；在硅片衬底上制备多个深度为80μm、宽度为2μm的沟槽；在形成有沟槽的硅片衬底上掺磷杂质做饱和掺杂，以形成电容的下电极；将掺杂磷杂质的硅片衬底放入所述LPCVD设备中，采用HTO工艺淀积一层SiO2层；采用LPCVD工艺在SiO2层上淀积一层Si3N4层；采用HTO工艺在所述Si3N4层上淀积一层SiO2层，得到第一层ONO膜层；采用LPCVD工艺在所述第一层ONO膜层上淀积一层原位磷掺杂多晶硅一；采用相同的工艺参数，依次淀积一层SiO2层、一层Si3N4层和原位磷掺杂多晶硅二，形成双ONO型电容并联结构。本发明提供的硅电容的制作方法实现了在沟槽结构中制作硅电容。
电容硅片衬底淀积制作第一层多晶硅磷掺杂饱和掺杂电容并联工艺淀积沟槽结构磷杂质下电极掺磷放入制备掺杂

[发明专利]用于改善SOI衬底表面损伤的方法-CN201310719996.7有效
发明人：孙建洁;唐剑平;吴建伟;吴晓鸫 -专利权人：无锡中微晶园电子有限公司
申请日： 2013-12-23 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于改善SOI衬底表面损伤的方法，其特征是，包括以下工艺步骤：（1）在SOI衬底上表面热氧化生成掩蔽氧化层，温度为850±10℃，时间为30±1分钟，掩蔽氧化层的厚度为15±1nm；（2）向掩蔽氧化层注入元素Ar，注入能量为200±2keV，注入剂量为1×1015±0.05×1015；（3）将SOI衬底分别采用常规3#和1#清洗液进行清洗；（4）退火：将SOI衬底在纯氮气气氛下进行退火，退火温度为950±5℃，时间为30±1分钟；（5）重复步骤（2）～步骤（4）的操作10～20次；（6）将SOI衬底在质量百分浓度为0.5%～10%的氢氟酸中漂洗2～10分钟，去除掩蔽氧化层；再在清水中漂洗干净后甩干。本发明能够降低注入对衬底的损伤，改善衬底沾污和损伤问题。
用于改善 soi 衬底表面损伤方法

[发明专利]高可靠性的低温栅氧化层生长工艺-CN201310696490.9无效
发明人： 吴晓鸫;张世权;陶军;张明 -专利权人：无锡中微晶园电子有限公司
申请日： 2013-12-18 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种高可靠性的低温栅氧化层生长工艺，其特征是，包括以下工艺步骤：（1）提供表面洁净的圆片，在750～800℃温度下进入氧化炉管；（2）圆片在800±5℃稳定10～20分钟，氧化炉管中的气氛为氮气和氧气；（3）先在800±5℃温度下进行干氧氧化，过程分为三步：分别为氧气、氧气+DCE或HCl、氧气，每个过程时间为3～5分钟；（4）再在800±5℃温度下采用氢氧合成方式生长氧化层，氧气和氢气的比例为1:1～1.8，氧气的流量为4～6L/min；（5）然后在800±5℃温度下干氧生长5～10分钟氧化层，氧气的流量为8～15L/min；（6）最后在800±5℃温度下，于纯氮中退火20～30分钟，氮气的流量为8～15L/min。本发明工艺步骤简单方便，可靠性好。
可靠性低温氧化生长工艺

[发明专利]可改善氧化层质量的清洗方法-CN201310696491.3无效
发明人：陶军;张继;吴晓鸫;寇春梅 -专利权人：无锡中微晶园电子有限公司
申请日： 2013-12-18 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种可改善氧化层质量的清洗方法，其特征是，包括以下工艺步骤：（1）将氧化层生长工艺前的硅片在DHF1酸混合液中清洗，DHF1酸混合液由HF和H2O按质量比1:20～30混合得到；再用去离子水冲洗干净；（2）再将硅片在APM酸混合液中清洗，APM酸混合液由NH4OH、H2O2和H2O按质量比为1:2:12～15混合得到；再用去离子水冲洗干净；（3）然后将硅片在SPM酸混合液中清洗，SPM酸混合液由H2SO4和H2O2按质量比为3:1混合得到；再用去离子水冲洗干净；（4）最后将硅片在DHF2酸混合液中清洗，DHF2酸混合液由HF和H2O2按质量比为1:20～25混合得到；用去离子水冲洗干净后烘干。本发明采用常规半导体设备，能够有效去除Cu等贵金属杂质。
改善氧化质量清洗方法

[发明专利]掺杂衬底上的超薄SiO₂生长工艺-CN201110217320.9无效
发明人：于宗光;张明;戴昌梅;吴晓鸫 -专利权人：无锡中微晶园电子有限公司
申请日： 2011-08-01 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明涉及一种掺杂衬底上的超薄SiO2生长工艺，其包括如下步骤：a、提供需要生长超薄SiO2层的半导体基板；b、去除半导体基板表面的自然氧化层；c、向氧化炉管内以10~18L/min的速度通入氮气，并将上述清洗后的半导体基板通过反应舟送入氧化炉管内，且使半导体基板生长厚度均匀的SiO2层；d、当氧化炉管的温度在650℃~750℃时，使氧化炉管的温度保持10~30min；e、当氧化炉管的温度稳定后，向氧化炉管内通入O2，N2与O2混合后，半导体基板在氧化炉管内生长20~40分钟生长SiO2层，N2与O2在氧化炉管内混合的体积比为10：1~100：1。本发明能满足大电容电路产品和ONO反熔丝器件的制作要求，提高了工艺产能，稳定性及可控性好。
掺杂衬底超薄 sio sub 生长工艺

[发明专利]一种SONOS结构中氮化硅的生长工艺-CN201110217318.1有效
发明人：郭良权;吴晓鸫;郑若成;洪根深 -专利权人：无锡中微晶园电子有限公司
申请日： 2011-08-01 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种SONOS结构中氮化硅的生长工艺，其包括如下步骤：a、提供圆片，并放入LPCVD炉管内；b、向LPCVD炉管内通入反应气体SiCl2H2与NH3，以在圆片上生长初始膜层；c、向LPCVD炉管内通入反应气体SiCl2H2及NH3，使LPCVD炉管内反应气体SiCl2H2与NH3体积比为1：10，圆片的初始膜层上生长中间膜层；d、保持LPCVD炉管内反应气体SiCl2H2与NH3体积比为1：10，在上述圆片的中间膜层上生长顶层膜层；e、向LPCVD炉管内继续通入NH3气体，并停止向通入SiCl2H2，使LPCVD炉管内的SiCl2H2充分反应，得到圆片上所需的氮化硅层。本发明采用常用器件制作中的工艺流程，完全和MOS工艺流程兼容；工艺简单，一旦DCS和NH3的流量设定，生长时间设定，生长氮化硅层稳定可控，可用于制备SONOS结构的氮化硅层。
一种 sonos 结构氮化生长工艺

[发明专利]一种ONO电容结构的生长工艺-CN201010547284.8有效
发明人：肖志强;陈正才;吴晓鸫;高向东 -专利权人：无锡中微晶园电子有限公司
申请日： 2010-11-16 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： H01L21/314 文献下载
摘要：本发明涉及一种ONO电容结构的生长工艺，包括如下步骤：a、提供半导体基板；b、在半导体基板上，通过干氧氧化生长20～24nm的底层氧化层；c、在半导体基板的底层氧化层上淀积中间SiN层，所述中间SiN层的厚度为20～24nm；d、在上述中间SiN层上，通过热氧化生长270～330nm的顶层氧化层。本发明在半导体基板上通过干氧氧化的方式生长底层氧化层，能够在半导体基板上形成致密的氧化层，确保底层氧化层的质量，在底层氧化层上淀积中间SiN层，在中间SiN层上通过湿氧氧化顶层氧化层，从而在半导体基板上形成ONO电容结构；通过湿氧氧化能够快速地在中间SiN层上形成顶层氧化层，并保证ONO薄膜的质量；操作简单；扩散设备和LPCVD设备可使用通用的半导体前道设备，可控性强，工艺步骤简单。
一种 ono 电容结构生长工艺

[发明专利]厚多晶电阻的饱和掺杂工艺-CN201010547290.3有效
发明人：高向东;唐剑平;张明;吴晓鸫 -专利权人：无锡中微晶园电子有限公司
申请日： 2010-11-16 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种厚多晶电阻的饱和掺杂工艺，其包括如下步骤：a、提供衬底，衬底上设置有相应氧化物结构；b、在上述衬底的氧化物结构上淀积多晶电阻材料，淀积多晶电阻材料时，根据所需多晶的厚度，将所述上述多晶电阻材料均分多次淀积；c、在上述衬底上形成所需厚度的多晶电阻后，在多晶电阻内进行含磷气体掺杂；d、去除上述多晶电阻上形成的PSG。本发明根据厚多晶电阻的厚度要求，采用多次均匀淀积的方式得到所需厚度的厚多晶电阻，可以减轻炉内副产物的堆积和对泵等硬件的损耗，提高生产稳定性，所有步骤都参照常规工艺，操作简单；多晶掺杂采用饱和掺杂使杂质在晶粒间和晶粒间隙同时扩散，并且分布均匀，片内片间及稳定性都达到生产要求。
多晶电阻饱和掺杂工艺

[发明专利]一种超薄氧化层生长前清洗工艺-CN201010130918.X无效
发明人：高向东;吴晓鸫;徐静 -专利权人：无锡中微晶园电子有限公司
申请日： 2010-03-15 - 公布日： 2010-09-08 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种清洗工艺，尤其是一种超薄氧化层生长前清洗工艺。所述工艺包括如下步骤：(a)将硅片放置在温度为90℃～120℃的酸混合溶液中进行酸洗；(b)上述酸洗后的硅片用去离子水循环冲洗；(c)将上述清洗后的硅片放置在温度为65℃～75℃的碱性混合溶液中进行碱洗；(d)将上述碱洗后的硅片用去离子水循环冲洗；(e)将上述清洗后的硅片放置在H2O和氢氟酸溶液组成的混合溶液中清洗；(f)将清洗后的硅片进行干燥，去除硅片表面的水分。本发明工艺步骤简单、能够降低酸液对硅片表面的侵蚀、保证超薄氧化层的质量。
一种超薄氧化生长清洗工艺

[发明专利]用于存储器单元的SONOS结构腐蚀工艺-CN200710135518.6有效
发明人：肖志强;徐静;李俊;高向东;吴晓鸫 -专利权人：无锡中微晶园电子有限公司
申请日： 2007-11-16 - 公布日： 2008-05-14 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及CMOS制程中SONOS结构(Silicon－Oxide－Ntride－Oxide－Silicon)的腐蚀工艺，特别是存储器单元中超薄的ONO结构。本发明可以降低超薄SONOS结构腐蚀工艺中的损伤，且技术简单，适用于基于SONOS结构的存储器工艺制程。按照本发明提供的技术方案，用于存储器单元的SONOS结构腐蚀工艺包括依次叠加在衬底硅上面的底部隧道氧化层、中间SiN层、顶层SiO₂层及多晶硅，其特征是：第一步，在多晶硅的局部表面进行光刻；第二步，用等离子体反应刻蚀未被光刻胶覆盖的多晶硅；第三步，用浓度约为0.5％的HF溶液腐蚀掉顶层SiO₂层；第四步，去除上述光刻胶；第五步，用98％的H₃PO₄溶液腐蚀掉中间SiN层。
用于存储器单元 sonos 结构腐蚀工艺

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