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[发明专利]一种对检测到的信号进行处理的方法及电路-CN202010656891.1有效
发明人：卢年端;李泠;吴全潭;王嘉玮;耿玓;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-07-09 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种对检测到的信号进行处理的方法及电路，该电路包括：阻变存储器、负载电阻、电容器、外加电源，阻变存储器与电容器并联，阻变存储器与负载电阻串联，该外加电源施加外加电压于阻变存储器和负载电阻串联形成的电路两端，将检测到的信号作为外加电压，经过该电路的处理后，输出振荡信号，在该外加电压超出第一阈值电压时，该阻变存储器从高阻态转变为低阻态，且电容器开始放电；外加电压降至第二阈值电压以下时，阻态存储器从低阻态转变为高阻态，且该电容器开始放电；基于该电容器的充电时长、放电时长、以及经过充电和放电得到的振荡频率，获得振荡信号的波形，进而用于模拟神经元系统中对采集到的信号进行处理的过程。
一种检测信号进行处理方法电路

[发明专利]存储阵列及制备方法、存储芯片、相变存储器和电子设备-CN202211181547.7在审
发明人： 吴全潭 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H10B63/10 文献下载
摘要：本申请适用于半导体技术领域，提供了一种存储阵列及制备方法、存储芯片、相变存储器和电子设备，存储阵列包括：衬底层，以及排布在衬底层上的多个相变存储单元，每个相变存储单元与至少两条字线相接触；每个相变存储单元包括：第一电极和至少两块相变材料，至少两块相变材料与至少两条字线一一对应，每块相变材料位于第一电极和对应的字线之间，至少两条字线作为相变存储单元的第二电极，通过各条字线对同一相变存储单元中的不同相变材料分别进行控制，且每块相变材料可存储1bit数据，相变存储单元中设置的多块相变材料即可实现对多bit数据的存储，可以提高存储阵列的存储量。
存储阵列制备方法芯片相变存储器电子设备

[发明专利]存储阵列及制备方法、存储芯片、相变存储器和电子设备-CN202211168782.0在审
发明人：谭海波;吴全潭;蓝天;童浩 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2022-09-24 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H10B63/10 文献下载
摘要：本申请适用于半导体技术领域，提供了一种存储阵列及制备方法、存储芯片、相变存储器和电子设备，所述存储阵列包括：衬底层，以及排布在所述衬底层上的多个相变存储单元；每个所述相变存储单元包括：第一电极、多块相变材料和多个第二电极，所述多块相变材料与所述多个第二电极一一对应，每块所述相变材料位于所述第一电极和对应的所述第二电极之间。通过调整每个相变存储单元的结构，在每个相变存储单元中设置多块相变材料，而且每块相变材料与相对应的第二电极相接触，通过各个第二电极即可实现对各块相变材料的控制，每块相变材料可存储1bit数据，相变存储单元即可实现对多bit数据的存储，可以提高存储阵列的存储量。
存储阵列制备方法芯片相变存储器电子设备

[发明专利]三维相变存储结构、其制备方法、相变存储器和电子设备-CN202111081593.5在审
发明人：陈伟;蓝天;吴全潭 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H10N79/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种三维相变存储结构、其制备方法、相变存储器和电子设备。该三维相变存储结构包括：衬底，位于衬底上的叠层结构，贯穿叠层结构的第一过孔，位于第一过孔内的X个相变存储单元，位于叠层结构上的晶体管和多条走线。当需要选中其中一个相变存储单元时，通过字线控制所有的晶体管导通，通过位线选中仅与该位线电连接的X个相变存储单元，然后通过层控制线选通其中一个相变存储单元，从而实现任一变存储单元的唯一选择，实现一种新型的三维相变存储结构。并且，在该三维相变存储结构中，位于同一过孔中的X个相变存储单元可以共用同一条位线，相比每一层存储单元均需要一条位线，可以显著降低位线数量，从而降低成本。
三维相变存储结构制备方法存储器电子设备

[发明专利]一种存储器的温度检测方法及装置-CN202111005501.5在审
发明人： 吴全潭;陈一峰;李响;童浩 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： G06F11/30 文献下载
摘要：本申请提供一种存储器的温度检测方法及装置，所述方法包括：获取所述存储器中存储区域的操作参数，所述操作参数用于：指示所述存储区域在历史时刻执行存储操作的次数，和/或，指示所述历史时刻和当前时刻的时间间隔；其中，所述存储操作包含写操作和擦除操作中的至少一种；根据所述操作参数的值，计算所述存储区域的温度。本申请提供的方案，能够提高对存储器的存储区域中的温度分布进行检测的准确度，进而对存储器进行更为准确的控制。
一种存储器温度检测方法装置

[发明专利]一种铁电晶体管及其制备方法-CN202110644456.1在审
发明人：王兴晟;张子冲;余豪;王成旭;缪向水;吴全潭;廖宇;石晓钟 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请提出了一种铁电晶体管，其特征在于，该铁电晶体管包括：衬底，以及设置在该衬底第一面上的源电极、漏电极以及至少两个栅电极区域，该至少两个栅电极区域设置于源电极和漏电极之间；其中，至少两个栅电极区域中每个该栅电极区域中包括：依次堆叠设置在衬底上的铁电层和栅电极；绝缘体，设置于该至少两个栅电极区域之间，该铁电晶体管能够实现多值存储，且制造工艺简单。
一种晶体管及其制备方法

[发明专利]选通材料、选通管器件及存储器-CN202110296998.4在审
发明人： 吴全潭 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种选通材料、选通管器件及存储器，选通材料包括硫原子和与硫原子以共价键形式结合的掺杂原子。硫原子位于元素周期表的第三周期，硒原子位于元素周期表的第四周期，碲原子位于元素周期表的第五周期，与碲原子或硒原子相比较硫原子具有较小的原子半径，使得硫原子可以与掺杂原子形成较强的共价键，相应的含有硫原子的选通材料的稳定性较好，开态电流较大。
材料选通管器件存储器

[发明专利]一种模拟人工感知神经元的方法及电路-CN202010657004.2在审
发明人：卢年端;李泠;吴全潭;姜文峰;王嘉玮;耿玓;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-07-09 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：本发明涉及人工神经形态技术领域，尤其涉及一种模拟人工感知神经元的方法及电路，该电路包括：图像传感器和振荡神经元电路；振荡神经元电路，包括：阻变存储器、电容器以及负载电阻，阻变存储器与所述电容器并联，负载电阻与阻变存储器串联；图像传感器与振荡神经元电路串联；图像传感器在接收到不同波长的入射光时，对不同波长的入射光进行处理，输出不同的图像信号；振荡神经元电路基于不同的图像信号，输出不同的振荡信号，以实现对不同波长的入射光进行处理的过程，以构造感知神经元，并模拟感知神经元的功能。
一种模拟人工感知神经元方法电路

[发明专利]一种图像处理方法及装置-CN202010656950.5在审
发明人：卢年端;李泠;吴全潭;王嘉玮;耿玓;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-07-09 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： G06T3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种图像处理方法及装置，其中方法包括：获取图像信息，并将所述图像信息转化为可传输的图像信号；将所述图像信号通过振荡人工神经元器件转化为尖峰信号；对所述尖峰信号进行编码，获得计数脉冲；其中，所述计数脉冲的数量大小用于表征尖峰的大小；将所述计数脉冲输入脉冲耦合神经网络进行分割处理，获得分割后的目标图像。本发明可实现人脑视觉系统中的尖峰编码功能和视觉感知功能。
一种图像处理方法装置

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