专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种基于边沿检测的去隔行方法-CN201410604653.0有效
  • 李潇 - 启芯瑞华科技(武汉)有限公司
  • 2014-10-30 - 2017-12-01 - H04N7/01
  • 本发明提供一种基于边沿检测的去隔行方法先计算垂直方向梯度;结合利用临近点的边沿继承信息,初次判断边沿插值方向;对初次判断的边沿插值方向进行二次确认;然后顺着确认了的边沿方向做滤波处理,得到待插值点的像素值。本发明通过利用边沿继承的信息,使得该边沿检测的方法对于图像和视频中经常出现的有一定长度的边沿有很好的检测效果,相比传统方法,本发明更容易对该一整条边沿都获取相同或相近的边沿方向,不容易产生误判、漏判造成的断点及毛糙效应,使得去隔行输出的整体效果更加清晰,边沿更连贯平滑。
  • 一种基于边沿检测隔行方法
  • [发明专利]互补金属氧化物半导体图像传感器及其制造方法-CN201510512566.7有效
  • 李潇 - 启芯瑞华科技(武汉)有限公司
  • 2015-08-19 - 2017-08-25 - H01L27/146
  • 本发明公开了一种互补金属氧化物半导体图像传感器,它包括滤光片、感光工作电路单元、硅衬底、微透镜阵列、金属互联介质层、金属互联层、硅衬底外延层,微透镜阵列的每块微透镜下方对应的硅衬底外延层及对应硅衬底外延层区域内的感光工作电路单元为一个像素单元,还包括设置在硅衬底底面的硅衬底反射曲面块阵列,硅衬底反射曲面块阵列的曲面表层设有反射介质层,相邻两个像素单元之间设置有像素间隔绝势垒,每个像素间隔绝势垒向下延伸至穿过硅衬底。本发明能够提高光电转换量子效率,同时降低载流子信号串扰,提高图像传感器在暗场环境下的成像质量。
  • 互补金属氧化物半导体图像传感器及其制造方法
  • [实用新型]一种低功耗的先入先出电路结构-CN201620093995.5有效
  • 李潇 - 启芯瑞华科技(武汉)有限公司
  • 2016-01-29 - 2016-09-07 - G06F5/10
  • 本实用新型提供一种低功耗的先入先出电路结构,包括存储体、用于控制在存储体写入数据地址的写控制电路,和用于控制从存储体读出数据地址的读控制电路,其特征在于:所述的存储体包括一个大容量存储体和一个小容量存储体;本电路结构还包括用于根据存储数据的多少来控制大容量存储体和小容量存储体开关的模式控制电路,模式控制电路的输入端分别与读控制电路和写控制电路连接,模式控制电路的输出端分别与大容量存储体和小容量存储体连接。通过本实用新型的电路结构,极大的减小了电路整体的功耗。
  • 一种功耗先入先出电路结构
  • [实用新型]一种低功耗FIFO的电路结构-CN201620095725.8有效
  • 李潇 - 启芯瑞华科技(武汉)有限公司
  • 2016-01-29 - 2016-08-31 - G06F5/06
  • 本实用新型提供一种低功耗FIFO的电路结构,包括大容量的静态随机存储器、用于控制在静态随机存储器写入数据地址的写控制电路,和用于控制从静态随机存储器读出数据地址的读控制电路,其特征在于:所述的大容量的静态随机存储器由若干个小容量的静态随机存储器构成;本电路结构还包括用于控制每个小容量的静态随机存储器的工作模式的模式控制器,模式控制器的输入端分别与写控制电路和读控制电路连接,模式控制器的输出端数量与小容量的静态随机存储器相同,每个模式控制器的输出端与一个小容量的静态随机存储器连接。利用本实用新型结构极大地减小了功耗,节约了电能。
  • 一种功耗fifo电路结构
  • [实用新型]互补金属氧化物半导体图像传感器-CN201520627123.8有效
  • 李潇 - 启芯瑞华科技(武汉)有限公司
  • 2015-08-19 - 2016-01-06 - H01L27/146
  • 本实用新型公开了一种互补金属氧化物半导体图像传感器,它包括滤光片、感光工作电路单元、硅衬底、微透镜阵列、金属互联介质层、金属互联层、硅衬底外延层,微透镜阵列的每块微透镜下方对应的硅衬底外延层及对应硅衬底外延层区域内的感光工作电路单元为一个像素单元,还包括设置在硅衬底底面的硅衬底反射曲面块阵列,硅衬底反射曲面块阵列的曲面表层设有反射介质层,相邻两个像素单元之间设置有像素间隔绝势垒,每个像素间隔绝势垒向下延伸至穿过硅衬底。本实用新型能够提高光电转换量子效率,同时降低载流子信号串扰,提高图像传感器在暗场环境下的成像质量。
  • 互补金属氧化物半导体图像传感器
  • [实用新型]紧凑型可切换焦距的变焦镜头-CN201520655687.2有效
  • 李潇 - 启芯瑞华科技(武汉)有限公司
  • 2015-08-27 - 2016-01-06 - G02B7/14
  • 本实用新型涉及一种紧凑型可切换焦距的变焦镜头,包括第一固定光学镜片、光学镜片切换面板、设置在光学镜片切换面板上的可切换光学镜片组,其中,所述可切换光学镜片组包括多块具有不同曲率和/或不同材料的切换镜片,所有切换镜片位于同一平面,每块切换镜片的光轴能在光学镜片切换面板的带动下分别与第一固定光学镜片的光轴对齐。本实用新型的镜头可以根据拍照时的需要,选择可切换光学镜片组中所需的镜片,因此改变整体镜头的焦距,进而达到变焦的能力。
  • 紧凑型切换焦距变焦镜头
  • [发明专利]一种光圈结构及其图像处理方法-CN201410604623.X在审
  • 李潇 - 启芯瑞华科技(武汉)有限公司
  • 2014-10-30 - 2015-06-17 - G03B9/02
  • 本发明提供光圈结构,其通孔至少有一个形态为月牙形通孔。具有这种光圈结构的镜头成对使用,2个月牙形通孔的朝向相反,各获取一幅图像;取两幅图像中相同点,及该点附近窗口,计算各自傅立叶变换;用每一个根据需要可选的距离范围中的d值,逐次计算得到一组该点的频域恢复值和频域误差评价值;选取最小的频域误差评价值对应的d值作为该点的最佳估算距离值,对应的频域恢复值作为该点的最佳频域恢复值;对最佳频域恢复值进行反傅立叶变换,得到空间域的清晰图像值。通过改造光圈通孔的形状,利用一对这种特殊光圈和对应的图像处理方法进行反恢复运算,能够准确地得到景物的距离,并能够得到近中远距离都清晰的图像,达到极大地扩展景深的目的。
  • 一种光圈结构及其图像处理方法
  • [实用新型]低功耗同步时序数字电路芯片-CN201420603253.3有效
  • 李潇 - 启芯瑞华科技(武汉)有限公司
  • 2014-10-17 - 2015-04-01 - H03K19/0185
  • 本实用新型公开了一种低功耗同步时序数字电路芯片。使用两路供电电源,高电压电源和低电压电源,单独用一路电压较低的电源供电给时钟树结构部分,可以显著降低时钟树的功耗,所以降低了芯片的整体功耗。其中高电压电源供电给各个寄存器和组合电路部分,低电压电源主要供电给时钟树部分,为匹配信号幅度,需要使用电平转换器在合适的位置将高低时钟信号互相转换。由于寄存器和组合电路可以使用高电压供电,芯片的速度不受影响,所以本实用新型能在保证芯片性能不变的前提下大幅降低芯片的功耗。
  • 功耗同步时序数字电路芯片

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