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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置的制造方法-CN200610094020.5无效
发明人： 原一巳 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2006-06-21 - 公布日： 2006-12-27 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：一种半导体装置的制造方法，准备半导体晶片，该半导体晶片具有有效面、侧面、与所述有效面相反一侧的背面、在所述有效面形成的多个半导体元件；所述半导体晶片的所述侧面的至少一部分与所述半导体晶片的所述背面所成角度形成为锐角；朝向所述半导体晶片的所述有效面以及所述半导体晶片的所述侧面吹送空气，同时实施一边使所述半导体晶片旋转，一边在所述半导体晶片的所述背面上滴下蚀刻液的旋转蚀刻。
半导体装置制造方法

[发明专利]液滴喷头、液滴喷出装置-CN200510114133.2有效
发明人： 原一巳 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2005-10-18 - 公布日： 2006-04-26 - 主分类号： B41J2/135 文献下载
摘要：本发明的液滴喷头具备：与喷嘴开口连通的压力发生室、构成该压力发生室的一部分的弹性膜(振动膜)、配置在该弹性膜的与所述压力发生室侧相反的面上且使所述压力发生室内产生压力变化的压电元件、和驱动该压电元件的驱动IC(驱动元件)，上述驱动IC在设置于所述压电元件的端子上倒装接合。
喷头喷出装置

[发明专利]切割薄片及其制造方法、半导体装置的制造方法-CN200510083527.6有效
发明人： 原一巳 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2005-07-08 - 公布日： 2006-01-18 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明提供一种切割薄片，是在对多个电子部件一体形成的电子部件聚集体进行分离时粘接支撑上述电子部件聚集体的切割薄片，该切割薄片具备基材和在该基材的一面侧上形成的粘接层，在上述粘接层表面形成凹部，形成所述凹部以便在与该切割薄片粘接的所述电子部件聚集体的粘接面上突出设置的凸状构件可以插入。
切割薄片及其制造方法半导体装置

[发明专利]半导体芯片、电路基板及其制造方法和电子机器-CN200510067322.9无效
发明人： 原一巳 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2005-04-15 - 公布日： 2005-11-16 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：提供一种能在具有曲面的电路基板上搭载等安装性能好的半导体芯片。本发明的半导体芯片(10)具有控制基体(11)弯曲的弯曲控制膜(12)。
半导体芯片路基及其制造方法电子机器

[发明专利]半导体装置、电路基板以及电子设备-CN200410008577.3有效
发明人： 原一巳;横山好彦;宫泽郁也;山口浩司 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2004-03-24 - 公布日： 2004-10-06 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括：具有在其中形成的通孔的半导体衬底，在该通孔内形成的第一绝缘膜，以及在通孔内的第一绝缘膜的内侧上形成的电极。在半导体衬底的背面侧的第一绝缘膜伸出背面之外，并且电极伸出半导体衬底的有源面侧和背面侧之外。在有源面侧的突出部分的外径大于在通孔内的第一绝缘膜的外径，并且在背面侧的突出部分进一步伸出第一绝缘膜之外，以便使其侧面被暴露。该半导体装置具有改善的连接性和连接强度，尤其是当用于三维封装技术中时，具有杰出的抗剪切力性。
半导体装置路基以及电子设备

[发明专利]半导体芯片、半导体晶片及半导体装置及其制造方法-CN200410002023.2有效
发明人： 原一巳 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2004-01-12 - 公布日： 2004-08-04 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：一种半导体芯片、半导体晶片、半导体装置及其制造方法，所述半导体芯片具有半导体基板(10)、贯通半导体基板(10)的第1及第2面(20)、(38)并具有从第2面(38)的突出部(42)的贯通电极(40)、形成在第2面(38)的整面上的绝缘层(50)。绝缘层(50)包括形成在突出部(42)的周边区域的第1绝缘部(52)及其以外的第2绝缘部(54)。比第1绝缘部(52)的最厚部分减薄地形成第2绝缘部(54)。根据本发明可以充分确保叠加的上下半导体芯片之间的间隙，防止短路。
半导体芯片晶片装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN200410001554.X无效
发明人： 原一巳 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2004-01-13 - 公布日： 2004-08-04 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明的目的在于形成高质量的穿透电极。在已形成集成电路12的半导体基板10上，从第一面20形成凹部22。在凹部22上设置导电部30。从相反于半导体基板10的第一面20的第二面38上凸出导电部30。磨削或研磨导电部30使其新生面露出为止。
半导体装置制造方法

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