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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置及其制造方法、电路基板和电子仪器-CN200510067321.4有效
发明人： 宫泽郁也 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2005-04-15 - 公布日： 2005-10-19 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：提供一种能够抑制或消除因基板与在基板上形成的功能层间应力差所造成的基板弯曲的半导体装置和半导体装置的制造方法、电路基板以及电子仪器。本发明的半导体装置制造方法，是具有贯通基板的电极的半导体装置制造方法，其特征在于，依次具有：在所述基板的能动面上形成凹部的工序；在包含所述凹部内部的所述基板的能动面上形成绝缘层的工序；除去在所述凹部外部形成的所述绝缘层的至少一部分的工序；在形成了所述绝缘层的所述凹部内部充填导电体，以形成所述电极的工序；和除去所述能动面的背面侧，使所述电极从所述能动面的背面侧露出的工序。
半导体装置及其制造方法路基电子仪器

[发明专利]半导体装置、电路基板以及电子设备-CN200410008577.3有效
发明人：原一巳;横山好彦;宫泽郁也;山口浩司 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2004-03-24 - 公布日： 2004-10-06 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括：具有在其中形成的通孔的半导体衬底，在该通孔内形成的第一绝缘膜，以及在通孔内的第一绝缘膜的内侧上形成的电极。在半导体衬底的背面侧的第一绝缘膜伸出背面之外，并且电极伸出半导体衬底的有源面侧和背面侧之外。在有源面侧的突出部分的外径大于在通孔内的第一绝缘膜的外径，并且在背面侧的突出部分进一步伸出第一绝缘膜之外，以便使其侧面被暴露。该半导体装置具有改善的连接性和连接强度，尤其是当用于三维封装技术中时，具有杰出的抗剪切力性。
半导体装置路基以及电子设备

[发明专利]半导体装置及其制造方法、电路基板以及电子仪器-CN03800706.1有效
发明人： 宫泽郁也 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2003-03-19 - 公布日： 2004-09-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：在半导体基板(10)上从第一面(20)形成凹部(22)。在凹部(22)的底面以及内壁面上设置绝缘层(28)。在绝缘层(28)的内侧设置导电部(30)。通过具有对半导体基板(10)的蚀刻量大于对绝缘层(28)的蚀刻量的性质的第一蚀刻剂，对半导体基板(10)的第二面(28)进行蚀刻，在由绝缘层(28)覆盖的状态下使导电部(30)突出。通过具有在导电部(30)上不留有残留物地对绝缘层(28)进行蚀刻的性质的第二蚀刻剂，对绝缘层(28)上至少形成在凹部(22)的底面上的部分进行蚀刻，使导电部(30)突出。
半导体装置及其制造方法路基以及电子仪器

[发明专利]半导体装置及其制造方法、电路基板以及电子仪器-CN03800707.X有效
发明人： 宫泽郁也 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2003-03-19 - 公布日： 2004-09-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：在形成了集成电路(12)的半导体基板(10)上从第一面形成凹部(22)。在凹部(22)的内表面上设置绝缘层(28)。在绝缘层(28)的内侧设置第一导电部(30)。在绝缘层(28)的内侧、第一导电部(30)上由与第一导电部(30)不同的材料形成第二导电部(32)。使第一导电部(30)从半导体基板(10)上与第一面(20)相反一侧的第二面(38)露出。
半导体装置及其制造方法路基以及电子仪器

[发明专利]半导体器件的制造方法、半导体器件、电路基板和电子设备-CN200410028755.9有效
发明人： 宫泽郁也 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2004-03-15 - 公布日： 2004-09-22 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种半导体器件的制造方法，具有贯通半导体基板的电极。它包括：从形成集成电路的半导体基板的有源面向上述半导体基板的内部形成凹部的工序；在上述凹部的内面形成第一绝缘层的工序；在上述第一绝缘层的内侧填充导电材料来形成电极的工序；蚀刻上述半导体基板的反面使上述第一绝缘层的前端部露出的工序；在上述半导体基板的反面形成第二绝缘层的工序；去除上述电极前端部的上述第一绝缘层和上述第二绝缘层以使上述电极的前端部露出的工序。
半导体器件制造方法路基电子设备

[发明专利]半导体装置及其制造方法、电路基片和电子仪器-CN03124021.6有效
发明人： 宫泽郁也;池原忠好 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2003-04-24 - 公布日： 2003-11-05 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：在形成有集成电路(12)的半导体基片(10)上形成贯穿孔(30)，该贯穿孔(30)具有从开口朝深度方向逐渐变细的锥度。从开口向贯穿孔(30)供给绝缘材料，以在贯穿孔(30)的内表面形成绝缘层(32)。从开口向形成有绝缘层(32)的贯穿孔(30)供给导电材料，以在绝缘层(32)的内侧形成导电部(44)。
半导体装置及其制造方法路基电子仪器

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