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[发明专利]一种基于一体化平面耗尽型结终端的功率器件制备方法-CN202310943308.9在审
发明人：吴振兴 -专利权人： 北京贝茵凯微电子有限公司
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了基于一体化平面耗尽型结终端的功率器件制备方法，包括：在N‑型区熔单晶硅衬底淀积一层光刻胶，曝光光刻胶形成终端结注入窗口并注入B离子；将曝光后的N‑型区熔单晶硅衬底进行第一预设温度退火，进行一次推结；通过氧化工艺在N‑型区熔单晶硅衬底的表面形成一层氧化层保护终端结区域，并对P‑型终端环进行二次推结；在N‑型区熔单晶硅衬底表面刻蚀得到有源区注入窗口；基于有源区注入窗口，对芯片表面进行处理，得到有源区、栅极区及终端区。通过采用宽区域氧化隔离和超轻掺杂一体化P‑型终端结类型结构，实现了栅极结构与终端结构的有效集成，利用轻掺杂的P‑型终端和N‑型衬底电荷平衡原理提高了芯片耐压性能。
一种基于一体化平面耗尽终端功率器件制备方法

[发明专利]一种功率器件栅极集成电阻、功率器件及其制备方法-CN202310574185.6在审
发明人：吴振兴 -专利权人： 北京贝茵凯微电子有限公司
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率器件栅极集成电阻、功率器件及其制备方法，用于栅极电压控制型功率器件，栅极集成电阻包括：设置于栅极PAD和栅极汇流条之间的若干个电阻单元；电阻单元的一端与栅极PAD连接，其另一端通过电阻引出极与栅极汇流条连接或悬空；至少一个电阻引出极与栅极汇流条连接；若干个电阻引出极之间电气隔离，可通过外置导线连接。通过在封装端采用阻值可调的栅极集成电阻的功率器件，在栅极和栅极汇流条之间形成了一个可调可变的内置集成电阻网络，具有电阻调节便利、无需重新进行芯片设计开发、适用频率范围宽、均流效果好等优点。
一种功率器件栅极集成电阻及其制备方法

[发明专利]一种沟槽型原胞功率器件制备方法和沟槽型原胞功率器件-CN202310413505.X在审
发明人：吴振兴 -专利权人： 北京贝茵凯微电子有限公司
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一种沟槽型原胞功率器件的制备方法和沟槽型原胞功率器件，该方法通过将金属层直接与多晶硅连接，提高了栅极汇流条的综合电导率，使得功率器件的栅极信号能够无损传导到各个原胞；且采用双J型互锁式版图布线方式，解决了现有技术中高密度沟槽功率器件版图布局上容易造成虚接、断接的情况。
一种沟槽型原胞功率器件制备方法

[发明专利]一种沟槽型功率半导体芯片制备方法及芯片-CN202310413597.1在审
发明人：吴振兴 -专利权人： 北京贝茵凯微电子有限公司
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一种沟槽型功率半导体芯片的制备方法和沟槽型功率半导体芯片。该方法通过将金属层直接与多晶硅连接，除去了表面POLY层，使得芯片表面不产生层与层之间的台阶交叠爬坡，微填充问题彻底解决，可靠性大幅提高；沟槽型功率半导体芯片表面4层结构简化到3层结构，同时改变了多晶硅栅极的形成与互联方式，将原有技术多晶硅沟槽‑‑‑多晶硅总线‑‑‑栅极金属的三级互联的形式，变成多晶硅沟槽‑‑‑栅极金属二级互联的形式，去除了表面多晶硅汇流条，工艺大大简化，使得芯片利用效率大幅提高。
一种沟槽功率半导体芯片制备方法

[发明专利]一种IGBT芯片制备方法和IGBT芯片-CN202310467252.4有效
发明人：吴振兴 -专利权人： 北京贝茵凯微电子有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：一种IGBT芯片的制备方法和IGBT芯片。该制备方法包括：硅基衬底制备；在硅基衬底上形成P型终端区和有源区，使有源区与终端区氧化隔离；在有源区中形成多晶硅沟槽‑栅极/源极金属直接连接的栅极/源极；进行至少一次钝化操作；对硅基衬底的背面进行研磨减薄，然后依次形成N型FS层和P+层以及集电极。该IGBT芯片为该方法制得。本发明通过将金属层直接与多晶硅连接，去除了表面多晶硅汇流条，减少了芯片表面大面积的多晶硅栅极总线的排布，使得芯片表面不产生层与层之间的台阶交叠爬坡，微填充问题彻底解决，可靠性和芯片利用效率大幅提高。
一种 igbt 芯片制备方法

[发明专利]一种功率器件原胞结构、功率器件及其制备方法-CN202310576995.5在审
发明人：吴振兴 -专利权人： 北京贝茵凯微电子有限公司
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率器件原胞结构、功率器件及其制备方法，其中功率器件原胞结构包括：若干个栅极沟槽及栅极沟槽分别对应的栅极；栅极沟槽包括：并列设置且互相独立的若干个第一沟槽和若干个第二沟槽；第一沟槽与栅极汇流条连接，第二沟槽两端浮空设置；栅极包括：与第一沟槽相对应的第一栅极、与第二沟槽相对应的第二栅极。通过采用假栅极结构将原胞区的Trench间互相独立开来，使Trench的栅极氧化层产生浮空效果，不计入在Cge内，也不计入在Cies内，进一步大幅降低输入电容，此外，还可以通过调节假栅极的数量来调节输入电容和反馈电容。
一种功率器件结构及其制备方法