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[发明专利]双端读写的存储装置-CN202310935176.5在审
发明人：季金华;刘金陈;刘湖云 -专利权人：合芯科技（苏州）有限公司;合芯科技有限公司
申请日： 2023-07-27 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G11C8/10 文献下载
摘要：本申请提供一种双端读写的存储装置，包括：放大模块、第一开关单元、第二开关单元、第三开关单元、地址译码电路、写入位线、互补写入位线、读出驱动电路和读出位线，第一开关单元与写入位线和放大模块的第一端连接，第一开关单元的控制端连接地址译码电路，第一开关单元包括第一PMOS管，第二开关单元与互补写入位线和放大模块的第二端连接，第二开关单元的控制端连接地址译码电路，第二开关单元包括第二PMOS管，读出驱动电路的输入端连接存储节点，读出驱动电路的控制端连接地址译码电路，读出驱动电路的输出端连接读出位线。
读写存储装置

[发明专利]电路仿真数据搜集方法、系统、介质及电子设备-CN202310826640.7在审
发明人：李明珍;马亚奇;季金华;刘湖云;刘金陈 -专利权人：合芯科技（苏州）有限公司;合芯科技有限公司
申请日： 2023-07-06 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本申请提供一种电路仿真数据搜集方法、系统、介质及电子设备；所述电路仿真数据搜集方法包括：获取搜集分析方式脚本和电路仿真数据集；根据用户需求和搜集分析方式脚本自定义目标配置文件；目标配置文件包括数据搜集指令；调用搜集分析方式脚本解析目标配置文件，以实现基于数据搜集指令从电路仿真数据集中搜集目标数据；目标数据与数据搜集指令相对应；本申请通过编写一套适用所有仿真数据搜集的搜集分析方式脚本，及根据用户需求自定义目标配置文件，能够满足用户的多种不同需求；当用户的需求发生改变时，不需要修改或者重新编写对应的功能脚本去实现相应的搜集及分析功能，节省了人力，且提高了仿真数据搜集的效率。
电路仿真数据搜集方法系统介质电子设备

[发明专利]一种时钟信号占空比调节电路-CN202310847123.8在审
发明人： 刘湖云;郑君华;马亚奇 -专利权人：合芯科技（苏州）有限公司;合芯科技有限公司
申请日： 2023-07-11 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H03K5/05 文献下载
摘要：本申请公开了一种时钟信号占空比调节电路，所述电路包括基本模块、调节模块和可选延迟模块，基本模块用于接入初始时钟信号和第一调节信号和第四调节信号以生成输出时钟信号；调节模块用于接入初始时钟信号、使能信号、第二时钟信号和第三调节信号，输出第一调节信号和第四调节信号以对基本模块接收的初始时钟信号进行占空比调节；可选延迟模块用于接入基本模块输出的第二时钟信号，以及根据控制信号进行信号通道选择，并对第二时钟信号进行延时运算后经所选择的信号通道输出第三调节信号并输入调节模块。本申请的时钟信号占空比调节电路架构简单、调节灵活，且能够满足多种占空比调节需求的时钟信号占空比调节电路。
一种时钟信号调节电路

[发明专利]一种具有阻容二极管辅助触发SCR结构的ESD防护器件-CN201710292835.2有效
发明人：梁海莲;刘湖云;顾晓峰 -专利权人：江南大学
申请日： 2017-04-28 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种具有阻容二极管辅助触发SCR结构的ESD防护器件，可用于提高芯片的抗ESD能力。主要由P衬底、N阱、P阱、第一N+注入区、第一P+注入区、第二N+注入区、第三N+注入区、第二P+注入区、第四N+注入区、第三P+注入区、第一多晶硅栅及其覆盖的第一薄栅氧化层和第二多晶硅栅及其覆盖的第二薄栅氧化层构成。在ESD应力作用下，当器件发生齐纳击穿时，一方面可形成由寄生阱电阻、MOS电容和栅控二极管构成的寄生阻容耦合辅助触发路径，以降低器件的触发电压和开启时间，另一方面可形成由一寄生PNP和两NPN构成的两条SCR结构电流泄放路径，以降低典型SCR结构的正反馈程度，提高器件的维持电压。
一种具有二极管辅助触发 scr 结构 esd 防护器件

[发明专利]一种基于SCR结构的双MOS辅助触发的ESD保护器件-CN201711101390.1有效
发明人：梁海莲;刘湖云;顾晓峰;丁盛 -专利权人：江南大学
申请日： 2017-11-10 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种基于SCR结构的双MOS辅助触发的ESD保护器件，可用于片上IC的ESD防护。主要由P衬底、N型埋层、N阱、P阱、漂移区、第一N+注入区、第一P+注入区、第二N+注入区、第三N+注入区、第二P+注入区、第三P+注入区、第四N+注入区、第一多晶硅栅及其覆盖的第一薄栅氧化层和第二多晶硅栅及其覆盖的第二薄栅氧化层构成。在ESD应力作用下，一方面，器件具有栅接地NMOS与PMOS串联的辅助触发路径，既可以降低ESD保护器件的触发电压，又可以提高维持电压，减小ESD保护器件开启后的电压回滞幅度，增强器件的电压箝制能力，另一方面，器件具有位于表面与埋层的双SCR触发路径，可增强器件的ESD鲁棒性。
一种基于 scr 结构 mos 辅助触发 esd 保护器件

[发明专利]一种基于SOI工艺的RC耦合触发双向瞬态电压抑制器-CN201910290550.4有效
发明人：马艺珂;刘湖云;周昕杰;梁海莲 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2019-04-11 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开一种基于SOI工艺的RC耦合触发双向瞬态电压抑制器，属于集成电路技术领域。本发明充分利用RC耦合电路和高掺杂注入区反向击穿电压低的原理降低触发电压，结合SCR结构的ESD鲁棒性强的优点，通过引入横向PNP型BJT，削弱了SCR的正反馈，提高维持电压，增强ESD鲁棒性。利用SOI层寄生参数小，功耗低，抗辐照等优势，进一步提高器件的性能。此外，通过设计器件结构实现全对称，器件可在正、反向ESD应力作用下，形成具有相同电学特性的SCR电流泄放路径，不仅可以减小ESD器件的芯片面积，还可以实现ESD脉冲的双向防护。
一种基于 soi 工艺 rc 耦合触发双向瞬态电压抑制器

[发明专利]一种利用阱分割技术提高低压ESD防护性能的方法-CN201711354718.0有效
发明人：梁海莲;刘湖云;顾晓峰 -专利权人：江南大学
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种利用阱分割技术提高低压ESD防护性能的方法，具体包括阱分割技术和特殊的金属布线方法，可用于提高片上IC低压ESD保护的可靠性，本发明方法实例器件一主要由P衬底、第一N阱、第一P阱、第二P阱、第二N阱、第三P阱、第三N阱、第四P阱、第四N阱、第四P+注入区、第五N+注入区构成。在ESD应力作用下，利用阱分割技术，一方面，可获得二极管串触发SCR的低压ESD保护器件，避免器件内部产生雪崩击穿效应，降低器件的触发电压，另一方面，可大幅降低器件的寄生电容，满足射频IC的ESD保护需求。此外，通过调整器件内部N+注入区和P+注入区位置，改变SCR结构的ESD电流泄放路径，并结合金属布线设计，调节器件的维持电压。
一种利用分割技术提高低压 esd 防护性能方法

[发明专利]一种二极管串辅助触发SCR的双向瞬态电压抑制器-CN201810746126.1有效
发明人：顾晓峰;刘湖云;梁海莲 -专利权人：江南大学
申请日： 2018-07-09 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种二极管串辅助触发SCR的双向瞬态电压抑制器，属于集成电路的静电放电防护及抗浪涌领域，可用于提高片上IC和电路系统的静电放电防护或抗浪涌能力。该双向瞬态电压抑制器主要由P衬底、深N阱、N阱、P阱、第一P+注入区、第一N+注入区、第二P+注入区、第二N+注入区、第三P+注入区、第三N+注入区和金属线构成。该器件通过结合二极管串触发电压低和BJT或SCR结构过电应力的鲁棒性强等优势，使器件在正、反向电学应力作用下，可实现无回滞且鲁棒性强的双向ESD或瞬态浪涌防护。
一种二极管辅助触发 scr 双向瞬态电压抑制器

[发明专利]一种高压双向瞬态电压抑制器-CN201810715229.1有效
发明人：梁海莲;刘湖云;顾晓峰 -专利权人：江南大学
申请日： 2018-07-03 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种高压双向瞬态电压抑制器，属于集成电路的静电放电防护及抗浪涌领域，可用于提高片上IC和电子产品的系统可靠性。主要由P衬底、N型埋层、P阱、第一N型中掺杂区、第二N型中掺杂区、第一N+注入区、第一P+注入区、第二P+注入区、第三P+注入区、第二N+注入区和金属线构成。该器件通过引入高掺杂P+注入区，调节两个N型中掺杂区之间的间距，以及设计中心轴对称的剖面结构，使器件在正、反向电学应力作用下，可形成具有强抗闩锁能力的SCR电流泄放路径，实现双向ESD或瞬态浪涌防护。
一种高压双向瞬态电压抑制器

[发明专利]一种具有类鳍式LDMOS结构的高压ESD保护器件-CN201510953507.3有效
发明人：梁海莲;刘湖云;顾晓峰;丁盛 -专利权人：江南大学
申请日： 2015-12-17 - 公布日： 2018-08-21 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种具有类鳍式LDMOS结构的高压ESD保护器件，可用于片上IC高压ESD保护电路。主要由P衬底、P阱、N阱、第一场氧隔离区、第一P+注入区、第一N+注入区、第一鳍式多晶硅栅、第二N+注入区、第二鳍式多晶硅栅、第三N+注入区、LDMOS多晶硅栅、第二P+注入区、第三鳍式多晶硅栅、第三P+注入区、第四鳍式多晶硅栅、第四P+注入区、第四N+注入区、第二场氧隔离区和第三场氧隔离区构成。该器件在ESD脉冲作用下，器件内部可形成LDMOS‑SCR结构的ESD电流泄放路径、鳍式栅控反偏二极管结构的电流泄放路径、栅接电源PMOS与栅接地NMOS串联结构的电流泄放路径，可降低器件的触发电压、提高维持电压，增强器件的电压箝制能力和ESD鲁棒性，此外，鳍式栅控反偏二极管的设计可提高器件的开启速度。
一种具有类鳍式 ldmos 结构高压 esd 保护器件

[发明专利]一种具有强电压钳制和ESD鲁棒性的嵌入式高压LDMOS‑SCR器件-CN201610137957.X有效
发明人：梁海莲;刘湖云;顾晓峰;丁盛 -专利权人：江南大学
申请日： 2016-03-11 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种具有强电压钳制和ESD鲁棒性的嵌入式高压LDMOS‑SCR器件，可用于高压IC的片上ESD防护。主要由P衬底、P阱、N阱、第一场氧隔离区、第一P+注入区、第二场氧隔离区、第一N+注入区、第一鳍式多晶硅栅、第二N+注入区、第二鳍式多晶硅栅、第三N+注入区、第三鳍式多晶硅栅、多晶硅栅、第四鳍式多晶硅栅、第二P+注入区、第五鳍式多晶硅栅、第三P+注入区、第六鳍式多晶硅栅、第四P+注入区、第三场氧隔离区、第四N+注入区和第四场氧隔离区构成。该器件在ESD脉冲作用下，可形成源端内嵌NMOS叉指结构和漏端内嵌PMOS叉指结构的阻容耦合电流路径和LDMOS‑SCR结构的ESD电流泄放路径，以增强器件的ESD鲁棒性，提高电压钳制能力。
一种具有电压钳制 esd 鲁棒性嵌入式高压 ldmos scr 器件

[实用新型]一种具有阻容二极管辅助触发SCR结构的ESD防护器件-CN201720472036.9有效
发明人：梁海莲;刘湖云;顾晓峰 -专利权人：江南大学
申请日： 2017-04-28 - 公布日： 2017-12-08 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种具有阻容二极管辅助触发SCR结构的ESD防护器件，可用于提高芯片的抗ESD能力。主要由P衬底、N阱、P阱、第一N+注入区、第一P+注入区、第二N+注入区、第三N+注入区、第二P+注入区、第四N+注入区、第三P+注入区、第一多晶硅栅及其覆盖的第一薄栅氧化层和第二多晶硅栅及其覆盖的第二薄栅氧化层构成。在ESD应力作用下，当器件发生齐纳击穿时，一方面可形成由寄生阱电阻、MOS电容和栅控二极管构成的寄生阻容耦合辅助触发路径，以降低器件的触发电压和开启时间，另一方面可形成由一寄生PNP和两NPN构成的两条SCR结构电流泄放路径，以降低典型SCR结构的正反馈程度，提高器件的维持电压。
一种具有二极管辅助触发 scr 结构 esd 防护器件

[实用新型]一种具有强电压钳制和ESD鲁棒性的嵌入式高压LDMOS-SCR器件-CN201620186167.6有效
发明人：梁海莲;刘湖云;顾晓峰;丁盛 -专利权人：江南大学
申请日： 2016-03-11 - 公布日： 2016-07-13 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种具有强电压钳制和ESD鲁棒性的嵌入式高压LDMOS‑SCR器件，可用于高压IC的片上ESD防护。主要由P衬底、P阱、N阱、第一场氧隔离区、第一P+注入区、第二场氧隔离区、第一N+注入区、第一鳍式多晶硅栅、第二N+注入区、第二鳍式多晶硅栅、第三N+注入区、第三鳍式多晶硅栅、多晶硅栅、第四鳍式多晶硅栅、第二P+注入区、第五鳍式多晶硅栅、第三P+注入区、第六鳍式多晶硅栅、第四P+注入区、第三场氧隔离区、第四N+注入区和第四场氧隔离区构成。该器件在ESD脉冲作用下，可形成源端内嵌NMOS叉指结构和漏端内嵌PMOS叉指结构的阻容耦合电流路径和LDMOS‑SCR结构的ESD电流泄放路径，以增强器件的ESD鲁棒性，提高电压钳制能力。
一种具有电压钳制 esd 鲁棒性嵌入式高压 ldmos scr 器件

[实用新型]一种具有类鳍式LDMOS结构的高压ESD保护器件-CN201521063726.6有效
发明人：梁海莲;刘湖云;顾晓峰;丁盛 -专利权人：江南大学
申请日： 2015-12-17 - 公布日： 2016-05-18 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种具有类鳍式LDMOS结构的高压ESD保护器件，可用于片上IC高压ESD保护电路。主要由P衬底、P阱、N阱、第一场氧隔离区、第一P+注入区、第一N+注入区、第一鳍式多晶硅栅、第二N+注入区、第二鳍式多晶硅栅、第三N+注入区、LDMOS多晶硅栅、第二P+注入区、第三鳍式多晶硅栅、第三P+注入区、第四鳍式多晶硅栅、第四P+注入区、第四N+注入区、第二场氧隔离区和第三场氧隔离区构成。该器件在ESD脉冲作用下，器件内部可形成LDMOS-SCR结构的ESD电流泄放路径、鳍式栅控反偏二极管结构的电流泄放路径、栅接电源PMOS与栅接地NMOS串联结构的电流泄放路径，可降低器件的触发电压、提高维持电压，增强器件的电压箝制能力和ESD鲁棒性，此外，鳍式栅控反偏二极管的设计可提高器件的开启速度。
一种具有类鳍式 ldmos 结构高压 esd 保护器件

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