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[发明专利]主动笔、主动笔触控系统及方法-CN201910032126.X有效
发明人：张月圆;李琨;孙辉;凌小涵;丁方强;何培龙 -专利权人：合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2019-01-14 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： G06F3/0354 文献下载
摘要：本发明公开一种主动笔、主动笔触控系统及方法。该主动笔的一具体实施方式包括：主动笔本体和设置于主动笔本体的笔身中的主信号发生器及数据处理器，还包括设置于主动笔本体的笔身中的多个辅信号发生器；数据处理器，用于根据与主动笔配合使用的触摸屏分别基于各辅信号发生器发射的信号所反馈的电容变化量及坐标值计算得到第一补偿值，并根据第一补偿值对触摸屏基于主信号发生器发射的信号所反馈的电容变化量及坐标值进行补偿，根据补偿后得到的电容变化量及坐标值获得触控位置信息。该实施方式可实现高精度抗干扰的主动笔触控。
主动笔触系统方法

[发明专利]触摸位置的识别方法、装置及存储介质-CN201910438081.6有效
发明人：詹一飞;陈成;胡宇飞;侯友山;凌小涵 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司
申请日： 2019-05-24 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： G06F3/044 文献下载
摘要：本申请提出一种触摸位置的识别方法、装置及存储介质，属于电子技术领域。其中，该方法包括：获取多个触摸区域；获取每个触摸区域对应的中心位置的坐标；获取每个触摸区域中以中心位置所在列为对称轴的，多组对称位置对应的触控识别单元的触摸信号值；根据每组对称位置对应的两个触控识别单元的触摸信号值的差值，确定至少一个手指触摸区域；根据至少一个手指触摸区域，生成手指触摸位置。由此，通过这种触摸位置的识别方法，可以准确识别多个手指触摸位置，提高了触摸位置识别准确率，改善了用户体验。
触摸位置识别方法装置存储介质

[发明专利]一种显示面板和显示装置-CN201910109585.3有效
发明人：詹一飞;陈成;胡宇飞;凌小涵 -专利权人：合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2019-02-11 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： G02F1/1343 文献下载
摘要：本发明涉及显示技术领域，公开一种显示面板和显示装置，目的是提供一种对显示面板厚度和亮度影响较小的防窥显示装置。显示面板包括第一基板、对向基板，设置于第一基板和对向基板之间的液晶层，第一基板包括第一衬底、设置于第一衬底朝向对向基板一侧的第一公共电极和像素电极；对向基板包括第二衬底、设置于第二衬底朝向第一基板一侧的第二公共电极；液晶层包括平面转换型液晶和扭曲向列型液晶；第一显示状态下，第一公共电极与像素电极配合形成第一电场，平面转换型液晶在第一电场的作用下发生翻转、以实现显示；第二显示状态下，第二公共电极与像素电极配合形成第二电场，扭曲向列型液晶在第二电场的作用下发生翻转、以实现显示。
一种显示面板显示装置

[发明专利]公共电压生成电路及生成方法、显示装置-CN201810019046.6有效
发明人：詹一飞;张大宇;凌小涵 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司
申请日： 2018-01-09 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：本发明提供一种公共电压生成电路及生成方法、显示装置，属于显示技术领域，其可解决现有的公共电压生成电路在电源上电后，所生成的公共电压存在尖峰跳动的问题。本发明的公共电压生成电路，包括：初始公共电压生成模块，用于根据所接收的外部脉冲调制信号，生成以接地电源电压和正向电源电压为基准的初始公共电压；公共电压调节模块，用于根据所述初始公共电压，生成以接地电源电压和负向电源电压为基准的公共电压。
公共电压生成电路方法显示装置

[发明专利]显示装置、像素电路及其驱动方法、驱动装置-CN201710972270.2有效
发明人：李琨;张大宇;詹一飞;凌小涵 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司
申请日： 2017-10-18 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种显示装置、像素电路及其驱动方法、驱动装置，所述驱动方法包括以下步骤：在画面显示的连续X帧构成的帧序列，以第一预设方式输出栅极信号和数据信号至像素电路；在画面显示的与连续X帧构成的帧序列相邻的连续Y帧构成的帧序列，以第二预设方式输出栅极信号和数据信号至像素电路，其中，第一预设方式与第二预设方式不同，X、Y为不低于2的正整数。该方法通过在画面显示的相邻几帧采用相同的驱动方式，并在随后的几帧采用另外一种相同的驱动方式，来使像素电路的充电时间在空间上达到平衡，从而有效改善行间亮暗差异即横纹的问题，有效提高了画面的显示品质，而且方法简单易行，可靠性高。
显示装置像素电路及其驱动方法装置

[实用新型]一种残影消除电路、显示装置及其驱动电路-CN201820015523.7有效
发明人：李琨;张大宇;凌小涵;刘锋 -专利权人：合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2018-01-02 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供一种残影消除电路、显示装置及其驱动电路，涉及显示技术领域，用于解决TFT‑LCD关机残影的问题。该残影消除电路包括比较模块、拉高模块和拉低模块，比较模块用于比较背光输入电压端和参考电压端的电压大小，并将比较结果输出至控制节点；拉高模块用于在控制节点的控制下，将信号输出端的电位拉高至第一电压端的电位；拉低模块用于在控制节点的控制下，将信号输出端的电位低至第二电压端的电位；其中，显示面板的逻辑输入电压端向第一电压端提供信号。
电位残影消除电路控制节点比较模块驱动电路显示装置信号输出电压端背光本实用新型输入电压端参考电压关机残影逻辑输入显示面板输出

[实用新型]涂布设备-CN201621156305.2有效
发明人：刘颖;凌小涵;许安龙;钱志禹;申昌权 -专利权人：合肥京东方显示技术有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2016-10-24 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： B05C5/02 文献下载
摘要：一种涂布设备，其包括：可沿第一方向运动并进行涂布的涂布器，涂布器包括涂覆头以及涂覆头移动机构，涂覆头移动机构被配置为使涂覆头在与第一方向相交的平面内运动并使涂覆头在与第一方向相交的平面内转动。该涂布设备是一种可切换一体化设备，可利用一个涂布器应对正面涂布、背面涂布以及侧边密封三种不同工艺，从而可节省设备成本，提高设备利用率。
布设

[发明专利]一种半导体激光器腔面镀膜陪片及使用-CN201410505751.9在审
发明人：崔碧峰;何新;凌小涵;刘梦涵 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2014-09-26 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： H01S5/10 文献下载
摘要：一种半导体激光器腔面镀膜陪片，属于半导体激光器工艺技术领域。当前国内外所使用的镀膜陪片都是按照正式片尺寸制作的，本发明所提出的半导体激光器腔面镀膜陪片为单面工字型，另一面仍保持与正式片一样的尺寸。本发明设计精巧，易于加工，实用简单，操作方便，降低了镀膜后因膜层粘连所带来的分离难度，并且减小了半导体激光器腔面薄膜的损伤度，提高了半导体激光器的可靠性。
一种半导体激光器镀膜使用

[发明专利]一种P型金属电极制备焊料的半导体激光器-CN201410323169.0在审
发明人：崔碧峰;刘梦涵;凌小涵;何新 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2014-07-08 - 公布日： 2014-10-15 - 主分类号： H01S5/02 文献下载
摘要：一种P型金属电极制备焊料的半导体激光器属于半导体光电子技术领域。本发明的提出是为了解决倒装焊时，半导体激光器管芯与热沉之间由于共熔性差导致的焊层内部存在空隙、焊接不牢等问题。本发明涉及的半导体激光器关键结构在于在P型金属电极上制备Au-Sn焊料层。该Au-Sn焊料层有两种结构，一种是Au、Sn分层结构，另一种是Au-Sn合金结构，两种结构中Au、Sn的质量比均为80:20。本发明提高了焊接质量，延长了器件的寿命，对于器件长期高可靠性工作十分有利。
一种金属电极制备焊料半导体激光器

[发明专利]一种双波长输出光混频产生太赫兹波的半导体激光器及制造方法-CN201310530203.7在审
发明人：崔碧峰;凌小涵;张松;王晓玲 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2013-10-31 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： H01S5/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种双波长输出光混频产生太赫兹波的半导体激光器及制造方法。该半导体激光器包括衬底、下限制层Ⅰ、下波导层Ⅰ、有源层Ⅰ、上波导层Ⅰ、上限制层Ⅰ、再生机构、下限制层Ⅱ、下波导层Ⅱ、有源层Ⅱ、上波导层Ⅱ、电流阻挡层、上限制层Ⅱ、P型欧姆接触层构成的半导体激光器外延结构。其中沿半导体激光器纵轴两侧，用湿法氧化法或质子轰击的方法，形成一层电流阻挡层，有效地抑制了有源区Ⅱ的电流扩展效应。本发明双波长输出的光混频产生的太赫兹波较方便、易实现且经过光腔耦合输出的光是同轴的，实现了同步控制；同轴双波长半导体激光器源使得太赫兹源结构简单、成本降低、连续输出功率大且能在室温下工作。
一种波长输出混频产生赫兹半导体激光器制造方法

[发明专利]一种具有新型近腔面电流非注入区结构的半导体激光器及制造方法-CN201310493175.6有效
发明人：崔碧峰;王晓玲;张松;凌小涵 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2013-10-20 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有新型近腔面电流非注入区结构的半导体激光器及制造方法，该激光器包括衬底、缓冲层、下限制层、下波导层、具有量子阱结构的有源层、上波导层、第二上限制层、刻蚀停止层、第一上限制层、欧姆接触层、电绝缘介质层、正面电极和背面电极。本发明提高了激光器COD阈值，从而使其在大功率输出时具有高可靠性；同时抑制半导体激光器光束的水平发散角，改善光束质量；使电流注入更集中，转化效率更高；此外，这种半导体激光器制作简单，便于生产。
一种具有新型近腔面电流注入结构半导体激光器制造方法

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