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[发明专利]半导体器件及其制作方法、存储器-CN202211243073.4在审
发明人：金泰均;朴淳秉;全在善;邱云松;邵光速 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-10-11 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开实施例公开了一种半导体器件及其制作方法、存储器，半导体器件包括：多个有源柱；第一栅极结构，位于相邻的两个有源柱之间，覆盖相邻的两个有源柱中的一个的至少部分沟道；第二栅极结构，位于第一栅极结构和相邻的两个有源柱中的另一个之间，覆盖相邻的两个有源柱中的另一个的至少部分沟道；第一隔离结构，位于第一栅极结构和第二栅极结构之间；第二隔离结构，包括：位于第一栅极结构和第一隔离结构之间的第一部分以及位于第二栅极结构和第一隔离结构之间的第二部分；其中，第一部分和第二部分在第一隔离结构下方连接；第三隔离结构，位于第一隔离结构之上；其中，第一隔离结构的介电常数小于第二隔离结构或第三隔离结构的介电常数。
半导体器件及其制作方法存储器

[发明专利]用于电子装置的保护膜以及使用该保护膜的窗组件-CN201880017603.9有效
发明人：金泳均;沈春泽;黄相逸;吴志英;李浩永;全在善;许宰赫 -专利权人：三星电子株式会社;大贤ST株式会社
申请日： 2018-02-19 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： G02B1/14 文献下载
摘要：介绍了一种用于电子装置的保护膜。该保护膜可以包括：可变形的外层，利用合成树脂形成；可变形的改性材料层，与可变形的外层的下表面附着，其中，可变形的改性材料层被构造为响应于接收到的外部刺激而硬化；可变形的内层，利用合成树脂形成，与可变形的改性材料层的下表面附着；以及粘合层，粘合到可变形的内层的下表面。此外，可以根据本公开实施各种实施例。
用于电子装置保护膜以及使用组件

[发明专利]使用真空系统的半导体器件制造设备-CN96102265.5无效
发明人： 全在善;金元永;梁允模;蔡胜基 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 1996-06-06 - 公布日： 2004-09-08 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：提供一种使用真空系统的半导体器件制造设备。在通入气体进气口的预定部分里安装加热源。在排气管的预定部分里安装通气速度控制阀，用于通过控制其开口度控制气体从装料预真空室向泵流动的速度。排气管具有不同直径的主管以降低通气速度。由于避免在装料预真空室中气体的绝热膨胀，所以能够减少凝聚-引起的微粒形成。
使用真空系统半导体器件制造设备

[发明专利]使用真空系统的半导体器件制造设备-CN200310116459.X无效
发明人： 全在善;金元永;梁允模;蔡胜基 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 1996-06-06 - 公布日： 2004-06-02 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：一种半导体器件制造设备，包括：用于制造半导体器件的加工室；用于与上述的加工室连通的许多装料预真空室，用于装传送到上述的加工室的半导体晶片；用于降低上述的许多装料预真空室的压力的泵；使上述的装料预真空室与上述的泵连接的排气管，用来排除上述的装料预真空室的气体，上述的排气管包括许多条支管，每条支管与每个装料预真空室连接，和包含具有预定部分在直径上不同于其余部分的主管，其一端与上述的许多条支管连接而另一端与上述的泵连接；和安装在上述的排气管的预定部分内的阀。
使用真空系统半导体器件制造设备