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[发明专利]一种卷对卷磁控溅射真空镀膜装置-CN201610196820.1有效
发明人：向勇;傅绍英;胡杨;杨小军 -专利权人：成都西沃克真空科技有限公司
申请日： 2016-03-31 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种卷对卷磁控溅射真空镀膜装置，包括：真空腔室，真空腔室中依次设置有放卷辊、冷却辊、收卷辊、定位支架，而定位支架为高度可调的内凹形型支架，包括：支撑机构和内陷机构；其中，支撑机构可随意调整内陷机构和冷却辊的距离，进而随意改变靶基距；内陷机构的内陷面上设置有多个溅射阴极，每个溅射阴极上设置有各自的溅射靶材；每个溅射阴极中的溅射靶材可以相同或者不同。本发明将溅射阴极内置于真空腔内部，并且使用了高度可调的内凹形型支架来调整内陷机构和冷却辊的距离，有利于找出溅射靶材和冷却辊上的待镀膜的基材的最佳镀膜距离，可大大提高沉积速率，提高了溅射镀膜效率和镀膜质量。
一种磁控溅射真空镀膜装置

[发明专利]一种双通道类金刚石碳膜沉积装置-CN201610200281.4有效
发明人：向勇;傅绍英;徐子明;杨小军;孙力 -专利权人：成都西沃克真空科技有限公司
申请日： 2016-03-31 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：本发明涉及镀膜技术领域，尤其涉及一种双通道类金刚石碳膜沉积装置，真空室的上盖与真空室的室底相对，真空室的侧壁连接上盖和室底；阳极靶和阴极靶设置在真空室的内部，阳极靶与阴极靶相对设置，阴极靶位于真空室的室底与阳极靶之间；驱动机构穿过室底与阴极靶相连；第一连接通道和第二连接通道在并联后，串联在抽真空装置和真空室之间，连通抽真空装置与真空室，第一连接通道的直径为第二连接通道的直径的3倍；第一调节阀设置在第一连接通道与真空室连通处；第二调节阀设置在第二连接通道与真空室连通处。本申请通过在抽真空装置与真空室之间设置两个连接通道，通过对两个连接通道的开闭程度的调节，能够精确的控制沉积装置内部气流的均匀性。
一种双通道金刚石沉积装置

[发明专利]一种超高电压真空绝缘装置-CN201610196916.8有效
发明人：徐子明;向勇;傅绍英;沈英东;闫宗楷 -专利权人：成都西沃克真空科技有限公司
申请日： 2016-03-31 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： H01H33/662 文献下载
摘要：本发明公开了一种超高电压真空绝缘装置，其中的真空腔室划分为第一真空腔室和第二真空腔室，第一真空腔室的一端和所述第二真空腔室的一端相通；第一真空腔室的另一端设置有接地端接口；第二真空腔室的另一端设置有高压端接口；并且将接地线接入第一真空腔室，将高压线接入第二真空腔室。另外，第一真空腔室、所述第二真空腔室、所述接地端接口、所述高压端接口、所述高压线外表都采用绝缘材料，并且在所述第二真空腔室中，所述高压线对应腔室内壁设置有绝缘涂层，可以有效地避免高压电在绝缘装置中产生电弧，有效地保证该装置的绝缘性能与寿命。
一种超高电压真空绝缘装置

[发明专利]一种类金刚石碳膜沉积装置-CN201610200561.5有效
发明人：向勇;傅绍英;徐子明;杨小军;闫宗楷 -专利权人：成都西沃克真空科技有限公司
申请日： 2016-03-31 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：本发明涉及镀膜技术领域，尤其涉及一种类金刚石碳膜沉积装置，真空室的上盖与真空室的室底相对，真空室的侧壁连接上盖和室底，以形成一腔室；侧壁上开设有一开口；门体与真空室连接，用于盖设于开口；电场平衡机构可拆卸地连接在开口处的侧壁上，用于补全开口，电场平衡机构呈板状，且，电场平衡机构的尺寸大于等于开口的尺寸；阳极靶和阴极靶设置在真空室的内部，且，阳极靶与阴极靶相对设置，阴极靶位于真空室的室底与阳极靶之间；驱动机构穿过室底与阴极靶相连；抽真空装置与真空室连通。本申请通过在真空室侧壁上的开口处增设电场平衡机构，从而能够保证真空室内的电场平衡。
种类金刚石沉积装置

[发明专利]一种共蒸设备-CN201610283858.2有效
发明人：杨小军;向勇;傅绍英 -专利权人：成都西沃克真空科技有限公司
申请日： 2016-04-29 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： C23C14/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种共蒸设备，其具有一共蒸腔体，共蒸腔体包括腔体底部、和腔体底部对应的腔体顶部、连接腔体底部和腔体顶部的腔体侧壁；腔体顶部设置旋转装置，以带动待镀膜基片旋转；腔体底部设置蒸发电极，以加热蒸发镀膜材料在待镀膜基片上形成镀膜；腔体侧壁设置晶控探头和晶控挡板。晶控挡板阻挡在晶控探头和蒸发电极之间，晶控挡板设置有多个通孔；在蒸发电极加热蒸发镀膜材料对待镀膜基片进行镀膜的同时，使镀膜材料以气相状态穿过通孔沉积在晶控探头上形成镀膜，进而避免晶控探头镀膜过厚而降低灵敏度，能够保证晶控探头测量镀膜厚度的准确性，进而保证其确定待镀膜基片的镀膜厚度的准确性。
一种设备

[发明专利]一种工件装夹夹具-CN201610316743.9有效
发明人：徐子明;傅绍英;向勇;胡杨 -专利权人：成都西沃克真空科技有限公司
申请日： 2016-05-12 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种工件装夹夹具，包括位于溅镀室的腔室底部的底座、底座上的固定轴、处于相邻两个固定轴之间的工件装夹板、工件装夹板上设置的工件装夹孔、位于所述底座和所述溅镀室的腔室底部之间的传动轴；由于每个工件装夹板上的工件装夹孔可同时装夹至少两种不同类型的工件，因此能够同时溅镀不同类型的工件，提高溅镀的效率。
工件装夹工件装夹板底座夹具固定轴溅镀室溅镀腔室传动轴装夹

[发明专利]一种球面靶阴极机构及溅射镀膜装置-CN201610200294.1有效
发明人：徐子明;向勇;傅绍英;闫宗楷;李乐 -专利权人：成都西沃克真空科技有限公司
申请日： 2016-03-31 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种球面靶阴极机构及溅射镀膜装置，本发明的球面靶阴极机构主要是用来对半球面形状的基材进行溅射镀膜，因此，整个球面靶阴极机构的设计都是基于半球面形状的基材而设定的。具体来说，球面靶阴极机构包括水冷座，靶材，磁钢部件。水冷座的安装台外表面为半球形状表面，所述安装台的半球形状表面上对应安装有所述靶材，使得所述靶材形成球面靶；另外，在所述安装台的内部设置有密封体来密封磁钢部件，并且将磁钢部件排列在所述密封体的半球形状内表面上，用来对半球面形状的基材进行溅射镀膜。
球面阴极机构半球形状安装台靶材磁钢基材溅射镀膜装置溅射镀膜球面形状密封体水冷座半球面形状部件排列内部设置内表面密封

[发明专利]一种前开门式类金刚石碳膜沉积装置-CN201610200536.7有效
发明人：向勇;傅绍英;徐子明;孙力 -专利权人：成都西沃克真空科技有限公司
申请日： 2016-03-31 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：本发明涉及镀膜技术领域，尤其涉及一种前开门式类金刚石碳膜沉积装置，包括真空室、门体、阳极靶、阴极靶、驱动机构和抽真空装置；真空室的上盖与真空室的室底相对，真空室的侧壁连接上盖和室底，以形成一腔室；侧壁上开设有一开口；门体与真空室连接，用于盖设于开口；阳极靶和阴极靶设置在真空室的内部，且，阳极靶与阴极靶相对设置，阴极靶位于室底与阳极靶之间；驱动机构穿过室底与阴极靶相连；抽真空装置与真空室连通。本申请在真空室的侧壁上设置门体，在需要清理沉积物垃圾时，打开侧壁上的门体，将真空吸头从真空室的侧壁伸到内部进行清扫，真空吸头不再需要拐弯，易于清理底部的沉积物垃圾，清理彻底，不会污染下一次沉积过程。
真空室阴极靶阳极靶侧壁门体沉积物类金刚石碳膜抽真空装置沉积装置前开门式驱动机构真空吸头上盖开口侧壁连接镀膜技术相对设置垃圾盖设沉积拐弯连通清扫穿过申请污染

[发明专利]一种真空炉-CN201610377867.8有效
发明人：向勇;傅绍英;杨小军 -专利权人：成都西沃克真空科技有限公司
申请日： 2016-05-31 - 公布日： 2018-04-10 - 主分类号： F27B5/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种真空炉，包括真空腔室，其底部设置凹槽型水冷套，凹槽型水冷套的凹槽底部有放置工件的载物台，所述凹槽型水冷套的凹槽侧壁和凹槽底部依次排列的加热组件对该工件进行加热；所述凹槽型水冷套用于冷却所述加热组件；为了冷却工件，在凹槽内还设置有环绕工件的环形制冷部件，其上设置有多个排气孔。本发明通过所述第一气体冷却装置经由所述管道向所述环形制冷部件通入第一冷却气体，并通过所述排气孔排出以冷却所述工件，由于输入到工件处的气体是冷却后的气体，因此比直接输出氮气的冷却时间短，冷却效率要高。
一种真空炉

[发明专利]一种真空炉-CN201610380708.3有效
发明人：向勇;傅绍英;杨小军 -专利权人：成都西沃克真空科技有限公司
申请日： 2016-05-31 - 公布日： 2018-04-10 - 主分类号： F27B5/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种真空炉，包括固定在操作箱的侧壁上的第一真空腔室、固定在操作箱的侧壁上的第二真空腔室、用于盖设第二真空腔室的腔盖。第二真空腔室容置于所述第一真空腔室内部；在第二真空腔室的内部设置有载物台，所述载物台上放置工件；而在所述第二真空腔室的外壁覆盖有密闭的加热腔室，在所述加热腔室内部设置有加热组件，所述加热组件沿所述第二真空腔室的外壁依次排列，用于对所述第二真空腔室进行加热，此结构可将加热组件和工件区分，进而避免加热组件对工件的污染，提高工件的质量。
一种真空炉

[发明专利]一种真空排气台-CN201610201381.9有效
发明人：徐子明;傅绍英;向勇;刘雯;闫宗楷 -专利权人：成都西沃克真空科技有限公司
申请日： 2016-03-31 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： F04B37/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种真空排气台，包括真空室，为中空长条型结构；在真空室上开设有多个第一开口和一个排气口，多个第一开口和排气口分别位于真空室的相对两侧壁；阀门，与真空室的排气口连接，其中，真空室垂直于长方向上的截面面积与阀门的横截面积相等；多个尾管座，分别设置在多个第一开口处，尾管座使工件和真空室密封连接。本发明使真空室垂直于长方向上的截面面积与阀门的横截面积相等，进而使真空室的流导等于抽真空装置的流导，有效的解决了近端工件与远端工件真空度存在差值的问题，使离阀门距离最远的尾管座上的工件，其真空度也能达到超高真空，并且同一批工件的真空度都处于同一数量级。
一种真空排气

[实用新型]一种真空炉-CN201620523344.5有效
发明人：向勇;傅绍英;杨小军 -专利权人：成都西沃克真空科技有限公司
申请日： 2016-05-31 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： F27B5/05 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种真空炉，包括固定在操作箱的侧壁上的第一真空腔室、固定在操作箱的侧壁上的第二真空腔室、盖设第二真空腔室的腔盖。在第二真空腔室的内部设置有载物台，所述载物台上放置工件；而在所述第二真空腔室的外壁覆盖有密闭的加热腔室，在所述加热腔室内部设置有加热组件，所述加热组件沿所述第二真空腔室的外壁依次排列，对所述第二真空腔室进行加热，此结构可将加热组件和工件区分，进而避免加热组件对工件的污染，提高工件的质量。
一种真空炉

[实用新型]一种真空排气台-CN201620261574.9有效
发明人：徐子明;傅绍英;向勇;刘雯;闫宗楷 -专利权人：成都西沃克真空科技有限公司
申请日： 2016-03-31 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： F04B37/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种真空排气台，包括真空室，为中空长条型结构；在真空室上开设有多个第一开口和一个排气口，多个第一开口和排气口分别位于真空室的相对两侧壁；阀门，与真空室的排气口连接，其中，真空室垂直于长方向上的截面面积与阀门的横截面积相等；多个尾管座，分别设置在多个第一开口处，尾管座使工件和真空室密封连接。本实用新型使真空室垂直于长方向上的截面面积与阀门的横截面积相等，进而使真空室的流导等于抽真空装置的流导，有效的解决了近端工件与远端工件真空度存在差值的问题，使离阀门距离最远的尾管座上的工件，其真空度也能达到超高真空，并且同一批工件的真空度都处于同一数量级。
一种真空排气

[实用新型]一种卷对卷磁控溅射真空镀膜装置-CN201620262209.X有效
发明人：向勇;傅绍英;胡杨;杨小军 -专利权人：成都西沃克真空科技有限公司
申请日： 2016-03-31 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种卷对卷磁控溅射真空镀膜装置，包括：真空腔室，真空腔室中依次设置有放卷辊、冷却辊、收卷辊、定位支架，而定位支架为高度可调的内凹形型支架，包括：支撑机构和内陷机构；其中，支撑机构可随意调整内陷机构和冷却辊的距离，进而随意改变靶基距；内陷机构的内陷面上设置有多个溅射阴极，每个溅射阴极上设置有各自的溅射靶材；每个溅射阴极中的溅射靶材可以相同或者不同。本实用新型将溅射阴极内置于真空腔内部，并且使用了高度可调的内凹形型支架来调整内陷机构和冷却辊的距离，有利于找出溅射靶材和冷却辊上的待镀膜的基材的最佳镀膜距离，可大大提高沉积速率，提高了溅射镀膜效率和镀膜质量。
一种磁控溅射真空镀膜装置

[实用新型]一种球面靶阴极机构及溅射镀膜装置-CN201620267221.X有效
发明人：徐子明;向勇;傅绍英;闫宗楷;李乐 -专利权人：成都西沃克真空科技有限公司
申请日： 2016-03-31 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种球面靶阴极机构及溅射镀膜装置，本实用新型的球面靶阴极机构主要是用来对半球面形状的基材进行溅射镀膜，因此，整个球面靶阴极机构的设计都是基于半球面形状的基材而设定的。具体来说，球面靶阴极机构包括水冷座，靶材，磁钢部件。水冷座的安装台外表面为半球形状表面，所述安装台的半球形状表面上对应安装有所述靶材，使得所述靶材形成球面靶；另外，在所述安装台的内部设置有密封体来密封磁钢部件，并且将磁钢部件排列在所述密封体的半球形状内表面上，用来对半球面形状的基材进行溅射镀膜。
一种球面阴极机构溅射镀膜装置

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