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[发明专利]发光二极管结构-CN202010151258.7在审
发明人：陈书伟;倪庆怀;黄国维;郭家彰 -专利权人：隆达电子股份有限公司
申请日： 2020-03-06 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：一种发光二极管结构包括基板、框体、发光二极管芯片以及透光层。框体位于基板上且与基板共同构成一凹部，框体具有20％至40％的光反射率。发光二极管芯片位于凹部内的基板上。透光层填入凹部内以覆盖发光二极管芯片，其中发光二极管芯片的侧面发光强度大于其顶面发光强度。本案的能发光二极管结构能进一步扩大发光角度。
发光二极管结构

[实用新型]管线补偿器-CN202022325906.4有效
发明人：刘玉洲;王方祥;李道松;李海涛;辛双港;高志光;倪庆怀;张明桥;孙立波;王颖 -专利权人：中国石油集团渤海钻探工程有限公司;中国石油天然气集团有限公司
申请日： 2020-10-19 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： F16L27/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种管线补偿器，包括自上而下依次设置的伸缩管、第一油壬螺母、开口锁环、固定管和下接头；固定管顶端设为喇叭口、中部内壁形成有第一环形台阶；伸缩管下部套装在固定管内，其底端设有与第一环形台阶相配合的环形凸台，形成上行限位；开口锁环紧密套装在伸缩管的外侧并内置于固定管的喇叭口内侧，并通过套装在伸缩管外侧且螺纹连接在固定管的顶端外壁上的第一油壬螺母固定；下接头螺纹连接在固定管的底端外壁上，且在螺纹连接处下方设有第二环形台阶，形成下行限位；该管线补偿器结构合理紧凑、使用安全可靠、操作简单方便，使用时可直接通过螺纹连接到原有管线中，缩短施工周期，减少施工成本，消除安全隐患，提高工作效率。
管线补偿

[发明专利]半导体光电元件的制作方法-CN201810510295.5有效
发明人：林俊宇;倪庆怀;陈怡名 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2012-11-12 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体光电元件的制作方法，其包含提供一第一基板、形成一第一半导体外延叠层及一第二半导体外延叠层于第一基板上、提供一第二基板、转移第二半导体外延叠层至第二基板上、切割第一基板以形成一第一半导体光电元件包含上述第一半导体外延叠层、以及切割第二基板以形成一第二半导体光电元件包含上述第二半导体外延叠层。
半导体光电元件制作方法

[发明专利]半导体发光元件及其制作方法-CN201710418059.6有效
发明人：林俊宇;倪庆怀;陈怡名;徐子杰;邱新智;吕志强;林敬倍 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2013-07-03 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体发光元件的制作方法及半导体发光元件。该制作方法包含：提供第一基板；提供半导体外延叠层；提供第一粘着层连接第一基板及半导体外延叠层；图案化半导体外延叠层为多个外延单元并使彼此自第一基板上分离；提供第二基板，具有一表面；转移上述多个第二外延单元至第二基板的表面上；切割第一基板以形成多个第一半导体发光元件以及切割第二基板以形成多个第二半导体发光元件。多个外延单元包含多个第一外延单元和多个第二外延单元。每一第一外延单元具有第一几何形状及第一面积，每一第二外延单元具有第二几何形状及第二面积。第一几何形状与第二几何形状不相同或第一面积与第二面积不相同。
半导体发光元件及其制作方法

[发明专利]一种连续油管冲砂液-CN202010241625.2在审
发明人：张朔;向兆东;张博渊;李旭东;刘德正;张乾;刘晓旭;马超;汪强;倪庆怀;邹春凤 -专利权人：中国石油集团渤海钻探工程有限公司;中国石油天然气集团有限公司
申请日： 2020-03-31 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： E21B21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种连续油管冲砂液，按照质量百分比，包括以下组分和配比：0.1％～0.3％减阻剂、0.5％～1.0％微乳液、0.1％～0.2％助排剂、0.1％～0.2％防膨剂、0.1％～0.2％防垢剂和余量水；本发明的连续油管冲砂液可以有效提高冲砂液携砂性能，润滑性、抗温性能，降低摩阻，降低失水性能。该冲砂液能够在水平井冲砂作业中，显著提高冲砂性能，缩短作业周期，获得较高的经济效益。
一种连续油管冲砂

[实用新型]水平井连续油管自增压旋流冲砂装置-CN201821970994.X有效
发明人：王方祥;刘海超;刘德正;倪庆怀;张博渊;付士慧;王颖;邹春凤;潘振宇;王瑞泓 -专利权人：中国石油集团渤海钻探工程有限公司
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： E21B21/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种水平井连续油管自增压旋流冲砂装置，主要包括：连续油管、自增压短节和旋流喷头。本实用新型提供的水平井连续油管自增压旋流冲砂装置通过自增压和旋流作用喷射沉砂床，并携砂返排。旋流喷头自身无活动密封部件，性能稳定可靠。连续油管自增压旋流冲砂施工连续高效进行，彻底解决冲砂施工过程存在的水力能量不能满足冲砂要求、井下冲砂工具性能不稳定易失效等问题，从而提高了冲砂施工的成功率和作业效率，降低了作业的工程风险，促进冲砂作业稳定、高效的进行。
自增压连续油管旋流冲砂装置水平井本实用新型旋流喷头活动密封部件冲砂工具冲砂作业施工过程水力能量旋流冲砂作业效率沉砂短节返排井下携砂旋流施工成功率喷射

[实用新型]一种油气井冲砂液分离净化装置-CN201821903771.1有效
发明人：张朔;李旭东;张博渊;倪庆怀;刘德正;付士慧;王颖;邹春凤;潘振宇;王瑞泓 -专利权人：中国石油集团渤海钻探工程有限公司
申请日： 2018-11-19 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： E21B21/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及油气井冲砂液分离净化装置，包括固液分离器、油水分离器、振动筛分箱、砂池、蓄水池、水池、油箱；冲砂液经管路进入固液分离器的进水口，经固液分离后液体由排水管进入油水分离器，固体由排砂管进入振动筛分箱；油水分离器出水口与所述水池连接，油水分离器出油口与所述油箱连接，所述振动筛分箱内倾斜设置振动筛，且振动筛分箱顶部设有若干喷淋孔，油砂经喷淋并振动后由振动筛表面进入砂池，油泥及喷淋液进入蓄水池，蓄水池内液体经提升泵再次送入固液分离器进行再次循环处理；本实用新型能提高油田生产的工作效率，达到油、水、泥砂的彻底分离，实现资源的再利用。
油水分离器固液分离器冲砂液筛分箱蓄水池分离净化装置本实用新型油气井振动筛砂池水池油砂排水管工作效率固液分离倾斜设置循环处理油田生产油箱连接出水口出油口进水口排砂管喷淋孔喷淋液提升泵再利用泥砂喷淋油泥油箱送入

[发明专利]半导体光电元件的制作方法-CN201210451045.1有效
发明人：林俊宇;倪庆怀;陈怡名 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2012-11-12 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体光电元件的制作方法，其包含提供一第一基板、形成一第一半导体外延叠层及一第二半导体外延叠层于第一基板上、提供一第二基板、转移第二半导体外延叠层至第二基板上、切割第一基板以形成一第一半导体光电元件包含上述第一半导体外延叠层、以及切割第二基板以形成一第二半导体光电元件包含上述第二半导体外延叠层。 1
半导体外延叠层半导体光电元件第二基板第一基板切割制作

[发明专利]半导体发光元件及其制作方法-CN201380059691.6有效
发明人：林俊宇;倪庆怀;陈怡名;徐子杰;邱新智;吕志强;林敬倍 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2013-07-03 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种半导体发光元件的制作方法及半导体发光元件。该方法包含提供第一基板(20)；提供半导体外延叠层(110)；提供第一粘着层(135)连接第一基板(20)及半导体外延叠层(110)；图案化半导体外延叠层(110)为多个外延单元并使彼此自第一基板(20)上分离；提供第二基板(30)，具有一表面；转移上述多个第二外延单元至第二基板(30)的表面上；切割第一基板(20)以形成多个第一半导体发光元件以及切割第二基板(30)以形成多个第二半导体发光元件。多个外延单元包含多个第一外延单元(201)和多个第二外延单元(202)。每一第一外延单元(201)具有第一几何形状及第一面积，每一第二外延单元(202)具有第二几何形状及第二面积。第一几何形状与第二几何形状不相同或第一面积与第二面积不相同。
半导体发光元件及其制作方法

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