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[实用新型]车辆前部结构-CN202320139602.X有效
发明人：安孙子优大;佐藤宪;近藤武宏;河野裕哉 -专利权人：本田技研工业株式会社
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： B62D25/08 文献下载
摘要：本实用新型提供一种车辆前部结构，可降低碰撞对车辆造成的损害。车辆前部结构包括：两前侧架，分别配置于车辆的左右两侧并沿所述车辆的前后方向延伸；以及安装架，具有固定于所述两前侧架的前固定部及固定于所述两前侧架的后固定部，其中每一所述两前侧架包括挤压部及弯曲变形部，所述挤压部在所述前后方向上位于所述弯曲变形部的前方，当发生碰撞时，所述挤压部被挤压且所述弯曲变形部弯曲变形，所述前固定部位于所述挤压部的后端，所述后固定部设置为在发生碰撞时能够从所述两前侧架脱落。
车辆前部结构

[发明专利]车身前部结构-CN202010908619.8有效
发明人： 佐藤宪;权田圭介;芳贺辉;新田贵志 -专利权人：本田技研工业株式会社
申请日： 2020-09-02 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： B62D25/08 文献下载
摘要：车身前部结构。在一种包括仪表盘面板(10)、附接至所述仪表盘面板的前侧的减震器壳体(18)、以及附接至所述仪表盘面板的部件安装部分加强板(24)的车身前部结构中，仪表盘面板加强板(40、48、50)在所述仪表盘面板的用于车身结构构件的附接部分与所述仪表盘面板的用于所述部件安装部分加强板的附接部分之间延伸，并附接至所述仪表盘面板。所述仪表盘面板加强板在不附接至所述车身结构构件的情况下邻近于所述仪表盘面板的用于所述车身结构构件的所述附接部分或与其重叠，并且具有附接至或邻近于所述部件安装部分加强板的部分(40B)。
车身前部结构

[发明专利]半导体装置用基板、半导体装置及半导体装置用基板的制造方法-CN201780054582.3有效
发明人： 佐藤宪;鹿内洋志;筱宫胜;土屋庆太郎;萩本和德 -专利权人：三垦电气股份有限公司;信越半导体株式会社
申请日： 2017-02-24 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：本发明为一种半导体装置用基板，包含：基板；缓冲层，设置于该基板上且由氮化物半导体所构成；以及装置活性层，设置于该缓冲层上且自氮化物半导体所构成，其中该缓冲层具有：第一区域，含有碳与铁；以及第二区域，于该第一区域上，其铁的平均浓度低于该第一区域，其碳的平均浓度高于该第一区域，其中该第二区域的碳的平均浓度低于该第一区域的铁的平均浓度。由此提供在能抑制纵方向漏电流且抑制装置的高温动作时的横方向漏电流的同时，能抑制电流崩溃现象的半导体装置用基板。
半导体装置用基板制造方法

[发明专利]半导体衬底、半导体装置、半导体衬底的制造方法、以及半导体装置的制造方法-CN201680058423.6有效
发明人：鹿内洋志;佐藤宪;篠宫胜;土屋庆太郎;萩本和德 -专利权人：三垦电气株式会社;信越半导体股份有限公司
申请日： 2016-08-29 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体衬底，其特征在于，具备：基板；缓冲层，其设置于前述基板上并且由氮化物半导体构成；以及，沟道层，其设置于前述缓冲层上并且由氮化物半导体构成；其中，前述缓冲层包含：第一区域，其设置于前述基板侧，所述第一区域的硼浓度比受体元素浓度更高；以及，第二区域，其设置于前述第一区域上，所述第二区域的硼浓度比前述第一区域的硼浓度更低，并且所述第二区域的受体元素浓度比前述第一区域的受体元素浓度更高。由此，提供一种半导体衬底，其能够维持高的纵向耐压并且得到高的凹坑抑制效果。
半导体衬底装置制造方法以及

[发明专利]电子器件用外延基板、电子器件、电子器件用外延基板的制造方法及电子器件的制造方法-CN201580072647.8有效
发明人：萩本和德;篠宫胜;土屋庆太郎;后藤博一;佐藤宪;鹿内洋志 -专利权人：信越半导体股份有限公司;三垦电气株式会社
申请日： 2015-12-18 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：本发明是一种电子器件用外延基板，其具有：硅系基板；AlN初始层，其被设置于该硅系基板上；以及，缓冲层，其被设置于该AlN初始层上；前述AlN初始层的位于前述缓冲层侧的表面的粗糙度Sa为4nm以上。由此，提供了一种电子器件用外延基板，其能够抑制缓冲层构造的V形凹坑，并改善制作电子器件时的纵向漏泄电流特性。
电子器件外延制造方法

[实用新型]车体前部结构-CN202020350798.3有效
发明人：滨野阳一郎;佐藤宪 -专利权人：本田技研工业株式会社
申请日： 2020-03-19 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： B62D21/15 文献下载
摘要：本实用新型提供一种车体前部结构，能够抑制前围板下板在车轮倾斜时受到冲击而产生的变形。车体前部结构包括：侧梁，安装在车体的侧部；前围板下板，安装在所述车体的前部，且具有轮罩部；以及保护件，安装在所述侧梁的前端，且具有延长部，所述保护件的所述延长部从所述侧梁沿着所述前围板下板的所述轮罩部的弯曲面往车辆宽度方向的内侧延伸而成，以在所述车辆宽度方向的内侧覆盖所述前围板下板。
车体前部结构

[发明专利]形状运算装置-CN201580083084.2有效
发明人：高山晃一;藤田浩正;佐藤宪 -专利权人：奥林巴斯株式会社
申请日： 2015-07-15 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： A61B1/00 文献下载
摘要：形状运算装置(10)具有：光检测器(16)，其对使用传感器(12)而获取的波长与光量的关系即光量信息进行检测，该传感器(12)构成为针对与多个被检测部(26)分别对应的波长而检测到的光量根据多个被检测部各自的形状而不同；以及运算部(50)，其根据光量信息进行与多个被检测部各自的形状相关的运算。形状运算装置(10)还具有设定变更部(40A、42、14A)，该设定变更部变更输入给传感器的光的强度、以及光检测器根据从传感器输出的光而生成的电信号中的至少一方的动态范围。
形状运算装置

[发明专利]外延晶片、半导体元件、外延晶片的制造方法、以及半导体元件的制造方法-CN201580064038.8有效
发明人： 佐藤宪;鹿内洋志;后藤博一;篠宫胜;土屋庆太郎;萩本和德 -专利权人：三垦电气株式会社;信越半导体股份有限公司
申请日： 2015-11-06 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供一种外延晶片，其特征在于，具有：硅系基板；第一缓冲层，配置于硅系基板上，具有第一多层结构缓冲区域与第一插入层，前述第一多层结构缓冲区域由AlxGa1‑xN层与AlyGa1‑yN层交互配置而成，前述第一插入层由比AlyGa1‑yN层更厚的AlzGa1‑zN层构成，x>y、x>z，前述第一缓冲层由第一多层结构缓冲区域与第一插入层交互配置而成；第二缓冲层，配置于第一缓冲层上，具有第二多层结构缓冲区域与第二插入层，前述第二多层结构缓冲区域由AlαGa1‑αN层与AlβGa1‑βN层交互配置而成，前述第二插入层由比AlβGa1‑βN层更厚的AlγGa1‑γN层构成，α>β、α>γ，前述第二缓冲层由第二多层结构缓冲区域与第二插入层交互配置而成；以及，通道层，配置于第二缓冲层上，比第二插入层更厚，并且，第二缓冲层的平均铝组成比第一缓冲层的平均铝组成更高。由此，提供一种外延晶片，能够降低晶片的翘曲并抑制发生内部龟裂。
外延晶片半导体元件制造方法以及

[发明专利]半导体基板及半导体元件-CN201580018718.6有效
发明人： 佐藤宪;鹿内洋志;后藤博一;篠宫胜;土屋庆太郎;萩本和德 -专利权人：三垦电气株式会社;信越半导体股份有限公司
申请日： 2015-03-05 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：本发明是一种半导体基板，其具有：基板；所述基板上的缓冲层；高电阻层，其由所述缓冲层上的氮化物系半导体所构成且包含过渡金属和碳；以及，通道层，其由所述高电阻层上的氮化物系半导体所构成；所述半导体基板的特征在于，所述高电阻层具有减少层，所述减少层邻接于所述通道层，并且所述过渡金属浓度是自所述缓冲层侧朝向所述通道层侧减少；并且，碳浓度朝向所述通道层减少的减少率，比所述过渡金属浓度朝向所述通道层减少的减少率更大。由此，提供一种半导体基板，其能够一面降低通道层内的碳浓度和过渡金属浓度，一面谋求高电阻层的通道层侧区域的高电阻化。
半导体元件

[发明专利]汽车车身结构-CN201710228805.5有效
发明人：安在博之;白幡卓也;佐藤宪;田米浩司;缪杰锋 -专利权人：本田技研工业（中国）投资有限公司
申请日： 2017-04-10 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： B62D21/15 文献下载
摘要：本发明提供一种汽车车身结构，其中，下部载荷传递部件(17)具有俯视观察时大致一定的车宽方向宽度(W)，且在形成于前后方向中间部的弯曲部(17c)以朝车宽方向外突出的方式弯曲，在所述弯曲部(17c)的车宽方向内壁形成有沿上下方向延伸的槽部(17d)，并且所述下部载荷传递部件(17)在侧面观察时上壁平坦且下壁以朝下突出的方式弯曲，据此，在所述弯曲部(17c)附近具有最大的上下方向高度(H)，因此，当车辆发生正面碰撞时下部载荷传递部件(17)向车宽方向外侧折弯，防止下部载荷传递部件(17)与路面接触而推高前副车架(18)，据此，能确保发动机、变速器后退的压溃行程。
载荷传递部件车宽方向弯曲部汽车车身结构上下方向延伸变速器俯视观察路面接触前副车架前后方向上下方向外侧折弯正面碰撞中间部槽部内壁上壁下壁压溃发动机平坦侧面观察

[发明专利]半导体基板和半导体元件-CN201580020389.9有效
发明人： 佐藤宪;鹿内洋志;后藤博一;篠宫胜;萩本和德;土屋庆太郎 -专利权人：三垦电气株式会社;信越半导体股份有限公司
申请日： 2015-03-12 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：本发明是一种半导体基板，具有：基板；缓冲层，由所述基板上的含碳的氮化物类半导体构成；高电阻层，由所述缓冲层上的含碳的氮化物类半导体构成；以及，沟道层，由所述高电阻层上的氮化物类半导体构成；所述半导体基板的特征在于，所述高电阻层，具有：第一区域，所述第一区域的碳浓度比所述缓冲层低；以及，第二区域，设置于所述第一区域和所述沟道层之间，并且所述第二区域的碳浓度比所述第一区域高。从而，提供一种半导体基板，能够一边维持高电阻层的高电阻一边提高结晶性，从而来降低漏泄电流，并且也提高被形成在所述半导体基板上的沟道层的结晶性，因而能够抑制沟道层中的电子迁移率的降低和电流坍塌的发生等。
半导体元件

[发明专利]曲率传感器和搭载有该曲率传感器的内窥镜装置-CN201580080507.5有效
发明人：藤田浩正;佐藤宪 -专利权人：奥林巴斯株式会社
申请日： 2015-05-29 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： A61B1/00 文献下载
摘要：多个被检测部(32‑1～32‑m)例如在导光部件(16)的长度方向上的大致相同的部位朝着周向上的不同的朝向而形成。各被检测部包含光学特性变化部件，该光学特性变化部件通过根据导光部件的弯曲量而改变导光部件引导的来自光源(12)的传感器光的光学特性，从而生成具有按照每个被检测部而不同的吸收波长特征区域的光信号。光学特性变化部件是吸收规定的波段的光的、由金属粒子构成的部件，具有与该金属固有的分光吸收光谱不同的特殊分光吸收光谱。在多个被检测部中配置有具有彼此不同的特殊分光吸收光谱的光学特性变化部件，所有光学特性变化部件的特殊分光吸收光谱与传感器光的发光波长区域在至少一部分具有重叠。
曲率传感器搭载内窥镜装置

[发明专利]弯曲信息导出装置、具有弯曲信息导出装置的内窥镜系统、弯曲信息导出方法和记录介质-CN201580079547.8有效
发明人： 佐藤宪;佐佐木靖夫;藤田浩正 -专利权人：奥林巴斯株式会社
申请日： 2015-05-01 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： A61B1/00 文献下载
摘要：弯曲信息导出装置(10)导出表示设置在导光部件(420)中的被检测部组(410)的弯曲方向和弯曲大小的弯曲信息。被检测部组具有在沿着导光部件的长度的相同位置配置的多个被检测部。各被检测部根据弯曲方向和弯曲大小对由导光部件引导的光的强度进行调制。弯曲信息导出装置具有：输入部(190)，其被输入与各被检测部对应的波长的光的检测光量信息；存储部(130)，其存储各被检测部的弯曲系数和强度调制信息、以及表示弯曲系数和强度调制信息与检测光量信息之间的关系的光量信息关系；第1运算部(212)，其根据光量信息和强度调制信息，计算每个被检测部的光量变化信息；以及第2运算部(214)，其根据光量变化信息和弯曲系数，计算被检测部组的弯曲信息。
弯曲信息导出装置具有内窥镜系统方法程序

[发明专利]外延晶圆的制造方法及外延生长用硅系基板-CN201580011736.1有效
发明人：萩本和德;篠宫胜;土屋庆太郎;后藤博一;佐藤宪;鹿内洋志;小林昇一;栗本宏高 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2015-02-10 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明为一种外延晶圆的制造方法，该外延晶圆在硅系基板上具有外延层，该外延晶圆的制造方法的特征在于，在对所述硅系基板的外周部进行平台加工后，使半导体层在所述硅系基板上外延生长。由此，提供一种在硅系基板上具有外延层的外延晶圆的制造方法，该外延晶圆的制造方法能够获得一种完全无裂痕的外延晶圆。
外延制造方法生长用硅系基板

[发明专利]半导体基板的制造方法、半导体元件的制造方法、半导体基板以及半导体元件-CN201580018723.7有效
发明人： 佐藤宪;鹿内洋志;后藤博一;篠宫胜;土屋庆太郎;萩本和德 -专利权人：三垦电气株式会社;信越半导体股份有限公司
申请日： 2015-03-05 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：本发明是一种半导体基板的制造方法，所述半导体基板具有：基板；所述基板上的初始层；高电阻层，其由所述初始层上的氮化物系半导体构成，且包含碳；以及，通道层，其由所述高电阻层上的氮化物系半导体构成；并且，所述半导体基板的制造方法的特征在于，在形成所述高电阻层的步骤中，使对所述半导体基板进行加热的设定温度具有梯度，并且以将高导电层形成开始时的所述设定温度与高电阻层形成结束时的所述设定温度设为不同温度的方式，来形成所述高电阻层。由此，提供一种半导体基板的制造方法，其能够降低高电阻层中的碳浓度的浓度梯度，并且能够将碳浓度设在所期望的值。
半导体制造方法元件以及

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