“任青华”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果39个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种基于掺杂氮化铝薄膜的铁电二极管及其制备方法-CN202310662600.3在审
发明人： 任青华;刘鑫;丁泽新;周群辉;刘宇熙;王楠 -专利权人：上海大学
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明公开一种基于掺杂氮化铝薄膜的铁电二极管及其制备方法，涉及半导体制造技术领域。所述铁电二极管包括：衬底、氧化物绝缘层、底电极、铁电层、顶电极、通孔和钝化保护层；所述通孔包括第一通孔和第二通孔；在所述衬底上生长有所述氧化物绝缘层；所述氧化物绝缘层上沉积有所述底电极；所述底电极的部分区域上生长有所述铁电层；所述铁电层上沉积有所述顶电极；所述顶电极和所述底电极上生长有所述钝化保护层；所述顶电极通过所述第一通孔引出第一引线；所述底电极通过所述第二通孔引出第二引线；所述铁电层采用Al1‑xXxN薄膜。本发明能够提高铁电二极管的存储密度和读写速度。
一种基于掺杂氮化薄膜二极管及其制备方法

[发明专利]基于掺杂氮化铝薄膜的1T1C铁电存储器及其制备方法-CN202310662618.3在审
发明人： 任青华;刘鑫;丁泽新;周群辉;刘宇熙;王楠 -专利权人：上海大学
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H10B53/30 文献下载
摘要：本发明公开一种基于掺杂氮化铝薄膜的1T1C铁电存储器及其制备方法，涉及半导体制造技术领域。所述1T1C铁电存储器包括：氧化物绝缘层、衬底、栅极电极、源极区、漏极区、漏极电极、源极电极、电容底电极、铁电层、电容顶电极、钝化保护层、源极接触点、栅极接触点、漏极接触点、电容底电极接触点和电容顶电极接触点；其中，所述氧化物绝缘层包括第一绝缘区域和第二绝缘区域；本发明能够制备基于Al1‑xXxN的1T1C存储器，提高1T1C铁电存储器的稳定性、可靠性和存储密度。
基于掺杂氮化薄膜 t1c 存储器及其制备方法

[发明专利]一种脉冲发电机供电的晶闸管电源控制系统-CN202011590656.5有效
发明人：李维斌;韩艾玻;任青华;吴一 -专利权人：核工业西南物理研究院
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H02M7/162 文献下载
摘要：本发明属于核聚变脉冲电源控制领域，具体涉及一种脉冲发电机供电的晶闸管电源控制系统，包括实时数据接收模块、增量式PID控制器、晶闸管电源输入电压跟踪控制系统、控制角度限制器、单相桥式二极管整流电路、电压传感器、总电压传感器、触发器和晶闸管电源。通过将晶闸管整流电源交流输入电压引入控制算法中，可以有效减小托卡马克装置脉冲发电机供电时由于发电机输出电压变化引起的电源控制输出波动，减小了输入电压波动时晶闸管电源控制输出的超调量和调节时间；可以应用于化工电解铝等对整流电源输出控制稳定性要求高的工业应用中，可以显著提高整流电源的控制精度和稳定性。
一种脉冲发电机供电晶闸管电源控制系统

[发明专利]一种脉冲发电机组放电同步信号处理系统-CN202111554304.9有效
发明人： 任青华;王英翘;李维斌;王雅丽;吴一 -专利权人：核工业西南物理研究院
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G21B1/21 文献下载
摘要：本发明属于聚变技术领域，具体涉及公开一种脉冲发电机组放电同步信号处理系统，该系统的双Y脉冲发电机G1的电压输出端与高压隔离开关组S1的输入端连接，高压隔离开关组S1的输出端与快速熔断器组F1的输入端连接，快速熔断器组F1的输出端与第一级降压移相变压器组T1的初级线圈连接，第一级降压移相变压器组T1的次级线圈与第二级降压移相变压器T2的初级线圈连接，第二级降压移相变压器T2的次级线圈与信号调理电路组K1的输入端连接，信号调理电路组K1的输出端与信号接收电路组B1的输入端连接。本发明的系统能够解决在脉冲发电机放电时刻，输出电压频率随时间变化，并且多个电源同时工作导致波形发生畸变不能用作同步信号的问题。
一种脉冲发电机组放电同步信号处理系统

[发明专利]高脉冲功率直流电子开关及高脉冲功率双向直流电子开关-CN202310300441.2在审
发明人：王英翘;郑雪;吴一;张潇鹏;姚巨堃;陈宇红;任青华;韩艾玻;陈俊宏;王雅丽;李维斌;姚列英;宣伟民 -专利权人：核工业西南物理研究院
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H03K17/14 文献下载
摘要：本发明公开了高脉冲功率直流电子开关及高脉冲功率双向直流电子开关，涉及电子开关技术领域，其技术方案要点是：包括电力电子半导体元件，第一连接母排、沿竖直方向并列设置的第一母排和第二母排，以及沿水平方向并列设置的汇流母排和元件固定母排，若干电力电子半导体元件沿竖直方向，均匀设置在元件固定母排上，若干第一连接母排沿竖直方向，均匀设置在汇流母排上，汇流母排上的第一连接母排与元件固定母排上的电力电子半导体元件对应连接，汇流母排上端与第一母排连接，元件固定母排下端与第二母排连接。达到减小各电力电子半导体元件位置不同造成的分布参数差，提高各电力电子半导体元件均流性能，和该高脉冲功率直流电子开关通流能力的目的。
脉冲功率直流电子开关双向

[发明专利]一种无环流电抗器的有环流四象限大功率电源电路-CN202310298254.5在审
发明人：王英翘;王雅丽;李维斌;郑雪;任青华;吴一;韩艾玻;张潇鹏;姚巨堃;陈俊宏;陈宇红;姚列英;宣伟民 -专利权人：核工业西南物理研究院
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H02M9/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种无环流电抗器的有环流四象限大功率电源电路，涉及核聚变实验装置，包括发电机、负载组件和若干组成电路，上述组成电路包括：变压器，上述变压器的原边绕组与发电机连接；若干并联的变流器组，上述变流器组与变压器的副边绕组连接；上述负载组件与组成电路连接；上述组成电路包括变压器和变流器组，上述变压器的原边绕组与发电机连接，发电机为组成电路供电，变压器用于进行电压匹配并提供多脉波的移相；上述变压器的副边绕组与变流器组连接，变压器的副边绕组为与之连接的变流器组供电；利用上述变压器的原边绕组和副边绕组的阻抗，降低有环流切换期间的环流幅值，在不设置环流电抗器的情况下，实现有环流四象限运行。
一种环流电抗象限大功率电源电路

[发明专利]变频率同步信号实时追踪处理系统及方法-CN201811606973.4有效
发明人：李维斌;王英翘;任青华;王雅丽;邓茂才;姚列英;宣伟民;陈宇红;邵葵 -专利权人：核工业西南物理研究院
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：本发明属于核聚变技术，具体为变频率同步信号实时追踪处理系统及方法，系统包括数据采集单元、信号实时处理单元、上位机，数据采集单元包括降压变压器和数据采集模块，实时信号处理单元包括数字滤波、频率计算、信号矫正模块、比较器、DO输出模块和晶闸管电源控制系统；采集到电压信号进行逐点滤波计算，将滤波计算得到的值与0比较，判断结果对应的数据是否出现0/1或1/0变化，确定电压信号的半周期和相位延迟角度，实时矫正输出波形确保数字量输出板卡的输出数据与相对应的该通道的输入模拟量的相位一致。本方法及系统能够实现变频率同步信号的实时数据采集，自动跟踪输入同步信号的频率变化，自动进行信号滤波和相位矫正，并输出同步信号。
频率同步信号实时追踪处理系统方法

[发明专利]一种提高柔性PMUT器件性能的结构及其制作方法-CN202211278493.6在审
发明人： 任青华;陈俊虹;刘鑫;丁泽新;周群辉;古元冬 -专利权人：上海大学
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： B06B1/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高柔性PMUT器件性能的结构及其制作方法，包括：压电薄膜结构，粘结层和柔性衬底；压电薄膜结构从上至下依次为：顶电极、压电层、底电极、支撑层和填充层。制作步骤：在刚性PMUT的顶部旋涂保护层并加热固化；将压电薄膜结构与刚性衬底分离，得到压电薄膜结构；对支撑层进行图案化刻蚀，形成通孔；向通孔内填充柔性材料，对支撑层的未刻蚀部分进行柔性材料的旋涂，形成粘结层；将所得结构转移到带有空腔的柔性衬底上；对所得结构进行加热固化；将所得结构浸泡在有机溶液中除去保护层后得到柔性PMUT结构。本发明制作工艺简单，通过柔性材料填充支撑层，增加了PMUT的振动幅值，大幅提升了PMUT器件的性能。
一种提高柔性 pmut 器件性能结构及其制作方法

[发明专利]脉冲高压电源现场控制系统-CN201911210129.4有效
发明人：毛晓惠;李飞镝;王雅丽;杨曦盛;邓长飞;李青;任青华 -专利权人：核工业西南物理研究院
申请日： 2019-12-02 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：本发明属于高压电源领域，具体涉及一种脉冲高压电源现场控制系统，包括上位操作显示设备、控制板卡、接线盒、测量系统和多块电路板，控制板卡接线盒连接，实现数据交互，多块电路板包括多路光转光电路板、光转电电路板、模块状态信号光电接收板、模块控制信号电光发送板，采用全数字式光电信号，将控制高压电源的所有信号，经过多种光‑电转换、光‑光转换、电‑光转换、频‑压转换，并在电源控制程序中，对这些数字信号进行计算，最终完成高压电源的现场控制。具有扩展性强，控制灵活、结构简单清晰、检测方便、安全性能高、成本低等特点。
脉冲高压电源现场控制系统

[发明专利]多套晶闸管脉冲电源同步数字触发系统-CN201811607023.3有效
发明人：李维斌;姚列英;王英翘;宣伟民;任青华;王雅丽;邓茂才;陈宇红;邵葵 -专利权人：核工业西南物理研究院
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： G21B1/21 文献下载
摘要：本发明涉及核聚变技术，具体为一种多套晶闸管脉冲电源同步数字触发系统，包括数据通信输入单元、电源同步触发控制单元、上位机、晶闸管电源负载、中央控制系统；电源同步触发控制单元包括控制数据处理模块、频率追踪和处理模块、故障处理模块、多套电源触发脉冲形成模块、脉冲驱动模块、异步通讯模块；由于使用高性能的板载FPGA设备，通过FPGA本身的40MHz内部时钟为多套晶闸管脉冲电源同步信号处理、触发脉冲形成和故障处理等模块提供了稳定的定时循环时基，确保了多套电源同步信号处理、触发脉冲形成和故障处理等处理处理过程的同步性，进而确保了多套电源控制的同步性和一致性。
晶闸管脉冲电源同步数字触发系统

[发明专利]三维堆叠的半导体纳米线结构及其制备方法-CN201910026963.1有效
发明人：刘强;俞文杰;任青华;陈治西;刘晨鹤;赵兰天;陈玲丽;王曦 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2019-01-11 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种三维堆叠的半导体纳米线结构及其制备方法，包括：在第二半导体衬底上形成周期结构并进行离子注入形成剥离界面；在第一半导体衬底上的绝缘层中形成凹槽，凹槽未贯穿绝缘层；键合周期结构及绝缘层，以形成空腔；进行退火工艺加强键合强度，并使周期结构从剥离界面处剥离，形成顶半导体层；图形化刻蚀所述顶半导体层并选择性去除牺牲层，以形成悬空并横跨于所述凹槽上的半导体纳米线结构。本发明先制作出图形化结构的SOI衬底，该SOI衬底可通过干法刻蚀直接制备镂空且向上堆叠的半导体纳米线，在刻蚀出半导体纳米线时，不需要进行各项同性的湿法腐蚀，可有效避免内凹性空腔的产生。
三维堆叠半导体纳米结构及其制备方法

[发明专利]三维堆叠的环栅晶体管及其制备方法-CN201910027040.8有效
发明人：刘强;俞文杰;任青华;陈治西;刘晨鹤;赵兰天;陈玲丽;王曦 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2019-01-11 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供一种三维堆叠的环栅晶体管及其制备方法，方法包括：1)提供SOI衬底，其绝缘层中形成有凹槽；2)形成悬空并横跨于凹槽上且向上堆叠的半导体纳米线结构；3)对半导体纳米线结构进行圆化及减薄；4)于半导体纳米线表面形成全包围式的栅介质层及栅电极层；5)以栅电极层为掩膜，离子注入以形成源区及漏区；6)去除栅电极层包围以外的栅介质层；7)于源区及漏区形成源电极及漏电极。本发明采用栅电极层作为掩膜进行源区及漏区的自对准注入，可有效提高工艺稳定性以及注入精度。本发明在制备半导体纳米线时，不需要进行各项同性的湿法腐蚀，可有效避免内凹性空腔的产生。本发明可有效提高器件的集成度。
三维堆叠晶体管及其制备方法

[发明专利]环栅晶体管及其制备方法-CN201910027378.3有效
发明人：刘强;俞文杰;任青华;陈治西;刘晨鹤;赵兰天;陈玲丽;王曦 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2019-01-11 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种环栅晶体管及其制备方法，方法包括：1)提供SOI衬底，其绝缘层中形成有凹槽；2)形成悬空并横跨于凹槽上的半导体纳米线结构；3)对半导体纳米线结构进行圆化及减薄；4)于半导体纳米线表面形成全包围式的栅介质层，于栅介质层表面形成栅电极层；5)以栅电极层作为掩膜，进行离子注入工艺以形成源区及漏区；6)去除栅电极层包围以外的栅介质层；7)于源区及漏区形成源电极及漏电极。本发明采用栅电极层作为掩膜进行源区及漏区的自对准注入，可有效提高工艺稳定性以及注入精度，并可有效降低工艺成本。本发明在制备半导体纳米线时，不需要进行各项同性的湿法腐蚀，可有效避免内凹性空腔的产生。
晶体管及其制备方法

[发明专利]三维堆叠的环栅晶体管的制备方法-CN201910027361.8有效
发明人：刘强;俞文杰;任青华;陈治西;刘晨鹤;赵兰天;陈玲丽;王曦 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2019-01-11 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种三维堆叠的环栅晶体管的制备方法，方法包括：1)提供SOI衬底，其绝缘层中形成有凹槽；2)形成悬空并横跨于凹槽上且向上堆叠的半导体纳米线结构；3)对半导体纳米线结构进行圆化及减薄；4)于沟道区表面形成注入阻挡层，其显露源区及漏区的制备区域；5)进行离子注入以形成源区及漏区；6)于半导体纳米线表面形成全包围式的栅介质层及栅电极层，并图形化形成栅极结构；7)形成源电极及漏电极。本发明的环栅晶体管采用后栅工艺制备，可有效提高栅极材料的选择范围，从而实现不同的器件性能要求。本发明在刻蚀半导体纳米线时，不需要进行各项同性的湿法腐蚀，可有效避免内凹性空腔的产生。本发明可有效提高器件的集成度。
三维堆叠晶体管制备方法

[实用新型]一种基于超级电容储能的级联大功率磁体脉冲电源-CN202120714315.8有效
发明人：郑雪;任青华;陈俊宏;韩艾玻;李维斌;夏于洋;吴一 -专利权人：核工业西南物理研究院
申请日： 2021-04-08 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H02M9/04 文献下载
摘要：本实用新型属于电力电子技术领域，具体涉及一种基于超级电容储能的级联大功率磁体脉冲电源。本实用新型包括二极管整流器、限流电阻、开关、超级电容、负载，二极管整流器、超级电容、负载，依次并联连接，二极管整流器一端连接有交流AC，二极管整流器与超级电容的并联电路上设有限流电阻、开关，闭合开关，交流AC向超级电容充电；断开开关，超级电容向负载放电；还包括二极管，二极管并联在超级电容和负载之间。本实用新型结构简单，输出稳定，可模块化生产，成本低，同时可以根据实际需求进行模块扩充，实用价值高，可应用于各种场合。
一种基于超级电容级联大功率磁体脉冲电源

1
2
3
下一页»
尾页
共 39 条