专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果12个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [实用新型]一种综合桥架四通装置-CN202320581275.3有效
  • 郑璐;李申杰;徐路;隋明良;张晓;任心宇;朱治朋;秦亚男 - 中建中新建设工程有限公司
  • 2023-03-23 - 2023-10-20 - H02G3/04
  • 一种综合桥架四通装置,属于机电设备技术领域,包括立方体形的壳体、顶盖、第一隔板、第二隔板、顶盖、弱电走线区、强电走线区、X轴向走线区、Y轴向走线区、连接口、线缆绝缘机构、线缆定位机构及通风散热机构。本新型通过设置线缆定位机构及通过第一隔板和第二隔板在壳体内分区,可避免线缆分布混乱及超容的问题,同时也避免了混敷的问题,避免了线缆之间的相互干扰,通过设置通风散热机构既可以使线缆进一步定位,方便检修,还可确保通风散热效果,避免了散热不畅导致的隐患,另外,本新型降低了线缆检修的难度,工作人员可在拆下壳体后有针对行的快速检修。
  • 一种综合四通装置
  • [发明专利]一种改善温度特性的槽栅DMOS器件-CN202211030621.5在审
  • 任敏;任心宇;吴逸凝;叶昶宇;雷清滢;李泽宏 - 电子科技大学
  • 2022-08-26 - 2022-12-02 - H01L29/78
  • 本发明属于功率半导体技术领域,涉及一种槽栅MOSFET结构,包括金属化漏极、重掺杂第一导电类型半导体衬底、轻掺杂第一导电类型半导体轻掺杂外延层、第一导电类型半导体重掺杂源区I、第一导电类型半导体重掺杂源区II、层间介质、沟槽多晶硅栅电极、平面多晶硅栅电极、金属通孔、栅氧化层、第二导电类型半导体重掺杂接触区、纵向沟道区、横向沟道区、第二导电类型半导体体区;本发明通过在器件内部设计一个无需额外版图面积,也无需更深沟槽深度的横向MOSFET,与纵向沟道串联从而延长沟道长度,从而使迁移率对漏极电流的影响将显著增加,器件能够更早的进入电流负温度特性区域,提高器件的可靠性。
  • 一种改善温度特性dmos器件
  • [发明专利]一种具有非对称沟道的槽栅DMOS器件-CN202211030768.4在审
  • 任敏;任心宇;吴逸凝;雷清滢;叶昶宇;李泽宏 - 电子科技大学
  • 2022-08-26 - 2022-12-02 - H01L29/78
  • 本发明属于功率半导体技术领域,涉及一种具有非对称沟道的槽栅DMOS器件,其元胞结构包括金属化漏极、位于金属化漏极之上的重掺杂第一导电类型半导体衬底、位于第一导电类型半导体衬底之上的轻掺杂第一导电类型半导体轻掺杂外延层;位于所述轻掺杂第一导电类型半导体轻掺杂外延层之上的第二导电类型半导体体区;本发明通过采用非对称的结构,在多晶硅栅的一侧形成垂直沟道,另一侧形成L型的沟道,使载流子流经的沟道区更长,迁移率对漏极电流温度系数的影响增大,从而更早的使器件进入电流负温度特性区间,降低器件漏极电流的零温度点。此外还可以通过调整L型沟道和垂直沟道的比例,来改变器件的沟道电阻。
  • 一种具有对称沟道dmos器件
  • [发明专利]一种槽栅DMOS器件-CN202211030511.9在审
  • 任敏;任心宇;雷清滢;叶昶宇;吴逸凝;李泽宏 - 电子科技大学
  • 2022-08-26 - 2022-11-11 - H01L29/78
  • 本发明属于功率半导体技术领域,涉及一种槽栅MOSFET结构,包括金属化漏极、位于金属化漏极之上的重掺杂第一导电类型半导体衬底、位于第一导电类型半导体衬底之上的轻掺杂第一导电类型半导体轻掺杂外延层;位于所述轻掺杂第一导电类型半导体轻掺杂外延层之上的第二导电类型半导体体区;本发明通过将沟道分为两个不同掺杂浓度部分的方法,既增加了沟道的长度,使迁移率对漏极电流温度系数的影响增大,从而更早的使器件进入电流负温度特性区间,降低器件漏极电流的零温度点,使器件更早的进入电流负温度特性区域,提高低压DMOS在小电流下的稳定性,又尽可能的减小沟道的电阻。
  • 一种dmos器件
  • [实用新型]一种便利型展示框架-CN202122161197.5有效
  • 徐路;陆青军;邱祥;任心宇;刘新宇;孟超 - 中建中新建设工程有限公司
  • 2021-09-08 - 2022-04-05 - G09F15/00
  • 一种便利型展示框架,涉及展示框架技术领域,包括方形展示框、分别固定设于方形展示框2个侧边的外侧表面上下部的固定螺栓,4个固定螺栓呈矩阵分布,所述的固定螺栓的栓帽外侧焊接有挂耳,所述的挂耳的背面设有与挂耳形状相同的环形磁铁,所述的环形磁铁的后端面与方形展示框的后端面齐平或向后凸出于方形展示框的后端面。本新型结构简单、使用方便,简化了海报的固定以及展示框的悬挂工序,同时适用于磁性吸附以及挂耳悬挂两种形式,在挂耳悬挂中,本新型可选择任一同行或同列的2个挂耳进行悬挂,从而使海报无需分辨标题位置即可直接进行固定。
  • 一种便利展示框架
  • [实用新型]一种可吸附式磁性框架-CN202122161785.9有效
  • 李磊;包妍;顾召强;刘新宇;王赫;任心宇;高磊 - 中建中新建设工程有限公司
  • 2021-09-08 - 2022-03-15 - G09F15/00
  • 一种可吸附式磁性框架,涉及展示框架技术领域,包括U形框架、插接于U形框架顶端的顶边框,所述的U型框架和顶边框构成方形展示框,所述的方形展示框的内壁表面开设有用于插入海报并对海报限位的卡槽,在方形展示框的任一边内部均嵌设有用于将方形展示框吸附在铁质结构上的磁铁,方形展示框各个边的的卡槽相互连通,并构成闭合的槽结构,在侧边的卡槽的顶部渐进变宽形成让位槽。本新型方便于在含铁白板及含铁构件表面进行展示,并可快速对海报进行定位。
  • 一种吸附磁性框架
  • [实用新型]一种方便移动的展示装置-CN202122161804.8有效
  • 徐路;成腾;孟超;李磊;任心宇;王赫;邱祥 - 中建中新建设工程有限公司
  • 2021-09-08 - 2022-03-15 - B43L1/00
  • 一种方便移动的展示装置,涉及办公用品技术领域,包括上端敞口的收纳箱、固定设于收纳箱内底部且通过电动推杆驱动的剪式举升机、固定设于举升机顶端的托板以及固定设于托板顶端的可折叠白板机构,所述的收纳箱的外表面设有举升机操控按钮,底部设有行走轮,当举升机处于完全收缩状态时,可折叠白板机构容置于收纳箱内,当举升机处于伸展状态时,可折叠白板机构伸出收纳箱。本新型结构简单,能够节省白板占用的空间,且方便移动,能够自由调节白板的面积,使白板充分满足办公需要。
  • 一种方便移动展示装置

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top