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[发明专利]一种石墨纤维及其制备方法-CN201710317637.7有效
发明人：曾凡光;杨卫飞;麻华丽;霍海波;张继宣;许坤;陈雷明;张坤;乔淑珍 -专利权人：郑州航空工业管理学院
申请日： 2017-05-08 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： D01F9/127 文献下载
摘要：本发明涉及一种石墨纤维及其制备方法，在无催化剂条件下采用气相沉积的方法直接生长单体纤维石墨纤维，所得产物纯度大于99.99%；外观呈笔直的细丝状，直径范围为0.1~50μm，长度范围为3~100mm；产物之间大体平行；顶端均具有半球形封盖，纤维内部为实心；拉曼光谱显示该石墨纤维G峰强度大于D峰；石墨纤维在可见光照射下有金属光泽，电阻率与石墨相当；该石墨纤维采用石英片作为基片，以氩气和氢气作为载流气体，甲烷作为碳源，通过基片清洗、装炉、气相沉积生长、取样的步骤制备。本方法制备的石墨纤维的特殊形态和物性，在用于制作真空电子学器件，如冷场发射电子枪灯丝时，可保证器件之间的性能一致性。
石墨纤维制备气相沉积无催化剂条件电子枪灯丝可见光照射性能一致性真空电子学产物纯度单体纤维基片清洗金属光泽拉曼光谱纤维内部载流气体直接生长氢气物性氩气半球形电阻率石英片细丝状石墨甲烷封盖取样装炉平行发射生长制作保证

[发明专利]一种新型碳纳米管场发射冷阴极及其制造方法-CN201110263734.5无效
发明人：曾凡光;麻华丽;陈雷明;田硕;茹意;张天夏;乔淑珍;张锐 -专利权人：郑州航空工业管理学院
申请日： 2011-09-07 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： H01J1/304 文献下载
摘要：本发明提出一种新型碳纳米管场发射冷阴极及其制造方法，所述新型碳纳米管场发射冷阴极包括带有表面立体微结构阵列的硅基底，在硅基底之上制备的金属功能层，以及在金属功能层上面生长的碳纳米管薄膜。所述方法是把传统的平面型碳纳米管生长工艺改为立体生长工艺，即采用微加工技术在碳纳米管生长基底表面制作出立体微结构，并在立体微结构表面制作单组分或复合金属功能层，使碳纳米管薄膜生长在立体微结构表面的金属功能层衬底上，在不增加阴极尺寸的条件下增加了阴极的发射区域面积，同时利用立体微结构抑制电场屏蔽效应，从而可获得更大的发射电流，并通过金属功能层改善碳纳米管和导电衬底的接触性能，使场发射可靠性和稳定性得到提高。
一种新型纳米发射阴极及其制造方法