[发明专利]一种新型碳纳米管场发射冷阴极及其制造方法无效
| 申请号： | 201110263734.5 | 申请日： | 2011-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN102324351A | 公开（公告）日： | 2012-01-18 |
| 发明（设计）人： | 曾凡光;麻华丽;陈雷明;田硕;茹意;张天夏;乔淑珍;张锐 | 申请（专利权）人： | 郑州航空工业管理学院 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J9/02 |
| 代理公司： | 郑州联科专利事务所(普通合伙) 41104 | 代理人： | 刘建芳;马柯柯 |
| 地址： | 450015 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出一种新型碳纳米管场发射冷阴极及其制造方法，所述新型碳纳米管场发射冷阴极包括带有表面立体微结构阵列的硅基底，在硅基底之上制备的金属功能层，以及在金属功能层上面生长的碳纳米管薄膜。所述方法是把传统的平面型碳纳米管生长工艺改为立体生长工艺，即采用微加工技术在碳纳米管生长基底表面制作出立体微结构，并在立体微结构表面制作单组分或复合金属功能层，使碳纳米管薄膜生长在立体微结构表面的金属功能层衬底上，在不增加阴极尺寸的条件下增加了阴极的发射区域面积，同时利用立体微结构抑制电场屏蔽效应，从而可获得更大的发射电流，并通过金属功能层改善碳纳米管和导电衬底的接触性能，使场发射可靠性和稳定性得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 纳米 发射 阴极 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种新型碳纳米管场发射冷阴极，其特征在于：包括带有表面立体微结构阵列的硅基底，在硅基底之上制备的金属功能层，以及在金属功能层上面生长的碳纳米管薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于郑州航空工业管理学院，未经郑州航空工业管理学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110263734.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
