专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]旋转检测装置-CN201610653505.7有效
  • 上田国博;平林启 - TDK株式会社
  • 2016-08-10 - 2019-10-11 - G01P13/04
  • 即使在旋转体中的多个检测对象的间隔存在偏差的情况、特别是这样的旋转体高速旋转的情况下也能够正确地检测旋转方向的旋转检测装置,具备:第1~第N传感器元件,与在正转方向以及反转方向上能够旋转的旋转体相对且沿着该能够旋转方向按顺序被并排设置并且根据旋转体的旋转分别输出第1~第N(N≥3)传感器信号;旋转方向检测部,根据从各个传感器元件输出的各个传感器信号检测旋转体的旋转方向;旋转方向检测部根据从第1传感器信号以及第M(3≤M≤N)传感器信号获得的第1差动信号、以及从第1传感器信号以及第L(2≤L≤M‑1)传感器信号获得的第2差动信号检测旋转体的旋转方向。
  • 旋转检测装置
  • [发明专利]磁传感器及磁性编码器-CN201610108583.9有效
  • 上田国博;沟口义之;山崎宽史;渡边克 - TDK株式会社
  • 2016-02-26 - 2019-08-09 - G01R33/09
  • 本发明提供一种磁传感器及磁性编码器,其具有被要求各不相同的响应特性的两种磁阻效应元件,能够一同提高各磁阻效应元件所要求的不同的响应特性。磁传感器(1)具备可检测外部磁场的第一及第二磁阻效应元件(31,41),第一及第二磁阻效应元件是包含磁化方向根据外部磁场而变化的自由层(315,415)的多层的层叠体,从层叠方向上方分别观察第一及第二磁阻效应元件时的形状各不相同,第一磁阻效应元件具有可使相对于外部磁场的变化的第一磁阻效应元件的输出的斜率增大的形状,第二磁阻效应元件具有可使相对于外部磁场的变化的第二磁阻效应元件的输出的斜率比第一磁阻效应元件的输出的斜率小的形状。
  • 传感器磁性编码器
  • [发明专利]磁传感器装置-CN201610698390.3有效
  • 和田善光;上田国博 - TDK株式会社
  • 2016-08-19 - 2019-03-12 - H01L43/08
  • 本发明提供一种即使应力由于工作时的发热等而相对于磁传感器芯片被施加的时候也能够防止检测误差增大的磁传感器装置(1),其具备:俯视图为方形状的磁传感器芯片(2)、具有搭载磁传感器芯片(2)的搭载面(41)的裸片垫(die pad)(4);在裸片垫(4)上,在与搭载于搭载面(41)的磁传感器芯片(2)的4个角部(21)分别重叠的位置上形成有开口部(43),相对于裸片垫(4)面积的开口部(43)面积之比为20%以上,在裸片垫(4)的俯视图中磁传感器芯片(2)与开口部(43)的重叠部分的面积相对于开口部(43)面积为40%以上。
  • 传感器装置
  • [发明专利]位移检测装置和角速度检测装置-CN201710061295.7在审
  • 梅原刚;平林启;上田国博;内田圭祐 - TDK株式会社
  • 2017-01-25 - 2017-08-29 - G01D5/14
  • 本发明的位移检测装置具备第一传感器;第二传感器;物体,包含周期排列在第一方向上的第一区域和第二区域,并且在第一方向上相对于第一传感器和第二传感器位移;以及运算单元。第一传感器检测伴随物体的位移的第一磁场变化,并且将检测出的第一磁场变化作为第一信号输出;第二传感器检测伴随物体的位移的第二磁场变化,并且将检测出的第二磁场变化作为第二信号输出,第二信号与第一信号相位不同;运算单元根据第一信号和第二信号,在将物体发生相当于连续的第一区域与第二区域的合计的物体的位移量的位移所需的时间作为1周期时,在每个该1周期中多次算出物体在第一方向上的位移量。
  • 位移检测装置角速度
  • [发明专利]磁传感器及磁性编码器-CN201610108432.3在审
  • 上田国博;沟口义之;山崎宽史;渡边克 - TDK株式会社
  • 2016-02-26 - 2016-10-12 - G01R33/09
  • 本发明提供一种磁传感器及磁性编码器,具有被要求各不相同的响应特性的两种磁阻效应元件,能够一同提高各磁阻效应元件所要求的不同的响应特性。磁传感器1具备可检测外部磁场的第一及第二磁阻效应元件(31,41),第一及第二磁阻效应元件分别至少包含磁化方向随着外部磁场而变化的磁化方向变化层(315,415),第一磁阻效应元件的磁化方向变化层的初始磁化方向上的磁化方向变化层(315)的宽度W1、和第二磁阻效应元件的磁化方向变化层的初始磁化方向上的磁化方向变化层(415)的宽度W2具有下式(1)的关系,第一磁阻效应元件相对于外部磁场的灵敏度比第二磁阻效应元件相对于外部磁场的灵敏度高。W1>W2…(1)。
  • 传感器磁性编码器
  • [发明专利]磁头滑块的制造方法-CN200910145687.7有效
  • 上田国博;方宏新;王东 - 新科实业有限公司
  • 2009-05-15 - 2010-11-17 - G11B5/31
  • 本发明提供一种磁头滑块的制造方法,该方法包括:在磁头滑块的空气承载面上形成第一保护膜,磁头滑块形成有写入元件和读取元件中的至少任意一个(步骤S3);在形成了第一保护膜的磁头滑块的空气承载面上形成用于控制磁头滑块的飞行特性的凹凸部(步骤S4);从形成了凹凸部的磁头滑块的空气承载面开始将第一保护膜的一部分除去使该第一保护膜变薄(步骤S5);在变薄后的第一保护膜上形成第二保护膜(步骤S6)。本发明的磁头滑块的制造方法可在磁头滑块上形成抑制膜厚度并且耐腐蚀性优异的保护膜。
  • 磁头制造方法
  • [发明专利]保护膜的形成方法-CN200710196399.5有效
  • 上田国博;方宏新;王东;小西善之;上野智子;冈田繁信 - 新科实业有限公司;株式会社岛津制作所
  • 2007-11-28 - 2009-06-10 - G11B5/255
  • 本发明提供一种耐腐蚀性良好的薄膜保护膜的形成方法,根据该方法可以提供高品质的被保护体。本发明所涉及的在被保护体的至少一部分表面形成保护膜的方法,包括在所述被保护体的表面形成底膜的底膜形成工序及在该底膜上形成类金刚石碳膜的DLC膜形成工序;其中,在所述底膜形成工序中,反复进行在沉积规定膜厚的底膜之后再部分或全部除去该底膜的环节,从而在被保护体的表面多次形成底膜。而且,还包括在进行所述DLC膜形成工序之前进行的在所述形成类金刚石碳膜的底膜表面上形成绝缘层的绝缘层形成工序。
  • 保护膜形成方法
  • [发明专利]具有微纹的磁头的制造方法-CN200610075072.8有效
  • 方宏新;丁宇;马洪涛;上田国博 - 新科实业有限公司
  • 2006-03-31 - 2007-10-03 - G11B5/187
  • 一种具有微纹(micro-texture)的磁头的制造方法,包括如下步骤:(1)提供由复数磁头构成的长形磁条,其中每个磁头包括一个空气支承面及设于其上的极尖区域(pole tip region);(2)在所述每个磁头的极尖区域上形成第一保护膜;(3)蚀刻所述磁头的空气支承面而在其上形成凹凸相间的微纹(micro-texture),所述极尖区域由于第一保护膜的保护而免于被蚀刻;(4)去除覆盖于所述磁头极尖区域上的第一保护膜;(5)在所述磁头的空气支承面上形成第二保护膜。该方法可使磁头的极尖区域在制造过程中不受影响,从而可保证磁头的读写性能,并保证可在磁头的空气支承面及其极尖区域上形成完整的保护膜,从而提高磁头的抗腐蚀性能。
  • 具有磁头制造方法

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