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[发明专利]形状测定装置-CN202280019054.5在审
发明人： 内田圭祐;宅见宗则;加藤尚明 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01B11/24 文献下载
摘要：本公开的形状测定装置(1A)具备光源(2)、照射光学系统(3)、成像光学系统(4)、空间光调制器(5)、聚光光学系统(6)、线性传感器(7)、以及处理部(9A)。照射光学系统(3)使光成为线状而照射于对象物(S)。成像光学系统(4)输入在对象物(S)反射的光而成像。空间光调制器(5)在光调制面设定有一维状的强度调制图案，对输入到光调制面的光进行空间地强度调制而输出。聚光光学系统(6)将从空间光调制器(5)输出的光聚光为线状。线性传感器(7)将由聚光光学系统(6)聚光为线状的光由多个像素受光。处理部(9A)基于强度调制图案和来自线性传感器(7)的输出信号，对线性传感器(7)的多个像素的各个进行利用压缩感测技术的解析。由此，实现能够高精度地再构成对象物的形状的形状测定装置。
形状测定装置

[发明专利]旋转角度检测装置-CN202180076367.X在审
发明人：西口佳孝;田中健;内田圭祐 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G01D5/14 文献下载
摘要：旋转角度检测装置包含第一检测部(210)、第二检测部(230)以及运算部(250)。第一检测部检测与方向盘(101)连动地旋转的转向轴(102)的第一旋转角度。第二检测部检测经由减速机构(302)与转向轴连结的电动机轴(301)的第二旋转角度。运算部从第一检测部输入第一旋转角度，并且从第二检测部输入第二旋转角度，并基于第一旋转角度与第二旋转角度的差角，运算转向轴的舵角。
旋转角度检测装置

[发明专利]光检测装置及光检测方法-CN201880090905.9有效
发明人：松井克宜;杉山行信;宅见宗则;丰田晴义;铃木一隆;中村和浩;内田圭祐 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H04N25/78 文献下载
摘要：光检测装置(1)是检测光的入射位置的光检测装置(1)。光检测装置(1)具备多个像素、多条第1配线、多条第2配线、第1读取部(21)、及第2读取部(31)。多个像素以行列状二维排列，且分别包含第1光感应部及第2光感应部。多条第1配线将多个第1光感应部按每行连接。多条第2配线将多个第2光感应部按每列连接。第1读取部(21)通过多条第1配线的至少一部分读取信号数据。第2读取部(31)通过多条第2配线的至少一部分读取信号数据。第1读取部(21)具有：读取像素设定部(26)，其基于在第1帧读取的信号数据，自多个像素中，设定在第1帧之后的第2帧读取信号数据的像素组。
检测装置方法

[发明专利]位置检测传感器-CN201880060440.2有效
发明人：宅见宗则;丰田晴义;松井克宜;铃木一隆;中村和浩;内田圭祐 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2018-08-21 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： G01J1/02 文献下载
摘要：在位置检测传感器中，在第1像素部入射位置越接近第1像素对组的第2方向上的第1端，第1电信号的强度就越减弱，在第2像素部入射位置越接近第2方向上的第1端，第2电信号的强度就越增强，在第3像素部入射位置越接近第2像素对组的第1方向上的第2端，第3电信号的强度就越减弱，在第4像素部入射位置越接近第1方向上的第2端，第4电信号的强度就越增强。算出部基于第1电信号的强度的累计值和第2电信号的强度的累计值算出第2位置，基于第3电信号的强度的累计值和第4电信号的强度的累计值，算出第1位置。
位置检测传感器

[发明专利]位置检测装置-CN202010504561.0有效
发明人： 内田圭祐;蔡永福 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2020-06-05 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： G01B7/00 文献下载
摘要：位置检测装置具备产生检测对象磁场的磁铁和磁传感器。磁传感器检测检测对象磁场，并且生成对应于磁铁的位置的检测值。检测对象磁场在第一平面内的基准位置上具有在第一平面内变化的第一方向。磁传感器包含4个MR元件。各MR元件包含具有能够在对应于其的第二平面内变化的方向的第一磁化的第一磁性层。第一平面和第二平面形成为90°以外的二面角而交叉。检测值依赖于第一磁化的方向。
位置检测装置

[发明专利]磁传感器及磁传感器系统-CN201910785625.6有效
发明人： 内田圭祐 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2019-08-23 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： G01R33/10 文献下载
摘要：本发明提供一种磁传感器，具备磁场转换部、磁场检测部、以沿着Y方向排列的方式配置的多个屏蔽件。磁场转换部包含多个磁轭。各磁轭具有Y方向上较长的形状，接收与Z方向平行的方向的输入磁场成分，并生成与X方向平行的方向的输出磁场成分。磁场检测部包含多个元件列。各元件列包含沿着一个磁轭且沿着Y方向排列并串联地连接的多个MR元件。各屏蔽件具有Y方向上的最大的尺寸比X方向上的最大的尺寸小的形状。
传感器系统

[发明专利]位置检测传感器-CN201880060467.1有效
发明人：宅见宗则;丰田晴义;松井克宜;铃木一隆;中村和浩;内田圭祐 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2018-08-21 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： G01J1/02 文献下载
摘要：在位置检测传感器中，在第1像素部入射位置越接近第1像素对组的第2方向上的第1端，第1电信号的强度越减弱，在第2像素部入射位置越接近第2方向上的第1端，第2电信号的强度越增强，在第3像素部入射位置越接近第2像素对组的第1方向上的第2端，第3电信号的强度越减弱，在第4像素部入射位置越接近第1方向上的第2端，第4电信号的强度越增强。计算部基于第3电信号的强度和第4电信号的强度对第1位置进行加权，并基于第1电信号的强度和第2电信号的强度对第2位置进行加权。
位置检测传感器

[发明专利]磁传感器-CN201811107870.3有效
发明人： 内田圭祐 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2018-09-21 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： G01R33/06 文献下载
摘要：发明提供一种磁传感器，其通过磁轭检测Z‑轴磁场并增强了精确度，借助该传感器，磁场得到检测。磁传感器具有第一磁场检测元件和软磁性体，该第一磁场检测元件配置在包括第一方向和垂直于第一方向的第二方向的平面内，其中该第一磁场检测元件检测第一方向上的磁场；该软磁性体在第一方向上与第一磁场检测元件相邻。L/W等于或大于10，其中W是软磁性体在第一方向上的长度，L是软磁性体在第二方向上的长度。
传感器

[发明专利]位置检测装置-CN201811284096.3有效
发明人：梅原刚;宫下勇人;内田圭祐;平林启 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： G01B7/00 文献下载
摘要：位置检测装置具备第一位置检测器、第二位置检测器以及信号生成器。第一位置检测器具备第一磁场产生部、第二磁场产生部以及第一磁传感器。第二位置检测器具备第三磁场产生部、第四磁场产生部以及第二磁传感器。第二及第四磁场产生部的位置与检测对象位置的变化相对应地变化。信号生成器生成第一磁传感器生成的第一检测信号和第二磁传感器生成的第二检测信号之和即位置检测信号。第一及第二位置检测器分别具备偏置磁场产生部。
位置检测装置

[发明专利]磁场检测装置-CN201710771480.5有效
发明人：永田真己;渡部司也;内田圭祐;本间康平;平林启 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： G01R33/00 文献下载
摘要：本发明的磁场检测装置具备第一软磁体、第二软磁体和磁场检测元件。第一软磁体和第二软磁体，沿着包括第一方向和与该第一方向正交的第二方向的双方的第一面扩展，并且在与第一方向和第二方向的双方正交的第三方向上对向配置。磁场检测元件在第三方向上设置于第一软磁体与第二软磁体之间。
磁场检测装置

[发明专利]磁传感器及磁传感器系统-CN201811459229.6有效
发明人： 内田圭祐 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：磁传感器具备磁场转换部、磁场检测部以及两个屏蔽。磁场转换部包含多个磁轭。各磁轭具有Y方向上较长的形状，接收输入磁场并产生输出磁场。输入磁场包含与Z方向平行的方向的输入磁场分量和与Y方向平行的方向的磁场分量。输出磁场包含与X方向平行的方向的输出磁场分量。磁场检测部生成与输出磁场分量相应的检测值。各屏蔽具有Y方向上的最大的尺寸比X方向上的最大的尺寸小的形状。
传感器系统

[发明专利]磁传感器及位置检测装置-CN201811157463.3有效
发明人： 内田圭祐;梅原刚;须藤俊英;平林启 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2018-09-30 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： G01R33/06 文献下载
摘要：本发明涉及磁传感器及位置检测装置。位置检测装置具备产生第一磁场的第一磁场产生部、产生第二磁场的第二磁场产生部、磁传感器。第二磁场产生部相对于第一磁场产生部的位置可变化。磁传感器生成与基准平面内的检测位置上的对象磁场的方向对应的检测信号。对象磁场是平行于基准平面的第一及第二磁场各自的成分即第一磁场成分和第二磁场成分的合成磁场。磁传感器具有包含自由层和磁化固定层的磁阻效应元件。在基准平面内，与磁化固定层的磁化的方向正交的两个方向分别与第一磁场成分的方向和第二磁场成分的方向的任一方向均不同。
传感器位置检测装置

[发明专利]位置检测装置-CN201810166482.6有效
发明人： 内田圭祐;平林启 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： G02B7/09 文献下载
摘要：位置检测装置具备产生第1磁场的第1磁场产生部、产生第2磁场的第2磁场产生部、磁传感器。第2磁场产生部其相对于第1磁场产生部的相对位置能够进行变化。磁传感器在检测位置上检测第1磁场与第2磁场的合成磁场，并生成对应于检测的磁场的方向的检测信号。如果相对于第1磁场产生部的第2磁场产生部的相对位置发生变化的话则检测位置上的第2磁场的强度发生变化。在检测位置上，第2磁场的方向相对于第1磁场的方向所成的相对角度大于90°且小于180°。
位置检测装置

[发明专利]磁场检测装置-CN201710770906.5有效
发明人：永田真己;渡部司也;内田圭祐;本间康平;平林启 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： G01R33/02 文献下载
摘要：本发明的磁场检测装置具备第一软磁体和磁场检测元件。第一软磁体具有第一平板部和第一凸部，第一平板部具有包括第一外缘的第一面，第一凸部设置在从第一面中的第一外缘后退的第一配置位置且在第一面的相反侧具有第一前端部。磁场检测元件设置在第一前端部的附近。
磁场检测装置

[发明专利]磁传感器-CN201810940674.8有效
发明人： 内田圭祐;牧野健三 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2018-08-17 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： G01R33/02 文献下载
摘要：本发明提供一种磁传感器，其具备：磁场转换部、磁场检测部、磁性膜。磁场转换部包含磁轭，所述磁轭接受包含平行于Z向的方向的输入磁场成分的输入磁场，产生包含平行于X向的方向的输出磁场成分的输出磁场。磁场检测部包含磁检测元件，所述磁检测元件接受输出磁场，生成对应于输出磁场成分的检测值。磁性膜吸收输出磁场成分以外的磁检测元件具有灵敏度的方向的磁场即噪声磁场的磁通的一部分。
传感器

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