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[发明专利]真空室及基板处理装置-CN202010406402.7有效
发明人：江藤谦次;冈山智彦;龟崎厚治;阿部洋一 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2020-05-14 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本发明公开真空室及基板处理装置。真空室由多个块体沿基板的运送方向配置而构造，其中块体在从运送方向观察时具有环状的开口空间，真空室能够将通过连通多个块体的开口空间而形成的内部空间的气氛切换为大气压气氛和真空气氛，该真空室包括：作为多个块体之一的第一块体；作为多个块体之一的第二块体，具有沿与运送方向交叉的方向延伸且在开口空间的内侧下表面上形成的槽，第二块体通过密封部件连接固定到第一块体；基底部件，沿着槽的延伸方向延伸且嵌合到槽中；和多个基板支撑销，具有支撑端和固定端，支撑端与基板接触，固定端位于支撑端的相反侧且固定到基底部件，多个基板支撑销在真空室的内部支撑基板。
真空处理装置

[发明专利]基板处理装置-CN202010284602.X在审
发明人：江藤谦次;冈山智彦;龟崎厚治;阿部洋一 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2020-04-13 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明的基板处理装置，具备：多段收纳多张基板的卡匣；能够密闭地收纳所述卡匣的腔室；使所述卡匣在所述腔室内升降的升降机构；将所述基板相对于所述卡匣搬出搬入的搬运机器人；以及控制所述升降机构及所述搬运机器人的动作的控制部，在所述腔室的侧面部设置有在将所述基板搬入所述卡匣和从该卡匣搬出时开口的搬出搬入口，所述搬运机器人具备载置所述基板的机械臂，所述机械臂能够在水平方向上移动并从所述搬出搬入口插入所述卡匣内，且能够在所述卡匣内上升或下降，所述控制部在所述卡匣内使所述机械臂下降的情况下，通过所述升降机构使所述卡匣上升，在所述卡匣内使所述机械臂上升的情况下，通过所述升降机构使所述卡匣下降。
处理装置

[发明专利]基板处理装置-CN201910869309.7在审
发明人：江藤谦次;阿部洋一;龟崎厚治 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2019-09-16 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及一种基板处理装置。本发明的基板处理装置具有：以多段方式收纳多张基板的盒；能够密闭地收纳所述盒的腔室；和用于使所述盒在所述腔室内升降的升降机构。所述腔室具有顶棚部、底部和侧部，并且被分割为上腔室和下腔室且以平面状环设有相互成为密封面的凸缘部，所述凸缘部以至少比所述顶棚部更靠下侧的部分成为分割位置的方式倾斜配置。
处理装置

[发明专利]等离子体处理方法及等离子体处理装置-CN201880044714.9在审
发明人：菊池亨;神保洋介;茶谷宏纪;西方靖;龟崎厚治 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2018-06-21 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提高生产率。等离子体处理包含将配置在真空容器内的基板支承台加热至第一温度。在所述基板支承台和与所述基板支承台对置的喷淋板之间使基于第一放电条件的第一等离子体产生，通过所述基板支承台具有的热以及所述第一等离子体加热所述喷淋板。以非接触的方式对所述喷淋板的温度进行监控。在所述喷淋板的温度达到比通过所述基板支承台的热加热的温度高的第二温度之后，从所述喷淋板向所述基板支承台喷射处理气体，在所述基板支承台与所述喷淋板之间使基于第二放电条件的第二等离子体产生，通过所述第二等离子体处理被所述基板支承台支承的基板。
等离子体处理方法装置

[发明专利]基板传送装置-CN201410550430.0有效
发明人：藤井严;龟崎厚治;江藤谦次;佐佐木康次 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2014-10-16 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明提供一种基板传送装置，其能够提高在传送因自重而变形的基板时的基板传送的精确度。本发明的一个实施方式所涉及的基板传送装置(1)具有机械手部(20)、多个定位垫(23a、23b、23c)和至少一个支承垫(24)。机械手部(20)具有用于放置能够因自重而变形的基板(W)的放置面(201)。多个定位垫(23a、23b、23c)以自放置面(201)起的第1高度(H1)支承放置在该放置面(201)上的基板(W)的周缘。至少一个支承垫(24)设置于放置面(201)，其支承放置在该放置面(201)上的基板W的下表面，具有高于第1高度(H1)的第2高度(H2)。
放置面基板基板传送装置机械手部变形的定位垫支承垫支承基板传送下表面传送

[发明专利]真空处理装置、基板和对位掩模的移动方法以及对位方法及成膜方法-CN201180021220.7有效
发明人：加藤裕子;菊池正志;龟崎厚治;冈山智彦;下田圭介 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2011-04-19 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： C23C16/04 文献下载
摘要：本发明提供一种即便不将真空槽内曝露于大气也能够更换对位掩模的真空处理装置。在气体导入装置（12）的下方配置插入有基板升降销（46）、在上下方向中比基板升降销（46）还长的掩模升降销（45）的板（23），在板（23的下方配置有构成为在令与板（23）之间接近至第一距离以下时分别铅直地载置掩模升降销（45）和基板升降销（46）的销支承部件（24）。掩模升降销（45）和基板升降销（46）上设置卡止部件（47），当令板（23）和销支承部件（24）之间为比第一距离还分离的第二距离以上时，令掩模升降销（45）和基板升降销（46）在销支承部件（24）上方从销支承部件（24）离开而被板（23）悬吊。
真空处理装置对位移动方法以及

[发明专利]进行成膜和清洗的真空处理方法-CN201080047047.3有效
发明人：加藤裕子;菊池正志;龟崎厚治;阿部庆子;下田圭介;桧山雅树;阿部智伸;加藤修 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2010-10-15 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：一种真空处理方法，一边对待机状态的处理装置进行清洗处理一边在动作状态的处理装置中以一定间隔对基板进行真空处理。将反复进行一定的处理时间T的真空处理的动作个数m个的动作周期设定为一真空处理的一处理开始时刻各相差T/m，从作为基准的动作条件的连续处理开始时刻开始，令其他的动作周期的连续处理开始时刻每个延迟延迟时间（n·T+T/m）（n为1以上的整数），进行连续处理次数N张的处理，则从动作状态向待机状态变更，与结束了清洗处理的处理装置交接。由于在待机状态中进行清洗处理，所以能够对以长度与时间差T/m相同长度的运入间隔被运入的基板没有迟滞地进行真空处理。
进行清洗真空处理方法

[发明专利]等离子体处理装置-CN201080003989.1无效
发明人：若松贞次;龟崎厚治;菊池正志;神保洋介;江藤谦次;浅利伸;内田宽人 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2010-01-05 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：该等离子体处理装置包括：电极法兰(4)；腔室(2)，具有内壁面(34)；绝缘法兰(31)，配置在所述电极法兰(4)与所述腔室(2)之间；基底部件(3)，具有侧面(32)，并配置在所述腔室(2)内，且载置有基板(10)；RF电源(9)，与所述电极法兰(4)连接，并施加高频电压；以及绝缘部件(41、42)，配置在与所述内壁面(34)对置的所述基底部件(3)的所述侧面(32)以及与所述基底部件(3)的侧面(32)对置的所述内壁面(34)中的至少任意一方。
等离子体处理装置

[发明专利]等离子体处理装置-CN201080004096.9无效
发明人：若松贞次;龟崎厚治;菊池正志;神保洋介;江藤谦次;浅利伸;内田宽人 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2010-01-06 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：该等离子体处理装置包括：基底部件(3)，具有第一基底面(33)、第二基底面(33a)、和基底台阶部(34)；绝缘板(35)，具有从所述第二基底面(33a)到载置于所述第一基底面(33)的基板(10)的上表面(10a)的高度以下的高度，并被配置在所述第二基底面(33a)上，由绝缘物质形成；簇射极板(5)，具有第一簇射面(5a)、第二簇射面(5b)、和簇射台阶部(42)；以及电极掩膜(43)，具有从所述第二簇射面(5b)到所述第一簇射面(5a)的高度以下的高度，以与所述绝缘板(35)对置的方式配置在所述第二簇射面(5b)上，由绝缘物质形成。
等离子体处理装置

[发明专利]等离子体处理装置-CN201080004139.3无效
发明人：若松贞次;龟崎厚治;菊池正志;神保洋介;江藤谦次;浅利伸;内田宽人 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2010-01-08 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：该等离子体处理装置，包括：处理室，由腔室(2)、电极法兰(4)、和绝缘法兰(81)构成，并具有反应室(α)；支撑部(15)，收容在所述反应室(α)内，载置有基板(10)；簇射极板(5)，收容在所述反应室(α)内，以与所述基板(10)对置的方式配置，并向所述基板(101)提供工艺气体；多个气体提供部(8)，被设置在所述电极法兰(4)与所述簇射极板(5)之间的空间(31)内，与多个气体导入口(34)分别连通，并被配置为同心状且环状，且向所述簇射极板(5)独立提供不同组成的所述工艺气体；以及电压施加部(33)，在所述簇射极板(5)与所述支撑部(15)之间施加电压。
等离子体处理装置

[发明专利]等离子体处理装置-CN201080004120.9无效
发明人：若松贞次;龟崎厚治;菊池正志;神保洋介;江藤谦次;浅利伸;内田宽人 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2010-01-07 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：该等离子体处理装置包括：处理室(101)，由具有侧壁(34)的腔室(2)、电极法兰(4)、和被所述腔室(2)与所述电极法兰(4)夹着的绝缘法兰(81)形成，并具有反应室(2a)；支撑部(15)，收容于所述反应室(2a)内，载置有具有处理面(10a)的基板(10)；搬出搬入部(36)，设置于所述腔室(2)的所述侧壁(34)；RF电源(9)，与所述电极法兰(4)连接，并施加高频电压；第一阀门(55)，设置于所述搬出搬入部(36)，并开闭所述搬出搬入部(36)；以及第二阀门(56)，与所述腔室(2)电连接，并具有与所述腔室(2)的内侧面(33)位于同一平面上的面部(56a)。
等离子体处理装置

[发明专利]等离子体处理装置以及等离子体CVD成膜方法-CN201080004140.6无效
发明人：若松贞次;龟崎厚治;菊池正志;神保洋介;江藤谦次;浅利伸;内田宽人 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2010-01-05 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：该等离子体处理装置，包括：处理室(101)，具有反应室(2a)；支撑部(15)，被收容在所述反应室(2a)内，载置有具有处理室(10a)的基板(10)，并控制所述基板(10)的温度；簇射极板(5)，被收容在所述反应室(2a)内，以与所述处理室(10a)对置的方式配置，并向所述基板(10)提供工艺气体；以及压力调整板(51)，将设置在所述电极法兰(4)与所述簇射极板(5)之间的空间(24)分为在气体导入口(42)侧形成的第一空间(24a)与在所述簇射极板(5)侧形成的第二空间(24b)，所述基板(10)与所述簇射极板(5)之间的距离为3mm以上、10mm以下。
等离子体处理装置以及 cvd 方法

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