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[发明专利]SiC基板、SiC外延晶片及其制造方法-CN201910978671.8有效
发明人：西原祯孝;龟井宏二 -专利权人：株式会社力森诺科
申请日： 2019-10-15 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L29/16 文献下载
摘要：提供一种在SiC外延晶片的制造中难以破裂的SiC基板。本发明的SiC基板(1)具备：第1主面(1a)、配置于第1主面(1a)的相反侧的第2主面(1b)及连结于第1主面(1a)和第2主面(1b)的外周(1c)，存在于SiC基板的周端部(1A)的、由中空部和从该中空部延伸的位错线连结而成的复合缺陷的密度为0.01个/cm2以上且10个/cm2以下。
sic 基板外延晶片及其制造方法

[发明专利]SiC外延晶片及其制造方法-CN201880037625.1有效
发明人： 龟井宏二 -专利权人：株式会社力森诺科
申请日： 2018-05-14 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明的SiC外延晶片具备4H‑SiC单晶基板和形成于所述4H‑SiC单晶基板上的SiC外延层，所述4H‑SiC单晶基板以相对于c面具有偏离角的面为主面，且在周缘部具有斜角部，所述SiC外延层的膜厚为20μm以上，所述SiC外延层的从外周端延伸存在的界面位错的密度为10根/cm以下。
sic 外延晶片及其制造方法

[发明专利]SiC外延晶片的评价方法及制造方法-CN201811449365.7有效
发明人：西原祯孝;龟井宏二 -专利权人：株式会社力森诺科
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及SiC外延晶片的评价方法及制造方法。该SiC外延晶片的评价方法包括：准备具有杂质浓度为1×1018cm‑3以上的高浓度外延层的SiC外延晶片的步骤；对所述杂质浓度为1×1018cm‑3以上的高浓度外延层照射激发光的步骤；以及经由430nm以下波段的带通滤光器观测所述激发光的照射面的第1观察步骤。
sic 外延晶片评价方法制造

[发明专利]SiC晶片的缺陷测定方法、标准样品及SiC外延晶片的制造方法-CN201780076148.5有效
发明人： 龟井宏二 -专利权人：株式会社力森诺科
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明的SiC晶片的缺陷测定方法包括：装置管理步骤，针对由发光强度不会因激励光的反复照射而变化的材料形成、并且在表面具有由凹部和/或凸部构成的图案的标准样品，在测定SiC晶片的缺陷之前，以与测定SiC晶片的缺陷时相同的照射条件照射所述激励光，从所述图案的反射像计测所述图案的S/N比，由此进行缺陷测定装置的装置管理。
sic 晶片缺陷测定方法标准样品外延制造

[发明专利]SiC外延晶片、SiC外延晶片的制造方法-CN201680011723.9有效
发明人：乘松润;宫坂晶;影岛庆明;龟井宏二;武藤大祐 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2016-02-16 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明的一个方案涉及的SiC外延晶片，是在从(0001)面向＜11‑20＞方向的偏移角为4度以下的SiC单晶基板上形成有SiC外延层的SiC外延晶片，所述SiC外延晶片中含有的梯形缺陷，包含台阶流下游侧的下底的长度为台阶流上游侧的上底的长度以下的倒梯形缺陷。
sic 外延晶片制造方法

[发明专利]SiC外延晶片及其制造方法、以及缺陷识别方法-CN201780051959.X有效
发明人：郭玲;龟井宏二 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2017-08-21 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本SiC外延晶片是在具有偏离角、且基板碳夹杂物密度为0.1～2.5个/cm2的4H‑SiC单晶基板上形成了SiC外延层的SiC外延晶片，其特征在于，所述SiC外延层所含的、由基板碳夹杂物引起的大凹坑缺陷和三角缺陷的合计密度为0.6个/cm2以下。
sic 外延晶片及其制造方法以及缺陷识别

[发明专利]SiC外延晶片及其制造方法、大凹坑缺陷检测方法、缺陷识别方法-CN201780052334.5有效
发明人：郭玲;龟井宏二 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2017-08-21 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：一种SiC外延晶片，是在具有偏角且基板碳夹杂物密度为0.1～6.0个/cm2的4H‑SiC单晶基板上形成有SiC外延层的SiC外延晶片，在所述SiC外延层中包含的由基板碳夹杂物引起的大凹坑缺陷的密度为0.5个/cm2以下。
sic 外延晶片及其制造方法大凹坑缺陷检测识别

[发明专利]SiC外延晶片-CN202010971410.6在审
发明人：西原祯孝;龟井宏二 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2019-10-11 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明的SiC外延晶片，具备SiC基板和在所述SiC基板的第1面上层叠的外延层，所述SiC外延晶片中，所述SiC基板的第1面的带状堆垛层错所占的面积被确定，所述SiC基板的第1面的所述带状堆垛层错所占的面积为1/4以下。
sic 外延晶片

[发明专利]SiC基板的评价方法和SiC外延晶片的制造方法-CN201910962531.1有效
发明人：西原祯孝;龟井宏二 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2019-10-11 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明的SiC基板的评价方法中，对层叠外延层之前的SiC基板的第1面照射激励光，提取从所述第1面发出的光致发光的光之中波段为405nm以上且445nm以下的光，观察带状堆垛层错。
sic 评价方法外延晶片制造

[发明专利]喷墨记录用水性油墨-CN200980151275.2有效
发明人：吉田宏之;小田齐;佐藤孝洋;清水祐介;龟井宏二;岩崎俊哉 -专利权人：花王株式会社
申请日： 2009-12-17 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： C09D11/00 文献下载
摘要：第1发明是一种喷出性和打印浓度优异、且为低粘度的喷墨记录用水性油墨，其是包含含有着色剂的聚合物粒子(A)、水溶性有机溶剂(B)及水的喷墨记录用水性油墨，所述含有着色剂的聚合物粒子(A)是通过将着色剂用水溶性聚合物(x)及水不溶性聚合物(y)分散而得到的，其中，水不溶性聚合物(y)相对于水溶性聚合物(x)的重量比〔(y)/(x)〕为2.0～5.0，且水溶性有机溶剂(B)的含量为10～70重量％。第2发明是一种体现出应对高速印刷的高打印浓度的喷墨记录用水分散体的制造方法，其具有以下工序：工序(I)，对着色剂分散体以及含有有机溶剂的水不溶性聚合物胶乳进行混合；工序(II)，对所得到的混合物进行分散处理，从而得到在着色剂上附着有水不溶性聚合物的分散体；工序(III)，从所得到的分散体中除去有机溶剂。
喷墨记录水性油墨

[发明专利]半导体发光元件-CN200980150297.7有效
发明人： 龟井宏二;大庭玲美;程田高史 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2009-12-14 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： H01L33/42 文献下载
摘要：一种半导体发光元件(1)，具备：基板(110)；含有发光层(150)并层叠于基板(110)上的叠层半导体层(100)；含有铟氧化物并层叠于叠层半导体层(100)上的透明电极(170)；含有作为阀作用金属的一种的钽，并且以与透明电极(170)接触的一侧为钽氮化物层或者钽氧化物层的方式层叠于透明电极(170)上的第1接合层(190)；层叠于第1接合层(190)上，用于与外部电连接的第1焊盘电极(200)。由此，使透明电极或者半导体层与连接电极的接合性以及电极的可靠性提高。
半导体发光元件

[发明专利]氮化镓基化合物半导体发光器件-CN200910178209.6有效
发明人： 龟井宏二 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2006-11-14 - 公布日： 2010-04-28 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明的一个目的是提供一种具有低驱动电压和高发光输出的氮化镓基化合物半导体发光器件，其具有正电极，所述正电极包括与p型半导体层形成直接接触的透明导电层。本发明的氮化镓基化合物半导体发光器件包括依次形成在衬底上的n型半导体层、发光层和p型半导体层，其中每一层包括氮化镓基化合物半导体，所述发光器件具有分别设置在所述n型半导体层上和所述p型半导体层上的负电极和正电极，所述正电极至少部分地由透明导电膜形成，所述透明导电膜至少部分地与所述p型半导体层接触，在所述透明导电膜的半导体侧表面上存在包含III族金属成分的半导体金属混合层，并且所述半导体金属混合层的厚度为0.1至10nm。
氮化化合物半导体发光器件

[发明专利]氮化镓基化合物半导体发光器件-CN200680042644.0有效
发明人： 龟井宏二 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2006-11-14 - 公布日： 2008-11-19 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明的一个目的是提供一种具有低驱动电压和高发光输出的氮化镓基化合物半导体发光器件，其具有正电极，所述正电极包括与p型半导体层形成直接接触的透明导电层。本发明的氮化镓基化合物半导体发光器件包括依次形成在衬底上的n型半导体层、发光层和p型半导体层，其中每一层包括氮化镓基化合物半导体，所述发光器件具有分别设置在所述n型半导体层上和所述p型半导体层上的负电极和正电极，所述正电极至少部分地由透明导电膜形成，所述透明导电膜至少部分地与所述p型半导体层接触，在所述透明导电膜的半导体侧表面上存在包含III族金属成分的半导体金属混合层，并且所述半导体金属混合层的厚度为0.1至10nm。
氮化化合物半导体发光器件

[发明专利]Ⅲ族氮化物半导体发光器件-CN200680034699.7有效
发明人：织地学;龟井宏二;三木久幸;松濑朗浩 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2006-09-20 - 公布日： 2008-09-17 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明旨在提高Ⅲ族氮化物半导体发光器件的光提取效率。本发明的Ⅲ族氮化物半导体发光器件包括：衬底；以及层叠在所述衬底上的包括发光层的Ⅲ族氮化物半导体层，其中所述Ⅲ族氮化物半导体层的侧面相对于所述衬底的主表面的法线倾斜。
氮化物半导体发光器件

[发明专利]氮化镓基化合物半导体发光器件-CN200680028774.9有效
发明人： 龟井宏二 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2006-07-27 - 公布日： 2008-08-06 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明的一个目的是提供一种具有正电极的氮化镓基化合物半导体发光器件，所述正电极包括设置在p型半导体层上的第一电极以及覆盖所述第一正电极的侧面和上面的覆盖层，所述覆盖层不会从所述p型半导体层剥落。本发明的氮化镓基化合物半导体发光器件包括在衬底上依次形成的氮化镓基化合物半导体的n型半导体层、发光层和p型半导体层，负电极和正电极设置为分别与所述n型半导体层和所述p型半导体层接触，其中所述正电极包括至少第一电极以及覆盖所述第一电极的侧面和上面的覆盖层，并且沿所述第一电极的外边缘的每单位长度，在所述正电极的拐角部分处所述覆盖层与所述p型半导体层形成接触的面积大于在其边部分处所述覆盖层与所述p型半导体层形成接触的面积。
氮化化合物半导体发光器件

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