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[发明专利]发光二极管芯片-CN201610790955.0有效
发明人：黄琮训;黄靖恩;郭佑祯;兰彦廷;康凯舜;吕飞龙;赖腾宪;黄逸儒 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管芯片，包括半导体元件层、凹陷部、第一电极、以及第二电极。半导体元件层包括第一型掺杂半导体层、量子井层以及第二型掺杂半导体层。凹陷部在发光二极管芯片上定义出第一区域以及第二区域。第一区域以及第二区域分别包含部分第一型掺杂半导体层、部分量子井层以及部分第二型掺杂半导体层。第一电极配置于第一区域内且至少位在部分第一型掺杂半导体层与至少部分第二型掺杂半导体层上。第二电极位于第二区域内并与第二型掺杂半导体层电性连接。另一种发光二极体晶片亦被提供。本发明提供的发光二极管芯片具有较高的发光效率。
发光二极管芯片

[发明专利]具有布拉格反射镜的发光二极管及其制造方法-CN201911295352.3在审
发明人： 黄逸儒;黄冠杰;沈志铭;庄东霖;麦宏全;黄靖恩;丁绍滢 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2016-02-17 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明提供一种具有布拉格反射镜的发光二极管及其制造方法。本发明的具有布拉格反射镜的发光二极管包括：磊晶层，具有第一半导体层、发光层以及第二半导体层，其中发光层介于第一半导体层与第二半导体层之间；透明导电层，位于第二半导体层上；至少一布拉格反射层，位于透明导电层上，并具有多个贯穿布拉格反射层的第一贯穿孔；第一电极，电性连接于第一半导体层；以及第二电极，电性连接于透明导电层。本发明使用布拉格反射镜取代传统的银反射镜，可排除银反射镜所导致的不稳定因素，提升产品优良率。
具有布拉格反射发光二极管及其制造方法

[发明专利]发光元件-CN201911295478.0在审
发明人： 黄逸儒;庄东霖;沈志铭;许圣宗;黄冠杰;黄靖恩 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2016-02-17 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明提供一种发光元件，包括一磊晶结构、一黏着层、一第一反射层、一第二反射层、一阻挡层、一第一电极以及一第二电极；磊晶结构包括一基板、一第一半导体层、一发光层以及一第二半导体层；黏着层设置于磊晶结构的第二半导体层上；第一反射层设置于黏着层上；第二反射层设置于第一反射层上且延伸至黏着层上；自第二反射层朝磊晶结构的方向定义一投影方向；第二反射层在投影方向上的投影面积大于第一反射层在投影方向上的投影面积；阻挡层设置于第二反射层上且具有导电性；第一电极电性连接于第一半导体层；第二电极电性连接于第二半导体层。本发明可利用第二反射层有效增加整体的反射面积，进而提升发光元件的整体出光效率。
发光元件

[发明专利]具有布拉格反射镜的发光二极管及其制造方法-CN201610089271.8有效
发明人： 黄逸儒;黄冠杰;沈志铭;庄东霖;麦宏全;黄靖恩;丁绍滢 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2016-02-17 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明提供一种具有布拉格反射镜的发光二极管及其制造方法。本发明的具有布拉格反射镜的发光二极管包括：磊晶层，具有第一半导体层、发光层以及第二半导体层，其中发光层介于第一半导体层与第二半导体层之间；透明导电层，位于第二半导体层上；至少一布拉格反射层，位于透明导电层上，并具有多个贯穿等布拉格反射层的第一贯穿孔；第一电极，电性连接于第一半导体层；以及第二电极，电性连接于透明导电层。本发明使用布拉格反射镜取代传统的银反射镜，可排除银反射镜所导致的不稳定因素，提升产品优良率。
具有布拉格反射发光二极管及其制造方法

[发明专利]发光元件-CN201610088344.1有效
发明人： 黄逸儒;庄东霖;沈志铭;许圣宗;黄冠杰;黄靖恩 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2016-02-17 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明提供一种发光元件，包括一磊晶结构、一黏着层、一第一反射层、一第二反射层、一阻挡层、一第一电极以及一第二电极；磊晶结构包括一基板、一第一半导体层、一发光层以及一第二半导体层；黏着层设置于磊晶结构的第二半导体层上；第一反射层设置于黏着层上；第二反射层设置于第一反射层上且延伸至黏着层上；自第二反射层朝磊晶结构的方向定义一投影方向；第二反射层在投影方向上的投影面积大于第一反射层在投影方向上的投影面积；阻挡层设置于第二反射层上且具有导电性；第一电极电性连接于第一半导体层；第二电极电性连接于第二半导体层。本发明可利用第二反射层有效增加整体的反射面积，进而提升发光元件的整体出光效率。
发光元件

[发明专利]发光二极管结构-CN201810339712.4有效
发明人： 黄逸儒;罗玉云;吴志凌;黄靖恩;丁绍滢 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2013-08-01 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管结构，包括基板、半导体磊晶层以及反射导电结构层。半导体磊晶层配置于基板上且暴露出基板的一部分。反射导电结构层覆盖部分半导体磊晶层以及被半导体磊晶层所暴露出的基板的部分。
磊晶层基板半导体发光二极管结构导电结构层反射暴露覆盖配置

[发明专利]半导体发光结构及半导体封装结构-CN201810019276.2有效
发明人：吴志凌;黄逸儒;罗玉云;黄靖恩;丁绍滢 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2014-10-09 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体发光结构，包括一磊晶结构、一N型电极垫、一P型电极垫以及一绝缘层。N型电极垫与P型电极垫相间隔地设置于磊晶结构上，其中P型电极垫具有一第一上表面。绝缘层设置于磊晶结构上且位于N型电极垫与P型电极垫之间，其中绝缘层具有一第二上表面。P型电极垫的第一上表面与绝缘层的第二上表面共平面。
半导体发光结构封装

[发明专利]半导体发光结构及半导体封装结构-CN201810020131.4有效
发明人：吴志凌;黄逸儒;罗玉云;黄靖恩;丁绍滢 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2014-10-09 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体发光结构，包括一磊晶结构、一N型电极垫、一P型电极垫以及一绝缘层。N型电极垫与P型电极垫相间隔地设置于磊晶结构上，其中P型电极垫具有一第一上表面。绝缘层设置于磊晶结构上且位于N型电极垫与P型电极垫之间，其中绝缘层具有一第二上表面。P型电极垫的第一上表面与绝缘层的第二上表面共平面。
半导体发光结构封装

[发明专利]发光二极管-CN201910765017.9在审
发明人： 黄逸儒;庄东霖;兰彦廷;许圣宗;沈志铭;黄靖恩;赖腾宪;麦宏全;黄冠杰;丁绍滢 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2016-02-17 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管，包括第一型半导体层、发光层、第二型半导体层、第一电极、第二电极以及布拉格反射结构。发光层用以发出一光束，且位于第一型半导体层与第二型半导体层之间，其中光束在发光波长范围具有一峰值波长。第一型半导体层、发光层与第二型半导体层皆位于布拉格反射结构的相同一侧，且布拉格反射结构在至少涵盖0.8X nm至1.8X nm一反射波长范围的反射率为95％以上，且X为发光波长范围的峰值波长。本发明提供的发光二极管，布拉格反射结构针对不同波长范围都具有良好的反射率，可提高发光二极管的发光效率。
布拉格反射发光二极管第二型半导体层第一型半导体层发光层发光波长峰值波长反射率第二电极第一电极发光效率反射波长波长涵盖

[发明专利]发光二极管-CN201610089111.3有效
发明人： 黄逸儒;庄东霖;兰彦廷;许圣宗;沈志铭;黄靖恩;赖腾宪;麦宏全;黄冠杰;丁绍滢 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2016-02-17 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管，包括第一型半导体层、发光层、第二型半导体层、第一电极、第二电极以及布拉格反射结构。发光层用以发出一光束，且位于第一型半导体层与第二型半导体层之间，其中光束在发光波长范围具有一峰值波长。第一型半导体层、发光层与第二型半导体层皆位于布拉格反射结构的相同一侧，且布拉格反射结构在至少涵盖0.8X nm至1.8X nm一反射波长范围的反射率为95％以上，且X为发光波长范围的峰值波长。本发明提供的发光二极管，布拉格反射结构针对不同波长范围都具有良好的反射率，可提高发光二极管的发光效率。
发光二极管

[外观设计]发光二极管晶片-CN201830295819.4有效
发明人：丁绍滢;兰彦廷;黄靖恩;黄逸儒 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2018-06-12 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： 26-04 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：发光二极管晶片。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于一种产生光线的发光二极管晶片。3．本外观设计产品的设计要点：产品的形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：立体图。
外观设计发光二极管晶片图片

[发明专利]发光元件结构-CN201910110303.1在审
发明人：丁绍滢;黄冠杰;黄靖恩;黄逸儒 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2015-07-14 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明提供一种发光元件结构，包括发光元件、封装胶体、透光板以及反射层。其中，发光元件具有彼此相对的上表面与下表面、连接上表面与下表面的侧表面以及位于下表面上且彼此分离的第一接垫与第二接垫。封装胶体至少包覆发光元件的上表面与侧表面，且暴露出发光元件的第一接垫与第二接垫。透光板配置于发光元件的上表面的上方，而封装胶体位于透光板与发光元件之间。反射层直接覆盖于发光元件的侧表面上，其中封装胶体包覆反射层且暴露出反射层的底面。
发光元件封装胶体反射层上表面接垫侧表面透光板下表面发光元件结构包覆彼此分离彼此相对直接覆盖暴露底面配置

[发明专利]半导体封装结构-CN201510681330.6有效
发明人：苏柏仁;吴志凌;黄逸儒;施怡如 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2012-02-23 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明提供一种适于提供至少一接垫与外部电路电性连接的半导体封装结构，其包括绝缘基板、图案化导电层以及发光二极体晶片；图案化导电层，配置于该绝缘基板上，且包括该接垫及与该接垫电性连接的至少一线路；发光二极体晶片电性接合于图案化导电层上且与线路电性连接，发光二极体晶片于该绝缘基板上覆盖一矩形区域，该接垫相对于该矩形区域的一角落的一顶点对应设置，且该接垫至该角落的该顶点的距离大于等于30微米。本发明提供的整体半导体封装结构具有较佳的出光效率。
半导体封装结构

[发明专利]发光二极体封装结构及发光二极体模组-CN201810151522.X在审
发明人：黄靖恩;丁绍滢;苏柏仁;吴志凌;黄逸儒;罗玉云 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2014-11-19 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： H01L33/58 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极体封装结构，其包括第一透光板、发光单元以及第一封装胶体。发光单元设置于第一透光板上，第一封装胶体设置于发光单元与第一透光板之间且包覆部分发光单元。通过这种方式，本发明的发光二极体封装结构制作相当方便，有效提升产能。
发光单元发光二极体封装结构透光板封装胶体发光二极体模组包覆产能制作

[发明专利]发光二极管-CN201710930691.9在审
发明人： 黄逸儒;许圣宗;郭佑祯;沈志铭;庄东霖;黄琮训;黄敬恩 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2017-10-09 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：一种发光二极管，包括第一型半导体层、发光层、第二型半导体层、第一金属层、第一电流传导层、第一接合层及第二电流传导层。发光层位于第一型半导体层与第二型半导体层之间。第一金属层位于第一型半导体层上且与第一型半导体层电性连接。第一金属层位于第一电流传导层与第一型半导体层之间。第一电流传导层位于第一接合层与第一金属层之间。第一接合层藉由第一电流传导层及第一金属层与第一型半导体层电性连接。第一接合层具有与第一金属层重叠的贯穿开口。第二电流传导层与第二型半导体层电性连接。
发光二极管