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[实用新型]一种移动和联通多系统合路一体化POI平台-CN201721318090.4有效
发明人： 黄武松;朱敬朝 -专利权人：南京广顺网络通信设备有限公司
申请日： 2017-10-13 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： H01P1/213 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种移动和联通多系统合路一体化POI平台，包括腔体，所述腔体内设置有谐振柱、飞杆、介质、电桥导体、导杆、盖板、螺杆和N型连接器，所述腔体内使用隔离筋分割成5个移动单通道滤波器和3个联通单通道滤波器，移动和联通滤波器分别合路后和电桥导体相连，经电桥混频后由另一电桥导体输出到2个ANT端口。本实用新型的一种移动和联通多系统合路一体化POI平台，实现了多个移动和联通系统信号合路且实现2路输出。该POI平台，具有小体积、轻重量、低插入损耗、低三阶互调、高功率等特点，适用范围广泛，适用于大楼、酒店、地铁、商行以及会议中心等。
联通合路移动电桥导体多系统单通道滤波器本实用新型一体化体内滤波器输出插入损耗会议中心联通系统三阶互调信号合路高功率隔离筋谐振柱盖板导杆电桥飞杆混频螺杆腔体地铁大楼分割

[发明专利]用于负显影的含保护羟基的光致抗蚀剂组合物和使用其的图案形成方法-CN201310140833.3有效
发明人：陈光荣;黄武松;李伟健 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2013-04-22 - 公布日： 2017-12-05 - 主分类号： G03F7/038 文献下载
摘要：本发明涉及能够负显影的光致抗蚀剂组合物和利用所述光致抗蚀剂组合物的图案形成方法。所述光致抗蚀剂组合物包括成像聚合物、交联剂和辐射敏感型产酸剂。所述成像聚合物包括具有酸不稳定部分取代的羟基的单体单元。所述图案形成方法利用有机溶剂显影剂来选择性除去光致抗蚀剂组合物的光致抗蚀剂层中未曝光区域，以在光致抗蚀剂层中形成图案化的结构。所述光致抗蚀剂组合物和图案形成方法尤其可用于利用193nm(ArF)光刻法在半导体衬底上形成材料图案。
用于显影保护羟基光致抗蚀剂组合使用图案形成方法

[实用新型]一种多系统合路器-CN201621340532.0有效
发明人： 黄武松;王小杰;刘钧 -专利权人：南京广顺网络通信设备有限公司
申请日： 2016-12-08 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： H01P1/213 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多系统合路器，包括腔体、盖板和连接器，所述腔体分隔为五个滤波器，分别是TD‑LTE的F频段滤波器、GSM1800/LTEFDD1800滤波器、WCDMA2100滤波器、TD‑LTE的E频段滤波器、GSM900滤波器。所述合路器，频率覆盖移动GSM900、联通GSM1800/LTE1800、移动TD‑LTE（F频段）、联通WCDMA2100、移动TD‑LTE(E频段)，基本可满足多运营商对全频段的需求。所述合路器采用不规则腔加圆腔，实现多运营商合路。所述合路器通过现代微波设计和1/4波长等设计出体积小，插损好，回波佳，隔离、互调优等，且实现一模多用合路器。
一种系统合路器

[实用新型]一种小型化带阻宽频合路器-CN201621340125.X有效
发明人： 黄武松;王小杰;刘钧 -专利权人：南京广顺网络通信设备有限公司
申请日： 2016-12-08 - 公布日： 2017-07-21 - 主分类号： H01P1/213 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种小型化带阻宽频合路器，包括腔体、盖板和连接器。所述连接器安装在腔体上，所述腔体分为两个滤波器，一个是CDMA800&GSM900带阻滤波器，另一个是GSM1800&LTE1800&D‑LTEF&WCDMA2100滤波器。所述CDMA800&GSM900带阻滤波器内设置导体和第一至第四谐振柱，所述第一至第四谐振柱焊接在所述导体上，所述导体焊接在连接器上；所述GSM1800&LTE1800&D‑LTEF&WCDMA2100滤波器内设置若干第五谐振柱、抽头、容性耦合和介质，所述第五谐振柱与所述腔体一体成型，所述谐振柱和抽头通过空间耦合连接，所述抽头焊接在连接器上，所述容性耦合安装在介质孔内，所述介质安装在腔体上。该合路器，能够实现二进一出合路要求，满足多运营商对天线前端多频段合路的要求，该合路器结构简单，调试简单，尺寸小，互调优，在行业里面有很大优势。
一种小型化宽频合路器

[发明专利]杂化光致抗蚀剂组合物和使用它的图案形成方法-CN201280055029.9有效
发明人：陈光荣;黄武松;刘森;S·J·霍姆斯;G·博雷塔 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2012-11-02 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明涉及改进分辨率的杂化光致抗蚀剂组合物和使用该光致抗蚀剂组合物的图案形成方法。所述光致抗蚀剂组合物包括辐射敏感性酸产生剂、交联剂和具有疏水性单体单元和含羟基的亲水性单体单元的聚合物。所述羟基中的至少一些用具有低活化能的酸不稳定性结构部分保护。所述光致抗蚀剂能够对单一曝光产生杂化响应。所述图案形成方法利用所述杂化响应以在所述光致抗蚀剂层中形成图案化的结构。本发明的光致抗蚀剂组合物和图案形成方法可用于印刷具有精确图像控制的小特征，尤其是小尺寸的空间。
杂化光致抗蚀剂组合使用图案形成方法

[实用新型]一种调色变线的大圆机喂纱嘴-CN201620106288.5有效
发明人： 黄武松 -专利权人：石狮市鑫狮舜针织机械配件有限公司
申请日： 2016-02-03 - 公布日： 2016-06-22 - 主分类号： D04B15/48 文献下载
摘要：本实用新型涉及纺织机械配件领域，具体涉及一种调色变线的大圆机喂纱嘴，包括第一喂纱嘴、第二喂纱嘴、安装架、连接部，其特征在于：所述的连接部上设置有与第一喂纱嘴和第二喂纱嘴相对应的第一导纱杆和第二导纱杆，第一导纱杆呈直线型，通过螺栓垂直安装于连接部的侧面，第一导纱杆上设置有一导轮，该导轮上设置有两条导纱槽和第一喂纱嘴上的两个喂纱槽相对应，该导轮和第一导纱杆之间设置有一个张紧调节装置。本实用新型提供的一种调色变线的大圆机喂纱嘴，通过张紧弹簧的作用来调节导轮的张紧力，提高织布的产品质量，提高生产效率。
一种调色大圆机喂纱嘴

[实用新型]一种张力微调的大圆机喂纱嘴-CN201620107831.3有效
发明人： 黄武松 -专利权人：石狮市鑫狮舜针织机械配件有限公司
申请日： 2016-02-03 - 公布日： 2016-06-22 - 主分类号： D04B15/50 文献下载
摘要：本实用新型涉及纺织机械领域，具体涉及一种张力微调的大圆机喂纱嘴，其特征在于：包括本体、设置于本体上部的导纱板、设置于本体上的张力调节器、导杆和导轮，本体的下端形成喂纱部，该喂纱部上设有棉纱孔和氨纶孔，导纱板上设有两个导纱眼，张力调节器包括设置于本体上的固定板、大齿轮、小齿轮和旋钮，大齿轮和小齿轮可旋转的设置于固定板上并相互啮合，所述导杆的一端固定于大齿轮上，另一端可旋转的设置导轮，所述旋钮固定于小齿轮上。本实用新型提供的张力微调的大圆机喂纱嘴可实现张力的调节，由于张力调节器内的大小齿轮具有较大的齿轮比，通过旋转小齿轮可实现对导杆角度的微调，进而实现对氨纶张力的调整，以适应不同工艺需求。
一种张力微调大圆机喂纱嘴

[发明专利]可显影底部抗反射涂层组合物以及使用其的图案形成方法-CN201380027001.9有效
发明人：陈光荣;S·霍尔梅斯;黄武松;R·邝惠玲;刘森 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2013-06-27 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： G02B1/11 文献下载
摘要：该本发明涉及可显影底部抗反射涂层(BARC)组合物以及使用该BARC组合物形成图案的方法。该BARC组合物包括第一聚合物，其具有第一羧酸组成部分、含羟基的脂环族组成部分、以及第一发色团组成部分；第二聚合物，其包含第二羧酸组成部分、含羟基的无环状组成部分、以及第二发色团组成部分；交联剂；以及辐射敏感的酸产生剂。第一以及第二发色团组成部分各自吸收光波长为100nm-400nm。在图案形成方法中,BARC组合物BARC层上形成光致抗蚀剂层。在曝光以后，光致抗蚀剂层以及该BARC层未曝光区域通过显影剂有选择地被除去以在光致抗蚀剂层中形成图案化结构。该BARC组合物以及该图案形成方法尤其对注入级别有用。
显影底部反射涂层组合以及使用图案形成方法

[实用新型]一种用于移圈织针的新型接针-CN201320625450.0有效
发明人： 黄武松 -专利权人：泉州佰源机械科技股份有限公司
申请日： 2013-10-11 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： D04B35/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于移圈织针的新型接针，包括接针主体，接针主体上设有针脚；接针主体的顶部左端向上斜延伸形成斜杆。本实用新型具有结构简单、操作方便、实用的特点。
一种用于移圈织针新型

[发明专利]用于负型抗蚀剂的可显影底部抗反射涂料组合物-CN201280038940.9在审
发明人：陈光荣;S·J·霍姆斯;黄武松;刘森 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2012-08-10 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：一种负型可显影底部抗反射涂料(NDBARC)材料包括聚合物，该聚合物含有脂肪族醇部分、芳香族部分以及羧酸部分。NDBARC组合物在涂布及烘烤之后不溶于一般的光刻胶溶剂，如丙二醇甲基醚乙酸酯(PGMEA)。NDBARC材料也包括光酸产生剂以及选择性的交联化合物。在NDBARC材料中，羧酸提供显影剂溶解性，而醇单独、羧酸单独或其组合提供PGMEA抗性。NDBARC材料对光刻胶溶剂具有抗性，因此，在涂布光刻胶于NDBARC上方的过程中，NDBARC与光刻胶之间不会发生互混。在曝光及烘烤之后，由于负型光刻胶中的聚合物与光刻曝光部分中的NDBARC层之化学增强交联，该负型光刻胶与该NDBARC层之光刻曝光部分皆变成不溶于显影剂。
用于负型抗蚀剂显影底部反射涂料组合

[发明专利]用于负显影的光致抗蚀剂组合物和使用其的图案形成方法-CN201180053569.9有效
发明人：陈光荣;刘森;黄武松;李伟健 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2011-10-21 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明涉及能够负显影的光致抗蚀剂组合物和利用所述光致抗蚀剂组合物的图案形成方法。所述光致抗蚀剂组合物包括成像聚合物和辐射敏感型产酸剂。所述成像聚合物包括具有酸不稳定侧链部分的第一单体单元和含有反应性醚部分、异氰化物部分或异氰酸酯部分的第二单体单元。所述图案形成方法利用有机溶剂显影剂来选择性除去光致抗蚀剂组合物的光致抗蚀剂层中未曝光区域，在光致抗蚀剂层中形成图案化的结构。所述光致抗蚀剂组合物和图案形成方法尤其可用于利用193nm(ArF)光刻法在半导体衬底上形成材料图案。
用于显影光致抗蚀剂组合使用图案形成方法

[发明专利]光致抗蚀剂组合物及多层抗蚀剂体系的多次曝光方法-CN201210043396.9有效
发明人：陈光荣;李伟健;黄武松;普什卡拉·瓦拉纳斯;刘森 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2008-12-05 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： G03F7/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种方法及抗蚀剂组合物。抗蚀剂组合物包含：具有含有内酯结构部分的第一重复单元的聚合物、能产生碱的热碱产生剂、以及光敏酸产生剂。聚合物具有的特性为：实质可溶于第一溶剂，并且该聚合物在加热后变成实质不可溶。该方法包括：形成光致抗蚀剂薄膜，该光致抗蚀剂包含聚合物、能释出碱的热碱产生剂、光敏酸产生剂、以及溶剂。图案式成像薄膜。成像包括将薄膜曝光于辐射，导致产生酸催化剂。在水性碱中显像薄膜，导致移除可碱溶区域，并且形成图案化层。烘烤图案化层高于该温度，导致热碱产生剂在图案化层内释出碱，且导致图案化层变成不可溶于溶剂。
光致抗蚀剂组合多层抗蚀剂体系多次曝光方法

[发明专利]自形成的顶抗反射涂料组合物以及利用该组合物的光致抗蚀剂混合物和成像方法-CN201080013928.3有效
发明人： 黄武松;I·波波瓦;P·R·瓦拉纳希;L·维克利基 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2010-03-24 - 公布日： 2012-02-29 - 主分类号： C07C409/22 文献下载
摘要：本发明提供一种物质的组合物。该物质的组合物包括一种聚合物，该聚合物具有烯属主链且包含具有芳族基团的第一单体、具有碱溶性基团或酸不稳定性保护的碱溶性基团的第二单体和具有氟烷基基团的第三单体。本发明还提供一种包括该物质的组合物的光致抗蚀剂制剂以及一种使用包括该物质的组合物的该光致抗蚀剂制剂的成像方法。
形成反射涂料组合以及利用光致抗蚀剂混合物成像方法

[发明专利]光致抗蚀剂组合物及多层抗蚀剂体系的多次曝光方法-CN200880119057.6有效
发明人：陈光荣;李伟健;黄武松;普什卡拉·瓦拉纳斯;刘森 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2008-12-05 - 公布日： 2010-11-10 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：一种方法及抗蚀剂组合物。抗蚀剂组合物包含：具有含有内酯结构部分的第一重复单元的聚合物、能产生碱的热碱产生剂、以及光敏酸产生剂。聚合物具有的特性为：实质可溶于第一溶剂，并且该聚合物在加热后变成实质不可溶。该方法包括：形成光致抗蚀剂薄膜，该光致抗蚀剂包含聚合物、能释出碱的热碱产生剂、光敏酸产生剂、以及溶剂。图案式成像薄膜。成像包括将薄膜曝光于辐射，导致产生酸催化剂。在水性碱中显像薄膜，导致移除可碱溶区域，并且形成图案化层。烘烤图案化层高于该温度，导致热碱产生剂在图案化层内释出碱，且导致图案化层变成不可溶于溶剂。
光致抗蚀剂组合多层抗蚀剂体系多次曝光方法

[发明专利]形成包括屏蔽区的形状阵列的图形的方法-CN201010166680.6有效
发明人： C-C·陈;黄武松;李伟健;C·萨尔玛 -专利权人：国际商业机器公司;英芬能技术公司
申请日： 2010-04-27 - 公布日： 2010-11-03 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及形成包括屏蔽区的形状阵列的图形的方法。在衬底上形成具有第二光敏性的第二光致抗蚀剂。在第二光致抗蚀剂上形成具有大于第二光敏性的第一光敏性的第一光致抗蚀剂。优选地，第一光致抗蚀剂为在曝光后变为透明的灰抗蚀剂。采用具有第一图形的第一母掩模光刻曝光第一抗蚀剂的至少一部分以形成至少一个透明的光刻曝光的抗蚀剂部分，而第二光致抗蚀剂保持完整。采用包括第二图形的第二母掩模光刻曝光第二抗蚀剂以在第二光致抗蚀剂中形成多个光刻曝光的形状。通过将第二图形限制在仅仅所述至少一个透明的光刻曝光的抗蚀剂图形的区域内，所述多个光刻曝光的形状具有源自第二图形的合成图形。
形成包括屏蔽形状阵列图形方法