专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]光学片材、凹凸结构及在基板上形成凹凸结构的方法-CN201610051301.6有效
  • 王康华;王凯俊;叶芳君;杨景安;黄怡君 - 友辉光电股份有限公司
  • 2011-03-28 - 2021-07-13 - G02B6/00
  • 本发明公开了一种光学片材、一种凹凸结构以及一种在基板上形成凹凸结构的方法,其中,光学片材包含:基底层,具有光输入表面和位于所述光输入表面的相反侧的光输出表面;棱镜结构,配置在所述基底层的所述光输出表面上,其中所述棱镜结构包含在第一方向上延伸的多个棱镜;以及透镜结构,配置在所述基底层的所述光输入表面上,其中所述透镜结构包含在第二方向上延伸的多个透镜;其中所述多个透镜的截面图上定义多个谷,其中所述多个谷包含第一谷和第二谷,其中所述第一谷距所述光输入表面的高度不同于所述第二谷距所述光输入表面的高度,用以扩散由所述多个透镜进入的光。
  • 光学凹凸结构基板上形成方法
  • [外观设计]台灯-CN201630628800.8有效
  • 黄怡君;杨洁;易伟 - 黄怡君;杨洁;易伟
  • 2016-12-19 - 2017-04-12 - 26-05
  • 1.本外观设计产品的名称台灯。2.本外观设计产品的用途本外观设计产品用于照明。3.本外观设计产品的设计要点在于产品的形状。4.最能表明本外观设计设计要点的图片或照片立体图。
  • 台灯
  • [发明专利]在一基板上形成一凹凸结构的方法与模具制作的方法-CN201410388909.9在审
  • 王康华;王凯俊;叶芳君;杨景安;黄怡君 - 友辉光电股份有限公司
  • 2011-03-28 - 2014-12-03 - G02B6/00
  • 本发明是一种在一基板上形成一凹凸结构的方法与一种模具制作的方法。所述在一基板上形成一凹凸结构的方法是通过一控制系统在一模具的一表面上依序刻划复数个沟槽,包含至少一第一沟槽,其中对于该至少一第一沟槽中任一个第二沟槽,该第二沟槽和不同于该第二沟槽的至少一第三沟槽重叠,以使该第二沟槽被该至少一第三沟槽所截断;使用该模具的该表面压印在该基板上的一薄膜以在该基板上形成该凹凸结构。所述模具制作的方法是在一模具的一表面上依序刻划复数个沟槽,其中该复数个沟槽包含至少一第一沟槽,其中对于该至少一第一沟槽中任一个第二沟槽,该第二沟槽和不同于该第二沟槽的至少一第三沟槽重叠,以使该第二沟槽被该至少一第三沟槽所截断。
  • 一基板上形成凹凸结构方法模具制作
  • [实用新型]一种清除黑板擦上的粉笔灰的装置-CN201320106706.7有效
  • 黄怡君 - 黄怡君
  • 2013-03-08 - 2013-08-14 - B08B7/02
  • 一种清除黑板擦上的粉笔灰的装置,其特征是:设置容纳盒,容纳盒由左壁(1)、右壁(9)、前壁(10)、后壁(11)和底壁(8)组成,容纳盒的外表面是长方体形,左壁(1)、右壁(9)、前壁(10)和后壁(11)的内表面上部是倾斜面,每个倾斜面上粘贴一层橡皮(2);左壁(1)和右壁(9)的内表面下部各安装一根水平方向的支撑杆(4),两根支撑杆(4)的上表面放置一个拍灰架;拍灰架由两根长杆(7)和位于长杆(7)上表面且垂直于长杆(7)的多根短杆(6)连接成整体。用这种装置清除黑板擦上的粉笔灰时不会污染空气;并能够将黑板擦上的粉笔灰收集起来由生产粉笔的企业回收再利用,节约资源,也为学校增加收入。
  • 一种清除黑板擦上粉笔装置
  • [发明专利]光导膜-CN201110243473.0在审
  • 王康华;王凯俊;叶芳君;杨景安;黄怡君 - 友辉光电股份有限公司
  • 2011-06-07 - 2011-12-07 - G02B6/00
  • 本发明提供一种柔性的光导膜,在该光导膜的底面上具有透镜状微结构形式的光调整结构。该光导膜具有支持光调整结构的层的基板层,该光调整结构为横向平行排列的纵向柱状透镜阵列的形式。棱镜状微结构可以提供在光导膜的顶部光出射面。光导膜利用包括片材卷的涂敷/压纹的工艺且以卷对卷连续工艺而制作。优势包括显著减小光导膜的厚度,而且卷对卷制作工艺提供母模或鼓上的微结构到光导膜的表面的更精确的复制,这继而降低了故障率和制造成本。
  • 光导膜
  • [发明专利]半导体元件及其制造方法-CN200510093507.7有效
  • 徐祖望;蔡明桓;陈建豪;黄怡君 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2005-08-26 - 2006-05-10 - H01L21/8238
  • 本发明是有关于一种利用牺牲应力层来制作半导体元件的整合型高阶方法,其中牺牲应力层是作为薄膜叠层的一部份,可使形成于元件的金属硅化物具有空间选择性。将元件的低电阻部分,包含NMOS晶体管与PMOS晶体管,予以金属硅化。应力膜可以是拉伸氮化膜或是压缩氮化膜。在硅化金属形成的制程前,进行回火制程。在回火制程期间,应力氮化膜可以优先地留在NMOS晶体管或是PMOS晶体管上,但并非同时留在两者上,藉以较佳化元件的性能。在回火制程期间,拉伸氮化膜留在NMOS晶体管但并不留在PMOS晶体管上,压缩氮化膜则是留在PMOS晶体管但并不留在NMOS晶体管上。
  • 半导体元件及其制造方法
  • [发明专利]晶体管及形成应变沟道元件的方法-CN200510085273.1有效
  • 黄怡君;王焱平;柯志欣 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2005-07-22 - 2006-04-19 - H01L29/78
  • 本发明提供一种晶体管及形成应变沟道元件的方法,所述应变沟道晶体管包括第一材料所组成的基底。一由第二材料所组成的源极区是形成在基底的第一凹陷中,且一由第二材料所组成的漏极区是形成在基底的第二凹陷中。一由第一材料形成的应变沟道区是位于源极区和漏极区之间。一形成在应变沟道区上的堆叠栅极包括一位于一栅极介电层上的栅电极。一沿着栅电极侧壁的栅极间隙壁位于源极区和漏极区的至少的部分区域上。一盖层可形成于第二材料上,且源极区和漏极区可硅化。本发明是保存应变沟道元件的完整栅极结构。特别是,可避免或是减少栅极结构的损坏。
  • 晶体管形成应变沟道元件方法

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