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[发明专利]一种基于抛物面结构的气体光谱测试装置-CN201810063375.0有效
发明人：李文武;黄凡铭;许洋;赵柯洋;赵浩迪;胡志高;褚君浩 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2018-01-23 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G01N21/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于抛物面结构的气体光谱测试装置，包括入射光处理单元、出射光处理单元及抛物面测量单元。本发明借助光在抛物面结构内的传播特性，将出射光位置和感光器位置分别定在抛物面测量单元的左焦点及右焦点上，并在左焦点的左侧设置凹透镜，在右焦点设置电荷耦合元件，凹透镜发出的光经过左侧抛物面金属壳内壁的反射，平行射入右侧抛物面金属壳内壁中，再由右侧抛物面金属壳内壁反射汇聚于电荷耦合元件处。该光谱装置结构保证了经过抛物面测量单元内气体样品的光程固定，提高了测量的可重复性，做到了对气体样品等光程多角度的光谱测量，具有结构简单，成本低，操作方便以及测量精准等优点。
一种基于抛物面结构气体光谱测试装置

[发明专利]一种掩膜版与样品的贴合及分离装置-CN201710196782.4有效
发明人：李文武;黄凡铭;胡鸣;敬承斌;胡志高;褚君浩 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2017-03-29 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明公开了一种掩膜版与样品的贴合及分离装置，它包括箱体、罩壳、磁力单元及支撑板，所述支撑板上设有弹簧，所述罩壳设于箱体的底部，且罩壳与箱体结合；所述支撑板设于罩壳内，支撑板上的弹簧与箱体连接。本发明采用在箱体内设置磁力单元、在支撑板上设置弹簧并罩壳上设置定位框的结构，借助掩膜版的铁磁性，通过磁力单元吸附与弹簧的压合使掩膜版和样品在定位框的限定下沿垂直方向实现贴合和分离。避免了掩膜版与样品间发生横向摩擦而造成的划伤，具有贴合精准度高，操作更为快捷方便的优点。
一种掩膜版样品贴合分离装置

[发明专利]一种基于椭球结构的气体光谱测试装置-CN201710176551.7有效
发明人：李文武;黄凡铭;胡鸣;敬承斌;胡志高;褚君浩 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2017-03-23 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G01N21/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于椭球结构的气体光谱测试装置，包括入射光处理单元、出射光处理单元及椭球测量单元；本发明借助光在椭圆球体结构内的传播特性，将出射光位置和感光器位置分别定在椭球测量单元的左焦点及右焦点上，并在左焦点右侧设置凹透镜，在右焦点上设置电荷耦合元件，凹透镜发出的光经过椭球测量单元的镜面多角度发散，通过气体样品后并反射入电荷耦合元件处，保证了经过椭球测量单元内气体样品的光程固定，该结构提高了测量的可重复再现性，做到了对气体样品等光程且多角度的光谱测量，具有结构简单，成本低，监测结果精准的优点。
一种基于椭球结构气体光谱测试装置

[发明专利]基于三氧化钼接触掺杂的P型有机薄膜晶体管及制备方法-CN202110370278.8有效
发明人：李文武;姬韵博;黄凡铭;陆定一;褚君浩 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2021-04-07 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H10K71/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于三氧化钼接触掺杂的P型有机薄膜晶体管及制备方法，所述P型有机薄膜晶体管具有顶栅底接触结构。首先在绝缘衬底上通过掩膜版制备一层金作为源极和漏极，再在金电极上制备一层三氧化钼作为接触掺杂层，然后利用溶胶凝胶法，在已制备电极完毕的样品表面形成P型有机半导体有源层，并在有源层上旋涂一层介电材料作为绝缘层，最后通过掩膜版在绝缘层表面制备铝栅电极。该方法制备的三氧化钼接触掺杂的有机薄膜晶体管相较于传统有机薄膜晶体管，其载流子迁移率和器件开关比得到明显的提升，器件的亚阈值摆幅和阈值电压大幅减小。本发明提升了顶栅底接触结构的P型有机薄膜晶体管的电学性能，具有成本低廉、工艺步骤简单的特点。
基于氧化钼接触掺杂有机薄膜晶体管制备方法

[发明专利]一种双极性提升的聚合物有机薄膜晶体管及制备方法-CN202110647235.X有效
发明人：李文武;陆定一;黄凡铭;姬韵博;褚君浩 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种双极性提升的聚合物有机薄膜晶体管及制备方法，所述聚合物有机薄膜晶体管具有顶栅底接触结构。其制备方法：首先在玻璃衬底上通过掩膜版制备一层金作为源极和漏极，再在金电极上利用溶胶凝胶法制备一层有机盐掺杂后的聚合物有机半导体有源层，并在有源层上旋涂一层介电材料作为绝缘层，最后通过掩膜版在绝缘层表面制备铝形成栅电极。该方法所制备的聚合物有机薄膜晶体管相较于传统聚合物有机薄膜晶体管，其弱极性沟道区的开关比、迁移率得到了明显的提升。本发明提升了顶栅底接触结构的聚合物有机薄膜晶体管的双极性性能，具有成本低廉、工艺步骤简单的特点，也为未来互补型集成电路的研究和应用奠定了基础。
一种极性提升聚合物有机薄膜晶体管制备方法

[发明专利]一种有机盐掺杂P型有机薄膜晶体管及其制备方法-CN202011115690.7有效
发明人：李文武;陆定一;黄凡铭;姬韵博;褚君浩 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2020-10-19 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机盐掺杂P型有机薄膜晶体管及其制备方法，所述P型有机薄膜晶体管具有顶栅底接触结构。其制备方法首先在玻璃衬底上通过掩膜版制备一层金作为源极和漏极，再在金电极上利用溶胶凝胶法制备一层有机盐掺杂后的P型有机半导体有源层，并在有源层上旋涂一层介电材料作为绝缘层，最后通过掩膜版在绝缘层表面制备铝形成栅电极。该方法所制备的有机薄膜晶体管相较于传统有机薄膜晶体管，其开关比和载流子迁移率得到了明显的提升，器件的阈值电压和接触电阻大幅减小。本发明提升了顶栅底接触结构的P型有机薄膜晶体管的电学性能，具有成本低廉、工艺步骤简单且广泛适用于P型有机薄膜晶体管的特点。
一种有机掺杂薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]一种改进亚阈值摆幅和开关比的有机薄膜晶体管及制备方法-CN201910401316.4有效
发明人：李文武;潘哲成;黄凡铭;许洋;胡志高;褚君浩 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2019-05-15 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种改进亚阈值摆幅和开关比的有机薄膜晶体管及制备方法，对比对象为现有技术制备的顶栅底接触结构有机薄膜晶体管。通过掩膜版在现有技术制备的顶栅底接触结构有机薄膜晶体管的栅极上真空热蒸镀出20~40纳米的栅极保护层，再依次采取干氧刻蚀及紫外曝光刻蚀的方式，利用有机薄膜晶体管中栅极的自对准作用，将未被栅极所覆盖的绝缘介电层和半导体沟道层刻蚀。本发明提高了有机半导体沟道载流子产生速率，并且防止源漏电极附近，未被栅极覆盖的半导体沟道层激发出载流子，使关态电流增加。在保持良好电学性能的同时，减小了亚阈值摆幅并且提高了开关比，具有成本低廉、工艺便捷且适用于各类顶栅底接触结构有机薄膜晶体管的特点。
一种改进阈值开关有机薄膜晶体管制备方法

[发明专利]一种铟掺杂N型有机薄膜晶体管及其制备方法-CN201910481510.8有效
发明人：李文武;许洋;黄凡铭;潘哲成;胡志高;褚君浩 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2019-06-04 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种铟掺杂N型有机薄膜晶体管及其制备方法，所述N型有机薄膜晶体管具有顶栅底接触结构。其制备方法首先在玻璃衬底上通过掩膜版制备一层金作为源极和漏极，再在金电极上制备一层铟作为掺杂层，然后利用溶胶凝胶法，在已制备电极完毕的样品表面形成N型有机半导体有源层，并在有源层上旋涂一层介电材料作为绝缘层，最后通过掩膜版在绝缘层表面制备铝形成栅电极。该方法所制备的有机薄膜晶体管相较于传统有机薄膜晶体管，其开关比和载流子迁移率得到了明显的提升，器件的亚阈值摆幅和阈值电压大幅减小。本发明提升了顶栅底接触结构的N型有机薄膜晶体管的电学性能，具有成本低廉、工艺步骤简单且广泛适用于N型有机薄膜晶体管的特点。
一种掺杂有机薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]一种高分子聚合物薄膜晶体管及其制备方法-CN201910264205.3有效
发明人：李文武;黄凡铭;李梦姣;胡志高;褚君浩 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2019-04-03 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种高分子聚合物薄膜晶体管及其制备方法，该薄膜晶体管为顶栅底接触结构，晶体管由上至下依次是栅极、介电层、半导体有源层，源漏电极以及衬底；在高分子聚合物薄膜晶体管底电极制作完毕后，通过掩膜版对准，在电极上表面形成额外的铜过渡层，然后对铜过渡层进行紫外臭氧清洗，使铜过渡层充分被氧化成氧化铜中间层，通过氧化铜中间层提高源漏电极的表面功函数，使半导体有源层与源漏电极间肖特基势垒降低，接触电阻减小，从而提高了该薄膜晶体管的电学性能。本发明所述的制备方法，可以解决高分子聚合物半导体以及源漏底电极间的接触电阻较大的问题，抑制此类半导体与金属电极的非欧姆接触，使高分子聚合物薄膜晶体管性能大幅度提升。
一种高分子聚合物薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]一种有机薄膜晶体管有源层图形化的方法-CN201910014131.8有效
发明人：李文武;黄凡铭;胡志高;褚君浩 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2019-01-08 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机薄膜晶体管有源层图形化的方法，该方法在已制备完底电极的衬底上，形成有源层，再在有源层上旋涂一层介电材料作为中间缓冲层，通过掩膜版在中间缓冲层上形成图形化金属保护层，采用干氧刻蚀去掉未被金属保护层覆盖的有源层及中间缓冲层，最后将多余的中间缓冲层及金属保护层进行剥离，从而获得已图形化的有源层。本发明无需使用昂贵的光刻机及光刻材料，避免了化学药品对半导体有源层的腐蚀和溶解。具有制作效率高、成本低且图形化效果好的优点。
一种有机薄膜晶体管有源图形方法

[发明专利]聚苯乙烯在有机薄膜晶体管抗辐照中的应用-CN201911239683.5在审
发明人：李文武;黄凡铭;褚君浩 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种聚苯乙烯在有机薄膜晶体管抗辐照中的应用，所述聚苯乙烯的重均分子量为35000～500000，将其溶于有机溶剂中通过溶胶凝胶法制得致密的聚苯乙烯薄膜层。本发明使用该聚苯乙烯薄膜层作为有机薄膜晶体管的抗辐照保护层，有效提高该晶体管的抗辐照能力。聚苯乙烯薄膜层可以吸收辐照射线的能量，产生光交联，不仅可以有效减小晶体管中半导体层受到的辐照损伤，并且通过交联提高了聚苯乙烯薄膜层的电阻率，减小了晶体管内的栅漏电流。实施例结果表明，将聚苯乙烯应用于有机薄膜晶体管中作为抗辐照保护层，有效提高晶体管的抗辐照能力，保护晶体管的沟道，使晶体管在承受7.5 Mrad的总剂量辐照后，其工作性能参数仍能保持在原来的90%以上。
聚苯乙烯有机薄膜晶体管辐照中的应用

[发明专利]一种有机薄膜晶体管的制备方法-CN201810038537.5有效
发明人：李文武;黄凡铭;李梦姣;徐勇;胡志高;褚君浩 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2018-01-16 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机薄膜晶体管的制备方法，该器件包括：衬底、源漏电极、半导体层、绝缘层以及栅电极。衬底上方通过热蒸镀的方法形成固定高度的源漏电极，所述源漏电极上方通过旋涂的方式先后涂有半导体层以及绝缘层，最后通过掩膜板在器件的沟道位置镀上栅电极。本发明通过改变半导体溶液的浓度以及旋涂的转速，获得了与源漏电极高度相匹配的半导体层厚度，以保证底接触结构的有机晶体管最大的电极电荷注入面积，同时在不影响器件的迁移率的情况下，最小化器件的亚阈值摆幅、阈值电压以及接触电阻。本发明不仅优化了有机薄膜晶体管的电学参数，同时可以降低半导体材料的使用成本。
源漏电极有机薄膜晶体管半导体层绝缘层衬底旋涂制备半导体材料半导体溶液亚阈值摆幅有机晶体管电极电荷电学参数沟道位置接触电阻接触结构上栅电极影响器件阈值电压迁移率热蒸镀掩膜板栅电极最小化匹配优化保证

[发明专利]一种用于铁磁性掩膜版的热蒸发镀膜器基板-CN201910343684.8在审
发明人：李文武;许洋;黄凡铭;潘哲成;胡志高;褚君浩 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2019-04-26 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于铁磁性掩膜版的热蒸发镀膜器基板，包括圆形罩壳、按钮开关、磁力单元及圆形载物盘，本发明采用在圆形载物盘上设置一个圆形罩壳，在圆形罩壳内设置了按钮开关及磁力单元；在热蒸发镀膜时，将样品置于圆形载物盘上，将铁磁性掩膜版置于样品上对准，开启按钮开关，磁力单元工作，将铁磁性掩膜版连同样品吸附在圆形载物盘上，将圆形载物盘置于热蒸发镀膜器上，实施对样品的热蒸发镀膜，克服了胶带粘贴的繁琐工艺，避免了对蒸汽镀薄膜样品的损伤，具有结构简单、使用方便、掩膜版与样品贴合度高的优点。
热蒸发镀膜掩膜版载物盘铁磁性磁力单元圆形罩壳按钮开关开启按钮开关薄膜样品繁琐工艺胶带粘贴器基板贴合度器基吸附蒸汽对准损伤

[实用新型]一种基于抛物面结构的气体光谱测试装置-CN201820110294.7有效
发明人：李文武;黄凡铭;许洋;赵柯洋;赵浩迪;胡志高;褚君浩 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2018-01-23 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： G01N21/31 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于抛物面结构的气体光谱测试装置，包括入射光处理单元、出射光处理单元及抛物面测量单元。本实用新型借助光在抛物面结构内的传播特性，将出射光位置和感光器位置分别定在抛物面测量单元的左焦点及右焦点上，并在左焦点的左侧设置凹透镜，在右焦点设置电荷耦合元件，凹透镜发出的光经过左侧抛物面金属壳内壁的反射，平行射入右侧抛物面金属壳内壁中，再由右侧抛物面金属壳内壁反射汇聚于电荷耦合元件处。该光谱装置结构保证了经过抛物面测量单元内气体样品的光程固定，提高了测量的可重复性，做到了对气体样品等光程多角度的光谱测量，具有结构简单，成本低，操作方便以及测量精准等优点。
抛物面结构抛物面金属测量单元壳内壁抛物面电荷耦合元件本实用新型测试装置处理单元气体光谱气体样品凹透镜出射光左焦点反射测量精准传播特性光谱测量光谱装置焦点设置结构保证可重复性等光程感光器入射光光程射入平行测量汇聚焦点

[实用新型]一种掩膜版与样品的贴合及分离装置-CN201720316285.9有效
发明人：李文武;黄凡铭;胡鸣;敬承斌;胡志高;褚君浩 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2017-03-29 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种掩膜版与样品的贴合及分离装置，它包括箱体、罩壳、磁力单元及支撑板，所述支撑板上设有弹簧，所述罩壳设于箱体的底部，且罩壳与箱体结合；所述支撑板设于罩壳内，支撑板上的弹簧与箱体连接。本实用新型采用在箱体内设置磁力单元、在支撑板上设置弹簧并罩壳上设置定位框的结构，借助掩膜版的铁磁性，通过磁力单元吸附与弹簧的压合使掩膜版和样品在定位框的限定下沿垂直方向实现贴合和分离。避免了掩膜版与样品间发生横向摩擦而造成的划伤，具有贴合精准度高，操作更为快捷方便的优点。
一种掩膜版样品贴合分离装置

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