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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]场效应晶体管-CN201010178281.1有效
发明人：竹中功;麻埜和则;石仓幸治 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2010-05-11 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种场效应晶体管。根据本发明的场效应晶体管包括：硅衬底，该硅衬底具有不大于0.02Ω·cm的电阻率；沟道层，该沟道层被形成在硅衬底上并且具有至少5μm的厚度；阻挡层，该阻挡层被形成在沟道层上并且给沟道层提供电子；二维电子气层，通过沟道层和阻挡层之间的异质结形成该二维电子气层；源电极和漏电极，该源电极和漏电极均与阻挡层形成欧姆接触；以及栅电极，该栅电极被形成在源电极和漏电极之间，并且与阻挡层形成肖特基势垒结。
场效应晶体管

[发明专利]场效应晶体管-CN99110924.4无效
发明人：水田正志;葛原正明;梨本泰信;麻埜和则;三好阳介;望月康则 -专利权人： NEC化合物半导体器件株式会社
申请日： 1999-06-16 - 公布日： 2004-08-18 - 主分类号： H01L29/812 文献下载
摘要：在栅电极(5)和漏电极(8)之间的沟道层(2)上的绝缘膜(6)上形成场控制电极(9)。氧化钽(Ta₂O₅)例如可以用做绝缘膜(6)的材料。
场效应晶体管

[发明专利]热可靠性能改善的半导体装置-CN98119314.5无效
发明人： 麻埜和则;石仓幸治 -专利权人： NEC化合物半导体器件株式会社
申请日： 1998-09-11 - 公布日： 2004-08-04 - 主分类号： H01L23/34 文献下载
摘要：一种半导体装置包括彼此平行地设置于发热区内的欧姆源板极，栅板极和漏板极，采用不同设计使半导体装置内产生的热量均匀分布。第一例中在各个源板极和漏板极上形成平行于欧姆板极的镀金板极，在发热区中心部分的镀金板极最宽且从发热区中心朝向周边部分设置的镀金板极逐渐变窄。第二例中采用了垂直于欧姆板极的多个条状板极，这些板极间距是变化的。第三例中相对于与发热区中心的距离成反比例地变化半导体衬底的厚度。
可靠性能改善半导体装置

[发明专利]半导体器件及其制作方法-CN99102874.0无效
发明人：河野纯子;麻埜和则 -专利权人： NEC化合物半导体器件株式会社
申请日： 1999-03-11 - 公布日： 2004-05-19 - 主分类号： H01L23/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件，该器件能够将有源元件产生的热有效地传递给散热部件，同时提供了这种半导体器件的制作方法。在基片(如GaAs)上形成的有源元件的一个端子(如漏极)通过一层具有良好绝缘性和高热导率的绝缘部件(如氮化铝)与散热部件相接触。散热部件可以是与有源元件的另一端子相连的导电膜，也可以是封壳的散热片。
半导体器件及其制作方法

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