“鲍丽宏”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果8个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种厘米级三氧化钼单晶的制备方法-CN202010036020.X有效
发明人：陈建翠;鲍丽宏;高鸿钧 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2020-01-14 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C30B1/06 文献下载
摘要：一种制备厘米级三氧化钼单晶的方法，包括使作为材料源的三氧化钼粉末在空气中重结晶，其中，空气相对于材料源是稳定的、不流动的。本发明以三氧化钼粉末和空气为源，通过简单的实验装置和合成步骤，制备出了厘米级高质量单晶三氧化钼。本发明的方法与溶液反应法、电子束蒸发、化学气相沉积方法相比，本发明的方法设备简单、原料廉价易得且安全环保、操作稳定可靠。本发明的方法制备的单晶三氧化钼具有尺寸大、质量稳定、产率高等优点。同时，本发明制备的单晶三氧化钼在场效应晶体管、催化剂、传感器、光学材料等方面具有潜在而广泛的应用。
一种厘米氧化钼制备方法

[发明专利]基于同位素富集降低极化激元材料光学损耗的器件及方法-CN202110900319.X有效
发明人：赵永潜;陈佳宁;鲍丽宏;陈建翠 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2021-08-06 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于同位素富集来降低极化激元材料的光学损耗的器件，包括：单元素同位素富集的极化激元材料薄片；和所述极化激元材料薄片被置于其上的衬底。本发明的器件可以是高Q值纳米微腔，波导，耦合器等极化激元光子器件。本发明还涉及一种基于同位素富集来降低极化激元材料的光学损耗的方法。本发明制备工艺简单，在室温下用常规的散射型近场扫描显微镜激发，即可产生寿命长，光学损耗低的声子极化激元。
基于同位素富集降低极化材料光学损耗器件方法

[发明专利]一种基于固态离子导体的场效应器件-CN202010015202.9有效
发明人：周璋;鲍丽宏;高鸿钧 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2020-01-07 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：公开了一种基于固态离子导体的场效应器件。根据一实施例，基于固态离子导体的场效应器件包括：目标材料、源/漏电极、固态离子导体、栅压电极；其中，所述目标材料形成于所述固态离子导体之上，所述源/漏电极位于所述目标材料的两侧，所述栅压电极位于所述固态离子导体表面。本申请实施例的场效应器件，相较于传统的利用氧化物介电层的场效应器件对载流子浓度调控能力有较大的提升，场效应调控能力上限更高。
一种基于固态离子导体场效应器件

[发明专利]TEM样品的制备方法-CN201910338533.3在审
发明人：吴良妹;周武;鲍丽宏;钱凯;林晓;杜世萱;高鸿钧 -专利权人：中国科学院物理研究所;中国科学院大学
申请日： 2019-04-25 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： G01N23/2005 文献下载
摘要：本申请涉及TEM样品的制备方法。根据一实施例，一种TEM样品的制备方法可包括：在需表征材料表面覆盖二维材料，以形成具有二维材料保护层的样品；以及，使用所述样品制备具有二维材料保护层的TEM样品。本申请利用二维材料作为保护层来制备TEM样品，不仅可以使需表征材料隔离大气环境，而且可以在TEM样品制备过程中保护需表征材料，减小TEM样品制备过程中对需表征材料的损害，从而得到高质量的TEM样品。
tem 样品制备方法

[发明专利]一种基于二维材料的非易失存储器及其操作方法-CN201910204227.0在审
发明人：吴良妹;鲍丽宏;严佳浩;王爱伟;高鸿钧 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2019-03-18 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于二维材料的非易失存储器及其操作方法，属于存储器技术领域，其包括控制栅叠层、浮栅叠层、沟道层和沟道源漏电极，所述浮栅叠层位于所述控制栅叠层和所述沟道层之间；所述浮栅叠层中的浮栅层和隧穿绝缘层选用二维材料。本发明提供的一种基于二维材料的非易失存储器，以解决现有技术中存在的问题，提供了一种新型的采用二维材料构建的具有超快编程速度的非易失存储器，通过给控制栅加电压，源漏电极两端接地的方法来实现对浮栅存储器进行编程，完成写入和擦除的操作。
一种基于二维材料非易失存储器及其操作方法

[发明专利]用于多探针STM的分时复用控制装置及多探针STM-CN201711090168.6有效
发明人：郇庆;严佳浩;鲍丽宏;高鸿钧 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2017-11-08 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： G01Q60/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于多探针STM的分时复用控制装置及多探针STM，分时复用控制装置包括：与每个前置放大器的输出端相连的一个切换子单元，每个切换子单元连接至STM控制单元和对应的STM探针；与每个切换子单元相连的一个采样保持子单元；以及切换控制装置，其用于控制每个切换子单元将相连的前置放大器输出的电压信号输出至相连的一个采样保持子单元或STM控制单元，将相连的一个采样保持子单元输出的电压和/或STM控制单元输出的扫描管驱动电压输出至对应的STM探针的扫描管控制端，以及将STM控制单元输出的粗进针驱动电压输出至对应的STM探针的粗进针控制端。本发明实现STM控制单元的分时复用且减少了其数量。
用于探针 stm 分时控制装置包括

[发明专利]一种基于扫描探针技术的定位系统及其使用方法-CN201511006140.0在审
发明人：马瑞松;郇庆;鲍丽宏;高鸿钧 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2015-12-29 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： G01Q10/00 文献下载
摘要：本发明提供一种基于扫描探针技术的定位系统，包括：可以在第一扫描范围内三维自由移动的第一基体；安装在所述第一基体上的具有第一安装面的第一压电陶瓷装置，该第一安装面能够在第二扫描范围内相对于所述第一基体做三维自由移动；安装在所述第一安装面上的具有第二安装面的第二压电陶瓷装置，该第二安装面能够在第三扫描范围内相对于所述第一安装面做三维自由移动；以及固定在所述第二安装面上的探针；所述第二扫描范围的量级界于所述第一扫描范围和所述第三扫描范围之间，所述第一压电陶瓷装置的定位精度量级界于第一级定位机构和第二压电陶瓷装置的定位精度量级之间。本发明能够快速地定位所关注纳米结构；能够对纳米结构的移动进行跟踪。
一种基于扫描探针技术定位系统及其使用方法

[发明专利]硼纳米线的制备方法-CN200810101787.5有效
发明人：高鸿钧;刘飞;申承民;鲍丽宏;惠超 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2008-03-12 - 公布日： 2009-09-16 - 主分类号： C01B35/02 文献下载
摘要：本发明提供一种制备硼纳米线的方法，该方法将以硼粉、氧化硼和碳粉一起作为源材料，Fe₃O₄、Au或Fe纳米粒子作为催化剂，利用化学气相沉积CVD法合成硼纳米线，包括(a)将催化剂沉积在衬底上；(b)在保护气体的气氛下，在900-1200℃的温度将源材料和沉积了催化剂的衬底一起加热，通过化学气相沉积形成硼纳米线。
纳米制备方法

1
共 8 条