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[发明专利]一种存算一体芯片的嵌入式处理器、指令集及数据处理方法-CN201911240907.4有效
发明人：刘跃;吕毅;张诚;赵辉;高峥;徐翌;鲁辞莽 -专利权人：北京瀚诺半导体科技有限公司;北京大学;杭州闪亿半导体有限公司
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： G06F9/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种存算一体芯片的嵌入式处理器、指令集及数据处理方法。本方法为：1)嵌入式处理器通过数据输入接口直接从输入数据缓存中读取数据；2)当存算一体阵列进行人工神经网络计算时，将待处理数据送入存算一体阵列/逻辑，控制DAC将数据转换为模拟信号后进行矩阵乘加运算，然后控制ADC将运算结果转换为数字信号；3)嵌入式处理器读回运算结果并对其进行运算或者激活操作之后对中间数据进行缓存，然后判断是否为最后一层神经网络运算；4)如果不是最后一层，则循环进行步骤2)和步骤3)；如果是最后一层，则进行步骤5)；5)嵌入式处理器进行最终结果处理，判断人工神经网络识别结果，根据识别结果，确定是否将结果输出。
一种一体芯片嵌入式处理器指令数据处理方法

[发明专利]存储阵列模块及其控制方法、装置、模组-CN201910998411.7有效
发明人： 鲁辞莽 -专利权人：上海闪易半导体有限公司
申请日： 2019-10-21 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明提供一种存储阵列模块及其控制方法、装置、模组，存储阵列模块中设置有包括一个或多个并行的目标电流单元目标电流产生模块，该目标电流产生模块由多个存储单元组成，其存储单元中存储有预设的电流值，这些电流值的不同组合可以涵盖电流比特位精度所对应的所有电流值，同时，各存储单元的电流输出端并联后作为目标电流单元的输出端，这样，当通过控制端使得目标电流单元中不同的第二存储单元处于电流输出状态时，不同的存储单元提供预设的电流值，从而可以使得输出端的电流能够达到预设的比特位精度。
存储阵列模块及其控制方法装置模组

[发明专利]用于卷积运算的存储电路以及存储系统-CN202110223214.5在审
发明人： 鲁辞莽 -专利权人：上海芯山半导体有限公司
申请日： 2021-03-03 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： G06F17/15 文献下载
摘要：本发明提供一种用于卷积运算的存储电路以及存储系统，存储阵列包括多个子区域，子区域中的对角位置的非易失性存储器的栅极分别由电连线连接至选通器件，由选通器件控制对角线上的非易失性存储器的选通状态，这样，可以通过直接选通子区域中对角线上的非易失性存储器，实现输入信号与多对角稀疏矩阵的运算，该运算可以应用至卷积运算中，尤其是适用于输入信号与多个不同的卷积核的卷积运算，有利于提高存储资源的利用率以及电路的整体运算能力。与现有技术相比，相同的运算能力下，具有更小的矩阵规模。
用于卷积运算存储电路以及存储系统

[发明专利]存储计算阵列及模组、数据计算方法-CN201911323784.0在审
发明人：赵毅;鲁辞莽;高世凡 -专利权人：浙江大学;杭州闪亿半导体有限公司
申请日： 2019-12-19 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：本发明提供一种存储计算阵列及模组、数据计算方法，采用存储单元形成用于计算的阵列，存储单元由依次串接的存储节点组成，存储节点包括开关器件和阻式存储器，开关器件与阻式存储器串联或并联，存储单元的写入阻值通过控制开关器件的开关状态来改变阻式存储器的阻态而确定。由于阻式存储器具有不同的阻态，可以通过开关器件的开关状态使得阻式存储器处于不同的阻态，使得存储单元处于所需的写入阻值，从而，可以快速的实现存储节点的写入操作。
存储计算阵列模组数据计算方法

[发明专利]用于运算的存储器阵列的信号输入装置、存储器系统-CN201910271962.3在审
发明人： 鲁辞莽 -专利权人：杭州闪亿半导体有限公司
申请日： 2019-04-04 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： H03M1/66 文献下载
摘要：本发明提供一种用于运算的存储器阵列的信号输入装置，通过数字信号暂存及译码模块，将一组数字输入信号暂存，并译码为一组控制信号，该控制信号提供给多路选通模块作为选通控制信号，而电源模块提供了多个大小不同的电源信号，这些不同的电源信号分别连接到多路选通模块的不同的输入端上，在每个控制信号的控制下，多路选通模块选通相应的电压信号并在输出端上进行输出。该装置为全局化的数字模拟转换装置，消除不同输入之间数模转换性能偏差，无模拟信号输出切换，并有助于降低设计面积及成本。
多路选通模块信号输入装置存储器阵列电源信号暂存运算数字模拟转换装置控制信号提供模拟信号输出数字输入信号选通控制信号存储器系统组控制信号电压信号电源模块控制信号数模转换数字信号性能偏差译码模块输出端输入端选通译码输出全局

[发明专利]GaN基脊型激光二极管的制备方法-CN201110380608.8无效
发明人： 鲁辞莽;康香宁;胡晓东;陈伟华;张国义;秦志新;吴洁君;于彤军;陈志忠 -专利权人：北京大学
申请日： 2011-11-25 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种脊型GaN基激光二极管的制备方法，该方法通过在干法蚀刻脊型和沉积绝缘层之前在脊型的顶部掩埋一层不透明挡光层，阻止紫外光对脊型顶部光刻胶的曝光，然后通过背向曝光技术实现第二次光刻，继而可以采用湿法腐蚀绝缘层窗口，接着借助对该挡光层的腐蚀实现对残余绝缘层的剥离。本发明同时解决了目前脊型激光器电极窗口对准困难和绝缘层侧向腐蚀条件难于把握。
gan 基脊型激光二极管制备方法