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[发明专利]具有改良屏蔽的阶梯式间接加热阴极-CN202180043817.5在审
发明人：威廉·普拉托维;奈尔·巴森;舒·佐藤;保罗·西尔弗斯坦;马文·法利 -专利权人：艾克塞利斯科技公司
申请日： 2021-06-16 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：用于形成一等离子体的离子源，具有阴极，该阴极具有一空腔及界定阴极阶梯的阴极表面。灯丝安置于该空腔内。一阴极屏蔽件具有至少部分地包围所述阴极表面的阴极屏蔽件表面。一阴极间隙形成于所述阴极表面与阴极屏蔽件表面之间，界定用于限制该等离子体穿过该间隙的弯曲路径。所述阴极表面可具有由第一阴极直径及第二阴极直径所界定的阶梯式圆柱形表面，该第一阴极直径及第二阴极直径彼此不同，以界定该阴极阶梯。该阶梯式圆柱形表面可为一外表面或一内表面。该第一阴极直径及第二阴极直径可为同心的或轴向偏心的。
具有改良屏蔽阶梯间接加热阴极

[发明专利]加热或冷却晶片的设备及方法-CN201780034185.X有效
发明人： 马文·法利;迈克·艾明;科森·柯-查恩·简 -专利权人：艾克塞利斯科技公司
申请日： 2017-05-30 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明涉及一种离子注入系统，其包括第一腔室以及具有加热夹盘的处理腔室。控制器在加热夹盘与第一腔室之间转移工件并选择性激励加热夹盘的第一模式和第二模式。在第一模式和第二模式下，分别将加热夹盘加热到第一温度和第二温度。第一温度是预定温度。第二温度是可变温度，由此控制器基于第一腔室中的热预算、注入能量和/或工件初始温度来确定第二温度，并且在第二模式下大体上维持第二温度。将工件从加热夹盘转移至第一腔室在第二模式下从处理腔室移除注入能量。通过在加热夹盘与冷却板之间转移工件，可以进一步将热量从加热夹盘传递至冷却板，继而冷却加热夹盘。
加热冷却晶片设备方法

[发明专利]双极性晶片电荷监测器系统及包含其的离子注入系统-CN201680010096.7有效
发明人： 马文·法利;坂瀬高尾;约瑟夫·福利 -专利权人：艾克塞利斯科技公司
申请日： 2016-02-24 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01J37/304 文献下载
摘要：本发明提供用于在离子注入期间确定工件经历的累积电荷的设备及方法。在一方面，提供具有朗缪耳探针(126)的电荷监测器，其中正电荷整流器(136)和负电荷整流器(138)可操作地耦合至所述探针并且各自被配置成仅传输正电荷和负电荷；正电流积分器(140)可操作地耦合至所述正电荷整流器(136)，其中所述正电流积分器经由正临界电压(142)而偏压，并且其中所述正电流积分器被配置成至少部分基于所述正临界电压输出正剂量(144)；负电流积分器(150)可操作地耦合至所述负电荷整流器(138)，其中所述负电流积分器经由负临界电压(152)而偏压，并且其中所述负电流积分器被配置成至少部分基于所述负临界电压输出负剂量(154)；正电荷计数器(146)和负电荷计数器(156)被配置成各自接收来自所述正电流积分器和负电流积分器的输出，以便提供与各自正电荷和负电荷相关联的各自累积正电荷值(148)和累积负电荷值(158)。
极性晶片电荷监测器系统包含离子注入

[发明专利]离子注入系统及具有可变能量控制的方法-CN201580004882.1有效
发明人：科松·柯-泉珍;马文·法利 -专利权人：艾克塞利斯科技公司
申请日： 2015-03-06 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： H01J37/302 文献下载
摘要：本发明提出一种用于跨工件(200)以改变的能量注入深度(208，212)的离子注入系统及方法。所述系统包括配置成将掺杂物气体离子化成多个离子且形成离子束(202)的离子源。质量分析器位于离子源的下游且配置成对离子束加以质量分析。减速/加速级位于质量分析器的下游。能量过滤器可以构成减速/加速级的一部分或者可以位于减速/加速级的下游。设置终端站，该终端站具有与其相关的工件支撑件，用于将工件设置在离子束之前。扫描装置配置成相对于彼此来扫描(204)所述离子束及所述工件支撑件中的一或多个。一个或多个电源可操作地耦接至离子源、质量分析器、减速/加速级、以及能量过滤器中的一个或多个。控制器配置成在扫描离子束和/或工件支撑件的同时选择性改变一个或多个分别供应至减速/加速级以及能量过滤器中的一个或多个的电压，其中一个或多个电压的选择性改变至少部分基于离子束相对工件支撑件的位置。
离子注入系统具有可变能量控制方法

[发明专利]用于带状束的离子束角度校准和发射度测量系统-CN201080005104.1有效
发明人： 马文·法利;罗纳德·博尔纳;杰弗里·莱丁;西奥多·斯米克;高尾坂濑;罗纳德·霍纳;爱德华·艾伊斯勒;布赖恩·弗瑞尔;马克·朗伯;多诺万·贝克尔;保罗·艾德 -专利权人：艾克塞利斯科技公司
申请日： 2010-01-22 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： H01J37/244 文献下载
摘要：一种离子束角度校准和发射度测量系统(200)，包括：其中具有细长缝(204)的板，其中细长缝位于板的转动中心，并用于使第一束部分(213)在其中穿过。束电流探测器(202)位于板的下游，其中束电流探测器包括缝(208)，用于使第一束部分的第二束部分(215)从中穿过，其中束电流探测器用于测量与第一束部分相关的第一束电流。束角度探测器(206)位于束电流探测器的下游，用于探测与第二束部分相关的第二束电流。所述板、束电流探测器和束角度探测器被设置为共同围绕所述板的转动中心旋转。
用于带状离子束角度校准发射测量系统

[发明专利]低惯性多轴多方向机械扫描离子注入系统-CN200980123733.1有效
发明人：西奥多·斯米克;保罗·艾德;杰弗里·莱丁;马文·法利;罗纳德·霍纳;织田简 -专利权人：艾克塞利斯科技公司
申请日： 2009-06-23 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： H01J37/20 文献下载
摘要：提供了一种被配置用于制造离子束(210)的离子注入系统(100)，其中，末端站(216)具有机器人构造(250)，所述机器人构造(250)具有至少四个自由度。被可操作地连接至机器人构造的末端执行器(229)选择性地抓紧工件(228)以及使工件(228)平移通过离子束。机器人构造具有可操作地连接至末端站的多个电机(254)，每个电机具有旋转轴(256)。每个旋转轴的至少一部分通常位于末端站内，多个电机中的每个电机具有分别与之相关联的连杆组件(252)，其中每个连杆组件分别具有曲轴臂(258)和支柱(260)。每个连杆组件的曲轴臂被固定地连接至各自的旋转轴，以及每个连杆组件的支柱在第一接头(262)处被枢转地连接至各自的曲轴臂，并且在第二接头(264)处被枢转地连接至末端执行器。
惯性多方机械扫描离子注入系统

[发明专利]用于离子注入系统的减速后的磁性能量过滤器-CN200980123998.1有效
发明人：杰弗里·瑞丁;马文·法利;博·范登伯格;西奥多·史密克;高尾坂濑 -专利权人：艾克塞利斯科技公司
申请日： 2009-06-23 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： H01J37/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于在离子注入工件(228)期间磁性过滤离子束(210)的系统(200)及方法，其中从离子源(212)发射离子且加速离子使其远离离子源以形成离子束。离子束由质谱仪(214)进行质量分析，其中离子是选定的。一旦离子束进行质量分析，离子束接着通过减速器(242)被减速，且在减速的下游进一步磁性过滤离子束。磁性过滤由四极磁性能量过滤器(250)提供，其中形成磁场，用于截取离开减速器的离子束中的离子，以选择性地过滤不想要的离子和快速中性粒子(264)。
用于离子注入系统减速磁性能量过滤器

[发明专利]离子束导管-CN200810167498.5有效
发明人：杰弗里·赖丁;格雷戈里·罗伯特·奥尔科特;李·斯普拉根;罗伯特·米切尔;马丁·希尔金;马修·卡斯尔;马文·法利 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2008-10-10 - 公布日： 2009-08-12 - 主分类号： H01J37/02 文献下载
摘要：本发明提供一种离子束导管。还提供具有这种离子束导管的离子注入器。该导管在该注入器中位于与待注入晶片相邻的位置，以在注入期间限制用于晶片中和的带电粒子，该导管包括一个或多个壁，所述一个或多个壁限定了穿过该导管以允许离子束通过的中心钻孔，其中所述一个或多个壁被构成为使得该中心钻孔逐渐变细。有利地，由于导管具有向外逐渐变细的中心钻孔，由此缓解了当离子束通过导管时射束撞击的问题。
离子束导管

[发明专利]衬底注入方法以及实施该方法的离子注入器-CN200710152074.7无效
发明人：阿德里安·默雷尔;伯纳德·哈里森;彼得·爱德华兹;彼得·金德斯利;逆濑卓郎;马文·法利;佐藤修;杰弗里·吕丁 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2003-03-21 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：注入器提供对衬底的相对于注入射束的二维扫描，使得射束在衬底上画出扫描线的栅格。在离开衬底的转折点对射束电流进行测量，并且电流值被用来控制随后的快速扫描速度，以补偿射束电流的任何变化对慢速扫描方向上的剂量均匀性的影响。该扫描可以产生不相交的、均匀间隔的平行扫描线的栅格，并且线之间的间距被选择以确保适当的剂量均匀性。
衬底注入方法以及实施离子

[发明专利]可移动元件的多向扫描和其离子束监测设备-CN200710110708.2无效
发明人：西奥多·H·斯米奇克;逆濑卓郎;弗兰克·D·罗伯茨;杰弗里·吕丁;马文·法利;阿德里安·默雷尔;彼得·爱德华兹;伯纳德·哈里森 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2003-03-21 - 公布日： 2008-02-27 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体处理装置，该装置提供衬底或晶片夹持器(180)的扫描臂(60)在至少两个通常正交方向(所谓X－Y扫描)上运动。在第一方向上的扫描是纵向贯穿在真空室壁上孔(55)。臂(60)通过一个或多个直线式电动机(90A、90B)往复运动。臂(60)使用万向空气轴承相对于导引板(100)支撑，以便于为臂相对于导引板(100)提供悬臂支撑。为臂(60)进入真空室的适应性穿通装置(130)然后担当真空密封和引导件，但其自身不要提供轴承支撑。法拉第(450)被连接到邻近衬底夹持器(180)的臂(60)，以允许在注入之前和过程中实现束分布的确定。法拉第(450)可以替代地或另外地被安装邻近所述衬底夹持器的后部或与其成90°，并且所述衬底支撑被颠倒或水平并脱离束线，以允许在注入之前实现束分布的确定。
移动元件多向扫描离子束监测设备

[发明专利]衬底注入方法以及实施该方法的离子注入器-CN200510002060.8有效
发明人：阿德里安·默雷尔;伯纳德·F·哈里森;彼得·艾弗·图德·爱德华兹;彼得·金德斯利;克雷格·劳里;彼得·迈克尔·班克斯;逆濑卓郎;马文·法利;佐藤修;杰弗里·吕丁 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2005-01-12 - 公布日： 2005-11-02 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明提供了一种衬底注入方法以及实施该方法的离子注入器。注入器相对于注入射束提供对衬底的二维扫描，使得射束在衬底上画出扫描线的栅格。在离开衬底的转折点对射束电流进行测量，并且电流值被用来控制随后的快速扫描速度，以补偿射束电流的任何变化对慢速扫描方向上的剂量均匀性的影响。该扫描可以产生不相交的、均匀间隔的平行的扫描线的栅格，并且线之间的间距被选择以确保适当的剂量均匀性。
衬底注入方法以及实施离子

[发明专利]衬底注入方法以及实施该方法的离子注入器-CN03808121.0有效
发明人：阿德里安·默雷尔;伯纳德·哈里森;彼得·爱德华兹;彼得·金德斯利;逆濑卓郎;马文·法利;佐藤修;杰弗里·吕丁 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2003-03-21 - 公布日： 2005-07-27 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：注入器提供对衬底的相对于注入射束的二维扫描，使得射束在衬底上画出扫描线的栅格。在离开衬底的转折点对射束电流进行测量，并且电流值被用来控制随后的快速扫描速度，以补偿射束电流的任何变化对慢速扫描方向上的剂量均匀性的影响。该扫描可以产生不相交的、均匀间隔的平行扫描线的栅格，并且线之间的间距被选择以确保适当的剂量均匀性。
衬底注入方法以及实施离子

[发明专利]可移动元件的多向扫描和其离子束监测设备-CN03808120.2无效
发明人：西奥多·H·斯米奇克;逆濑卓郎;弗兰克·D·罗伯茨;杰弗里·吕丁;马文·法利;阿德里安·默雷尔;彼得·爱德华兹;伯纳德·哈里森 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2003-03-21 - 公布日： 2005-07-27 - 主分类号： H01J37/20 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体处理装置，该装置提供衬底或晶片夹持器(180)的扫描臂(60)在至少两个通常正交方向(所谓X－Y扫描)上的移动。在第一方向上的扫描是纵向穿过在真空室壁上开口(55)。臂(60)通过一个或多个直线式电动机(90A、90B)往复运动。臂(60)使用万向空气轴承相对于滑片(100)支撑，以便于为臂相对于滑片(100)提供悬臂支撑。用于臂(60)的进入真空室的适应性穿通装置(130)然后作为真空密封和导引，但其自身不需要提供轴承支撑。法拉第(450)被连接到邻近衬底夹持器(180)的臂(60)，以允许在注入之前和过程中实现射束分布的确定。法拉第(450)可以替代地或另外地被安装邻近所述衬底夹持器的后部或与其成90°，并且所述衬底支撑被颠倒或水平并脱离射束线，以允许在注入之前实现射束分布的确定。
移动元件多向扫描离子束监测设备

[发明专利]一个离子束注入系统-CN88108755.6无效
发明人： 马文·法利 -专利权人：伊顿有限公司
申请日： 1988-12-23 - 公布日： 1992-08-19 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：一种离子束注入系统，包括一个离子束中和器(10)，高能电子(40)被引导通过离子束中性化区域或含有可电离气体的区域。当高能电了与气体分子碰撞时，电离气体分子产生低能电子，它被带正电的离子束(14)浮获，当高能电子穿过中性化区域后，它们被一圆柱导体(30)和一加速栅极(50)偏转回中性化区域，该圆柱导体(30)被偏置得能偏转高能电子，栅极能加速电子返回束中性化区域。
一个离子束注入系统

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