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[发明专利]第四纪石盐样品U-Th定年和Mg同位素分析的方法-CN202310279421.1有效
发明人：王学锋;陈安东;王立胜;马志邦 -专利权人：中国科学院地质与地球物理研究所
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G01N27/626 文献下载
摘要：本发明涉及一种第四纪石盐样品U‑Th定年和Mg同位素分析的方法，属于同位素分析技术领域，解决了现有技术中无法利用一份石盐样品同时提取U、Th、Mg同位素，样品消耗量多，Na+含量高造成测试灵敏度低等问题。所述的方法包括：消解石盐样品，加入稀释剂内校，得到第一溶液；向第一溶液中依次加入NaOH、FeCl3溶液，分离得到沉淀物，用HNO3溶液溶解，得到第二溶液；用阴离子、阳离子交换树脂对U、Th和Mg分离纯化，收集U、Th、Mg同位素上机溶液；利用多接受电感耦合等离子体质谱仪测试。本发明实现了一份石盐样品可以同时提取U、Th和Mg同位素，实现对石盐的U‑Th定年，同时得到Mg同位素组成。
第四纪石盐样品 th mg 同位素分析方法

[发明专利]基于氢氧化镁共沉淀进行第四纪白钠镁矾样品U-Th定年方法-CN202310279419.4有效
发明人：王学锋;王立胜;陈安东;马志邦 -专利权人：中国科学院地质与地球物理研究所
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G01N27/626 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于氢氧化镁共沉淀进行第四纪白钠镁矾样品U‑Th定年的方法，属于同位素分析技术领域，解决了现有技术中Fe(OH)3共沉淀法富集U、Th流程繁琐、易带来外源Th污染的问题；Na+含量高造成测试灵敏度低等问题。本发明的方法包括：制备白钠镁矾粉末样品；依次加入纯水、浓盐酸、稀释剂，得到第一溶液；向第一溶液中加入氨水溶液，得到Mg(OH)2沉淀，离心分离，沉淀用HNO3溶液消解，得到第二溶液；用阴离子交换树脂对U、Th分离纯化，收集U、Th同位素上机溶液；利用多接受电感耦合等离子体质谱仪进行测试，得到样品U‑Th年龄。本发明实现了简单、快速、高效对白钠镁矾样品进行U‑Th定年。
基于氢氧化镁共沉淀进行第四纪白钠镁矾样品 th 方法

[实用新型]直接飞行时间DToF传感器-CN202123408405.3有效
发明人：王万胜;杨骁;马志邦;史斌;刘丹 -专利权人：上海惚恍微电子科技有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： G01S7/483 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种直接飞行时间DToF传感器，所述DToF传感器包括：单光子雪崩二极管SPAD单元，被配置为当偏置电压大于雪崩击穿电压时，根据光生载流子产生雪崩电流，初始化电路，其配置为对直接飞行时间传感器进行初始化，并且对电路重置阶段由暗计数及环境光造成的雪崩进行采集，淬灭电路，其被配置为用于淬灭雪崩电流，时间数字转换器TDC，其被配置为用于记录SPAD单元的击穿时刻信息，以及存储器，其被配置为用于存储关于所述TDC记录的击穿时刻信息的直方图。
直接飞行时间 dtof 传感器

[发明专利]直接飞行时间DToF传感器及其延迟校正方法-CN202111660217.1在审
发明人：王万胜;杨骁;马志邦;史斌;刘丹 -专利权人：上海惚恍微电子科技有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： G01S7/483 文献下载
摘要：本发明提供了一种直接飞行时间DToF传感器及其延迟校正方法，所述DToF传感器包括：单光子雪崩二极管SPAD单元，被配置为当偏置电压大于雪崩击穿电压时，根据光生载流子产生雪崩电流，初始化电路，其配置为对直接飞行时间传感器进行初始化，并且对电路重置阶段由暗计数及环境光造成的雪崩进行采集，淬灭电路，其被配置为用于淬灭雪崩电流，时间数字转换器TDC，其被配置为用于记录SPAD单元的击穿时刻信息，以及存储器，其被配置为用于存储关于所述TDC记录的击穿时刻信息的直方图。
直接飞行时间 dtof 传感器及其延迟校正方法

[发明专利]一种石膏样品U-Th定年的化学前处理方法-CN202011574723.4有效
发明人：王学锋;王立胜;马志邦 -专利权人：中国科学院地质与地球物理研究所
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2022-01-21 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种石膏样品U‑Th定年的化学前处理方法，属于地质年代学同位素定年，解决了现有技术中石膏样品消解困难；石膏容易重结晶析出，造成U、Th同位素纯化分离困难；化学前处理周期长；容易存在外来元素污染的问题。本发明的石膏样品U‑Th定年的化学前处理方法，包括：将石膏样品超声清洗，挑选，干燥；将干燥后的石膏碎片研磨成粉末，充分混合均匀，得到石膏粉末样品；称量石膏粉末样品，置于第一容器中；向第一容器中加入229Th‑233U‑236U稀释剂进行内校，蒸干；对石膏粉末样品进行消解；使用离子交换树脂对U‑Th进行纯化分离，分别收集含Th离子和U离子溶液，蒸干，分别得到含Th固体和含U固体。本技术方法实现了对石膏样品的快速、准确的U‑Th定年。
一种石膏样品 th 化学处理方法

[发明专利]一种小样品量的第四纪土壤碳酸盐的定年方法-CN202010271975.3有效
发明人：王立胜;马志邦;王学锋 -专利权人：中国科学院地质与地球物理研究所
申请日： 2020-04-09 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： G01N30/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种小样品需求量的第四纪土壤碳酸盐的定年方法，是采用MC‑ICPMS测试U/Th同位素比值，进行等时线年龄计算，其特征在于，U‑Th分离与纯化中采用改性强碱性阴离子交换树脂，所述改性强碱性阴离子交换树脂是将氯甲基苯乙烯‑二乙烯基苯共聚物微球和长链叔胺以及环状叔胺反应后得到。应用本发明定年方法可将样品的用量控制在10‑20mg，测试5个子样品共需的总样品用量降至0.05～0.1g，可以使得测试的样品消耗量降低一到两个数量级，极大地减少了大用样量导致的多期次样品的混染，从而保证了检测的准确性，在微量样品年代学方面有巨大的应用前景。
一种样品第四纪土壤碳酸盐方法

[发明专利]一种第四纪海底热液硫化物年代的测试方法-CN202010275705.X有效
发明人：王立胜;马志邦;王学锋 -专利权人：中国科学院地质与地球物理研究所
申请日： 2020-04-09 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： G01N30/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种第四纪海底热液硫化物年代的测试方法，是采用MC‑ICPMS测试海底热液硫化物的U/Th同位素比值，进行230Th铀系年龄计算，其特征在于，U‑Th分离与纯化中采用含有季铵盐基团的改性强碱性阴离子交换树脂，所述改性强碱性阴离子交换树脂是氯甲基苯乙烯‑二乙烯基苯共聚物微球和长链叔胺以及螺环状叔胺反应后得到。按照本发明检测方法使得海底多金属硫化物测年样品用量更小，耗酸量更小，操作简单，样品溶解更完全，年代测试数据更准确，数据可靠性和可重复性更好。本技术操作简单，可以测定第四纪海底硫化物的铀钍年龄，样品量仅需数十毫克，测得的U、Th同位素比值精度可优于5‰。
一种第四纪海底热液硫化物年代测试方法

[实用新型]一种用于清洗实验器皿的清洗装置-CN202020193718.8有效
发明人：王立胜;马志邦 -专利权人：中国科学院地质与地球物理研究所
申请日： 2020-02-21 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： B08B9/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于清洗实验器皿的清洗装置，该清洗装置包括清洗容器，清洗容器内从下至上依次放置有下隔板、中隔板和上隔板，在下隔板与中隔板之间，以及中隔板与上隔板之间，分别竖立放置有多根支撑立柱，下层的多根支撑立柱支撑中隔板，上层的多根支撑立柱支撑上隔板；并且，所述下隔板、中隔板和上隔板分别开设有多个通孔。通过设计多层的隔板和支撑立柱结构，使得样品瓶不会发生堆叠和倾倒，能清洗更多的样品瓶，保证清洗的效率和效果。本装置能在酸碱试剂中使用，制作简单，使用方便，简单耐用。
一种用于清洗实验器皿装置

[发明专利]一种适于U系回归线测年模式的冷泉碳酸盐样品处理方法-CN201810602666.2有效
发明人：王立胜;马志邦;王学锋 -专利权人：中国科学院地质与地球物理研究所
申请日： 2018-06-12 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： G01N1/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种适于U系回归线测年模式的冷泉碳酸盐样品处理方法，所述处理方法包括对样品的分相处理和化学纯化处理，分相处理是通过将冷泉碳酸盐的粉末样品加入混合重液中，通过加大混合重液中密度较小的重液所占比重，使混合重液的密度逐渐下降，借助样品中不同矿物的密度和粒度的差异性，先后从混合重液中析出若干个子样品。本发明适于对不纯冷泉碳酸盐样品进行物理分选，避免铀钍同位素发生分馏的现象；同时进一步地配合条件优化的化学纯化处理方法，使经处理的冷泉碳酸盐样品适于U系回归线测年模式。经实验证明，利用本发明的方法，可获得准确可靠的²³⁰Th年龄数据。
碳酸盐重液回归线化学纯化样品处理析出粉末样品年龄数据条件优化物理分选逐渐下降同位素差异性分馏矿物铀钍配合

[发明专利]发光二极管及其制作方法-CN201710582642.0有效
发明人：谢创宇;卢怡安;王笃祥;吴超瑜;马志邦 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2017-07-17 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管及其制作方法，其中所述发光二极管的制作方法包括步骤：（1）提供一外延结构，包含第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层，具有相对的第一表面和第二表面，其中第一表面为出光面；（2）在所述外延结构的第二表面上形成一图形化的金属欧姆接触层，裸露出部分所述外延结构的第二表面；（3）在裸露出的外延结构第二表面之上沉积一透光性绝缘层，其在所述金属欧姆接触层的位置形成开口部，裸露出所述金属欧姆接触层的部分表面；（4）在所述透光性绝缘层上形成金属反射层，并向所述开口延伸，与所述金属欧姆接触层接触，从而在所述外延结构的第二表面上形成全方位反射镜。
第二表面外延结构金属欧姆接触层发光二极管透光性绝缘层类型半导体第一表面制作全方位反射镜金属反射层出光面开口部图形化源层沉积开口延伸

[发明专利]发光二极管及其制作方法-CN201610267719.0有效
发明人：金超;谢创宇;谢振刚;王笃祥;吴超瑜;马志邦 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2016-04-27 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种发光二极管及其制作方法，其结构包括：发光外延叠层，包括第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层，具有相对的第一表面和第二表面，其中第一表面为出光面；导电层，形成于所述发光外延叠层的第二表面，包括物理镀膜层和化学镀膜层，其中所述物理镀膜层邻近所述发光外延叠层，具有裂缝，所述化学镀膜层填充所述物理镀膜层中的裂缝；基板，通过所述导电层与所述发光外延叠层连接。本发明利用真空蒸镀与化学镀膜结合的方法形成导电层，从而在真空蒸镀过程产生的缝隙中填充金属，增加电流导通面积，降低电压，改善ESD性能。
发光二极管及其制作方法

[实用新型]晶片寻边器-CN201620904781.1有效
发明人：朱海丹;谢创宇;王笃祥;吴超瑜;马志邦 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2016-08-19 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种晶片寻边器，其包括框架、转动轴和滚轮，所述框架包含前挡板、后挡板及连接前、后挡板的连接支架，所述转动轴与前、后挡板轴连接，并贯穿所述前挡板；所述滚轮安装于转动轴上，并随转动轴旋转，其特征在于还设有角度刻度盘，其与所述转动轴同轴设置。本实用新型之晶片寻边器在转动轴的一侧同轴设置角度刻度盘，能够实现快速寻找晶片的平边并精确定位晶片平边的角度。
晶片寻边器

[实用新型]一种半导体制造设备-CN201620203642.6有效
发明人：刘龙;武超;宋超;谷辰忠;潘冠甫;马志邦;吴超瑜;王笃祥 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2016-03-17 - 公布日： 2016-09-28 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供了：一种半导体制造设备，包括：工作腔，至少具有一个开口；输气装置，输出高洁净度气体，并在所述工作腔的开口处形成气帘，阻挡外界粉尘进入工作腔内部，所述高洁净度气体的洁净度高于或等于所述机设备正常工作时所要求的工作环境中气体的洁净度。
一种半导体制造设备

[实用新型]一种用于镀膜的衬锅-CN201620258964.0有效
发明人：王丽萍;谢创宇;谢振刚;王笃祥;吴超瑜;马志邦 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2016-03-31 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于镀膜的衬锅，具有底部和与所述底部连接的侧壁，所述衬锅的侧壁外侧具有突出于所述侧壁的支撑部，当所述衬锅放置于坩埚内进行加热或冷却时，其侧壁通过所述支撑部与所述坩埚接触，接触面积小于所述衬锅的侧壁的表面积。所述衬锅在周围增加支撑部，在保持体尺寸不变的情况下，减小坩埚与冷却装置的接触面积，使得蒸镀金属在电子束轰击下，获得较好的保温效果。
一种用于镀膜

[实用新型]一种晶片键合治具-CN201520289827.9有效
发明人：韩雪松;谢创宇;王笃祥;吴超瑜;马志邦 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2015-05-07 - 公布日： 2015-08-19 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶片键合治具，其包括相互配合的上座和下座，其中间区域用于放置键合晶片，其特征在于：所述下座上表面的外沿处设定一带有弹性系数的平边定位装置和晶片定位柱，所述晶片定位柱位于所述平边定位装置所在位置的远端。在治具边缘增加具有弹性系数的平边定位装置，键合作业时使粘合的晶片平边与平边定位装置接触，通过带有弹性系数的装置将定位器—晶片平边远端定位柱固定成一种稳定结构，从而防止高温高压下键合晶片旋转错位。
一种晶片键合治具

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