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[发明专利]具有追踪功能的太阳能电池制造方法及其所用的追踪系统-CN202011279321.1有效
发明人： 马哲国;朱帆;陈金元 -专利权人：理想万里晖半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种具有追踪功能的太阳能电池制造方法及其所用的追踪系统。所述系统包括第一至第七绑定模块、第一至第五存储模块以及追踪模块。第一绑定模块用于针对放入清洗硅片盒的对应硅片槽的每个硅片生成唯一的虚拟标识码，并将虚拟标识码逐一绑定至由第一转载时间、清洗硅片盒标识码及其对应硅片槽编号组成的第一组合码；其他绑定模块用于将虚拟标识码绑定至相应的其他组合码；各个存储模块用于存储每个硅片的虚拟标识码、对应的工艺及其开始时间、终止时间及设备编码；追踪模块用于根据每个电池片的I‑V测试结果及其对应的虚拟标识码对清洗制绒工艺、第一PECVD、第二PECVD、PVD成膜工艺、丝网印刷工艺及各自对应的设备中至少一个进行追踪。
具有追踪功能太阳能电池制造方法及其所用系统

[发明专利]PVD设备以及PVD沉积方法-CN202310451910.0在审
发明人： 马哲国;张云飞;王宇宙;闫涛 -专利权人：理想万里晖半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供PVD设备以及PVD沉积方法。所述PVD设备包括多个布置在溅射腔中的磁控溅射旋转阴极，所述磁控溅射旋转阴极包括靠近溅射腔入口的第一旋转阴极以及位于第一旋转阴极与溅射腔出口之间的多个第二旋转阴极，所述第一旋转阴极的直径为所述第二旋转阴极的直径的50％‑80％，所述第一旋转阴极的工作功率为所述第二旋转阴极的工作功率的50％‑60％，所述第一旋转阴极与所述第二旋转阴极具有相同的换耙周期。本发明能抑制换靶初期太阳能电池效率的降低，能提高成膜均匀性以及靶材利用率，能提高PVD设备的运行时间及换靶周期。
pvd 设备以及沉积方法

[发明专利]点燃系统-CN202111568472.3在审
发明人： 马哲国;欧阳亮;朱帆;董家伟;陈金元 -专利权人：理想万里晖真空装备（泰兴）有限公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种点燃系统。所述点燃系统用于点燃等离子体处理设备反应腔中的反应气体，包括：串联连接的第一电阻及第二电阻，其与设置在反应腔中的上极板、下极板并联连接，并与匹配器串联连接；电压测量模块，其用于检测与地电性连接的第一电阻上的电压，在测量到为零时发送第一触发信号，在测量到为预设负偏压时发送第二触发信号；以及控制模块，其用于控制射频电源输出点燃电能以对反应气体进行点燃，其在接收到第二触发信号时判定点燃成功，其在接收到第一触发信号时控制射频电源进行重新点燃，累计点燃次数并判断点燃次数是否达到预设次数，若达到则判定点燃失败，否则继续进行点燃且累计点燃次数。本发明能提高点燃成功率。
点燃系统

[发明专利]用于制造埋栅太阳能电池的方法以及埋栅太阳能电池-CN202211087653.9在审
发明人： 马哲国 -专利权人：理想万里晖半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2022-09-07 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明提供用于制造埋栅太阳能电池的方法以及埋栅太阳能电池。所述埋栅太阳能电池包括单晶硅片，所述单晶硅片正面上依次形成有第一本征非晶硅层以及第一氮化硅减反层，所述单晶硅片反面上开设有多个凹槽，所述多个凹槽中设置有电镀电极，所述单晶硅片反面上依次形成有第二本征非晶硅层以及第二氮化硅减反层，连接导线通过由激光焊接工艺形成的焊点与硅片两端的电镀电极焊接连接，所述多个凹槽的槽壁为N型重掺层或P型重掺层，相邻凹槽槽壁的重掺杂类型相反。本发明能提高太阳能电池的填充因子以及电池效率，降低太阳能电池的制造成本。
用于制造太阳能电池方法以及

[发明专利]PECVD设备及其所用的PECVD镀膜方法-CN202010660344.0有效
发明人：杨华新;马哲国;董家伟;王慧慧;耿茜 -专利权人：上海理想万里晖薄膜设备有限公司
申请日： 2020-07-10 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： C23C16/54 文献下载
摘要：本发明提供PECVD设备及其所用的PECVD镀膜方法。该PECVD设备包括：外腔；设置在外腔内的内腔上盖；滚轮模块，其设置在外腔内并位于内腔上盖下方，其包括多个滚轮组、驱动多个滚轮组升降以在托盘接送位和托盘封闭位之间移动的第一驱动模块、驱动多个滚轮组转动从而驱动托盘水平移动的第二驱动模块；以及控制模块，其配置成控制第二驱动模块驱动多个滚轮组在托盘接送位接收水平送入外腔的托盘并将其水平传送到位，并在到位后控制第一驱动模块向上驱动多个滚轮组使其进入托盘封闭位而顶推其所支撑的托盘在边缘处与内腔上盖相压靠，从而形成由内腔上盖和托盘构成的、用于进行PECVD成膜工艺的内腔。本发明能提高成膜质量、传送速度，并能降低设备故障率和成本。
pecvd 设备及其所用镀膜方法

[实用新型]等离子体处理设备-CN202121813877.4有效
发明人： 马哲国;陈金元;欧阳亮;董家伟 -专利权人：上海理想万里晖薄膜设备有限公司
申请日： 2021-08-05 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型提供一种等离子体处理设备。所述等离子体处理设备包括射频电源模块，所述射频电源模块包括并联连接的第一射频电源以及第二射频电源，还包括与并联的电源串联连接且用于将其供电叠加后进行馈送的馈电单元，所述第一射频电源的频率为甚高频30MHz‑300MHz，所述第二射频电源的频率低于所述第一射频电源的频率。本实用新型能抑制驻波效应，改善镀膜均匀性。
等离子体处理设备

[发明专利]用于制造异质结太阳能电池的方法及异质结太阳能电池-CN202111114265.0在审
发明人： 马哲国;陈金元 -专利权人：上海理想万里晖薄膜设备有限公司
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明提供一种用于制造异质结太阳能电池的方法以及异质结太阳能电池。所述方法首先通过制绒清洗工艺对N型单晶硅片进行制绒清洗；然后通过本征PECVD工艺在N型单晶硅片的正反面上分别形成第一、第二本征非晶硅层；接着通过第一、第二、第三N型PECVD工艺分别在第一本征非晶硅层上依次形成第一、第二以及第三N型非晶微晶混合层；接着通过P型PECVD工艺在第二本征非晶硅层上形成P型非晶硅层；然后在第三N型非晶微晶混合层以及P型非晶硅层上分别形成第一以及第二透明导电膜；最后通过丝网印刷工艺在第一以及所述第二透明导电膜上分别形成第一电极以及第二电极。本发明能解决生产节拍过慢、产能较低、低温下非晶硅薄膜品质差的问题，提高电池效率。
用于制造异质结太阳能电池方法

[实用新型]太阳能电池成膜用托盘-CN202121593442.3有效
发明人： 马哲国;陈金元;汪训忠 -专利权人：理想万里晖真空装备（泰兴）有限公司
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本实用新型提供一种太阳能电池成膜用托盘。所述托盘包括盘体，所述盘体上设置有多个用于承载硅片的凹槽单元，每个凹槽单元包括与硅片形状相匹配的凹槽，凹槽底面的中部设置有支撑凸块，所述支撑凸块高出所述凹槽底面预定高度。本实用新型可有效避免硅片边缘绕镀，提高电池效率，简化托盘设计，降低托盘的成本。
太阳能电池成膜用托盘

[发明专利]用于改善反应腔粉尘的预镀膜方法及所形成的预镀膜-CN202111054816.9在审
发明人： 马哲国 -专利权人：理想万里晖真空装备（泰兴）有限公司
申请日： 2021-09-09 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：本发明提供一种用于改善反应腔粉尘的预镀膜方法及所形成的预镀膜。所述方法首先将承载硅片用托盘传送至反应腔并进行第一沉积工艺，在托盘表面形成第一非晶硅层；然后在反应腔中进行第二沉积工艺，在第一非晶硅层上形成第二非晶硅层；最后在反应腔中进行第三沉积工艺，在第二非晶硅层上形成第三非晶硅层；其中第一沉积工艺的沉积压力、氢气流量、硅烷流量、射频功率、沉积时间分别为0.1～1mbar、100～3000sccm、50～500sccm、50～1000W、20～100S，第二沉积工艺的沉积压力、硅烷流量、射频功率、沉积时间分别为0.5～1.5mbar、500～1800sccm、400～2000W、200～700S，第三沉积工艺的沉积压力、氢气流量、硅烷流量、射频功率、沉积时间分别为0.1～1mbar、100～2000sccm、50～1500sccm、50～1000W、20～100S。本发明能减少粉尘，降低清洗频率。
用于改善反应粉尘镀膜方法形成

[发明专利]异质结太阳能电池及其制造方法-CN202110610151.9在审
发明人： 马哲国;王琳;吴科俊;汪训忠;张效国;钟潇 -专利权人：理想万里晖真空装备（泰兴）有限公司
申请日： 2021-06-01 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明提供异质结太阳能电池及其制造方法。所述异质结太阳能电池包括N型单晶硅片，所述N型单晶硅片的正面上依次形成有第一及第三本征非晶硅层、N型非晶硅层、第一透明导电膜以及第一电极，其反面上依次形成有第二及第四本征非晶硅层、P型非晶硅层、第二透明导电膜以及第二电极，其中第一以及第二本征非晶硅层通过工艺气体为不掺氢的硅烷的第一本征PECVD工艺形成；所述第三本征非晶硅层通过工艺气体包括二氧化碳、氢气以及硅烷的第二本征PECVD工艺形成，其中二氧化碳与硅烷的体积比随时间增加而在0.1‑0.6的范围内增大；所述第四本征非晶硅层通过第三本征PECVD工艺形成，第三本征PECVD工艺的工艺气体包括氢气以及硅烷。本发明有助于提高电池转换效率。
异质结太阳能电池及其制造方法

[发明专利]TOPCon太阳能电池的制造方法及其非晶硅晶化的方法和设备-CN201910971563.8有效
发明人： 马哲国 -专利权人：上海理想万里晖薄膜设备有限公司
申请日： 2019-10-14 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供TOPCon太阳能电池的制造方法及其非晶硅晶化的方法和设备。所述晶化的方法包括：(a).提供用于TOPCon太阳能电池的且背面依次沉积有氧化层和非晶硅层的硅片；(b).接收硅片并将其在800‑950℃的温度下进行20至40分钟的热处理，以将非晶硅层晶化成多晶硅层；以及(c).接收硅片并将其在比步骤(c)温度低50‑300℃的降低温度下进行1至5分钟的降温热处理，并在每个降温热处理之后将硅片在800‑1000℃的温度下进行10秒至5分钟的热处理以释放应力。本发明能有效避免非晶硅晶化爆膜。
topcon 太阳能电池制造方法及其非晶硅晶化设备

[实用新型]托盘预热腔及对应的PECVD设备-CN202021443008.2有效
发明人：杨华新;马哲国 -专利权人：上海理想万里晖薄膜设备有限公司
申请日： 2020-07-21 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： C23C16/46 文献下载
摘要：本实用新型提供托盘预热腔及对应的PECVD设备。PECVD设备包括：加载模块，其用于将硅片放置在托盘中；托盘转送模块，其用于将由加载模块传送的托盘送至托盘预热腔，并接收已预热的托盘；托盘预热腔，其接收和预热托盘至预设预热温度并将托盘传回至托盘转送模块；加载腔，其配置成接收由托盘转送模块传送的、已预热的托盘；PECVD工艺腔，其接收由加载腔传送的托盘，通过本征和掺杂PECVD工艺在托盘所承载的硅片的一面上沉积形成I/N或I/P型非晶硅薄膜；卸载腔，其接收由PECVD工艺腔传送的托盘；以及卸载模块，其接收由卸载腔传送的托盘并将硅片从托盘中卸载。本实用新型能有效提高设备产能、预热灵活性和预热效率，并能有效降低设备成本。
托盘预热对应 pecvd 设备

[实用新型]层叠式预热腔-CN202021596860.3有效
发明人： 马哲国;杨华新;董家伟;王慧慧;耿茜 -专利权人：上海理想万里晖薄膜设备有限公司
申请日： 2020-08-05 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： C23C16/46 文献下载
摘要：本实用新型提供层叠式预热腔。所述层叠式预热腔包括：第一层预热子腔，其包括用于承载第一托盘的第一承载件以及分别设置在第一层预热子腔的顶部和底部的第一组红外加热器和第二组红外加热器；以及第二层预热子腔，其层叠在第一层预热子腔上，且包括用于承载第二托盘的第二承载件以及分别设置在第二层预热子腔的顶部和底部的第三组红外加热器和第四组红外加热器；其中第一组红外加热器和第三组红外加热器的波长为(大于2μm)～3μm，第二组红外加热器和第四组红外加热器的波长为1.2μm～2μm。本实用新型能有效改善预热腔的加热能力，缩短托盘预热时间，降低对硅片表面薄膜的热损伤，提高设备产能。
层叠预热

[实用新型]托盘预热腔-CN202021965379.7有效
发明人： 马哲国;杨华新;陈金元 -专利权人：上海理想万里晖薄膜设备有限公司
申请日： 2020-09-10 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本实用新型提供一种托盘预热腔。该预热腔包括：托盘预热模块，其包括预热框架、水平分层设置在预热框架中的多层预热板、以及驱动预热框架上下移动的第一驱动模块；托盘顶推模块，其包括顶推框架、水平分层设置且在预热板下侧的多层顶推板、以及设置在预热框架的预热基座上驱动顶推框架上下移动的第二驱动模块；以及控制模块，其控制第一驱动模块驱动预热框架及预热板在第一和第二位置之间移动、以将间隔设置的第一或第二组预热板与传送托盘进出的托盘传送位相对准，还在将托盘传进或传出预热腔时控制第二驱动模块驱动顶推框架带动其顶推板从回缩等待位向上移动到顶推支撑位，并在托盘被放置至顶推杆上、或托盘被取走后向下驱动到回缩等待位。
托盘预热

[发明专利]TOPCon太阳能电池及其制造方法-CN202010874903.8在审
发明人：张津燕;汪训忠;马哲国;吴科俊;陈金元 -专利权人：上海理想万里晖薄膜设备有限公司
申请日： 2020-08-27 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明提供TOPCon太阳能电池及其制造方法。所述制造方法包括以下步骤：(a).提供用于TOPCon太阳能电池的N型硅片；(b).将所述硅片进行制绒并在其第一面上进行扩散形成PN结；(c).在所述硅片的与第一面相对的第二面上依次形成氧化硅层、微晶硅籽晶层、掺杂非晶硅层或掺杂微晶硅层；(d).将所述硅片进行晶化退火处理使微晶硅和/或非晶硅晶化成多晶硅；(e).在硅片的第一面和第二面上分别形成第一减反钝化膜和第二减反钝化膜；以及(f).在硅片的第一面和第二面上分别形成第一电极和第二电极。本发明能有效解决掺杂非晶硅层或掺杂微晶硅层达到一定厚度会爆膜的问题，能有效减少漏电流，并有利于提升TOPCon电池的开压、填充因子和转换效率。
topcon 太阳能电池及其制造方法

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