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[发明专利]一种用于芯片热点冷却的级联式平面热电薄膜结构-CN202111545483.X有效
发明人：龚廷睿;李良辉;高磊;颜薪瞩;谭浩书;覃峰;孟英昊;雷智程;杨英坤;李俊焘 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10N10/17 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于芯片热点冷却的级联式平面热电薄膜结构，该热电薄膜结构为平面型，包括：衬底、底部电极和级联热电偶层，所述衬底、底部电极和级联热电偶层均中心开有圆孔，其中级联热电偶层又包括按照热量传递的方向从圆心沿径向依次设置的多级热电偶对和连接各级热电偶对的多个级联导热环。本发明提供了一种用于芯片热点冷却的级联式平面热电薄膜结构，该结构依据芯片热点热量传递的方向，依次设置了多级级联的热电偶对，通过合理设置了热电薄膜结构的散热路径，提高了平面型热电薄膜的制冷能力，且该结构全程可以采用成熟的微加工工艺，不增加其制造的难度。
一种用于芯片热点冷却级联平面热电薄膜结构

[发明专利]一种SiC PiN双极性退化的筛选方法-CN202210785770.6在审
发明人：谭浩书;覃峰;颜薪瞩;李俊焘;董鹏;龚廷睿 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种SiC PiN双极性退化的筛选方法，该方法首先选择正向导通特性正常的SiC PiN器件进行双极性退化筛选试验，并在试验前确定合适大小的正向导通电流密度；之后在老练测试试验中对SiC PiN器件的正向导通电压变化趋势进行实时监测，剔除不合格器件，最后比较通过老练测试试验的SiC PiN器件在老炼测试试验前后的正向导通特性，进一步剔除出现双极性退化的SiC PiN器件。本发明公开的SiC PiN双极性退化的筛选方法，首次建立了SiC PiN的双极性退化筛选方法，填补了国内外目前尚无针对SiC PiN双极性退化的筛选方法的空白，利用该方法可以在更短时间内高效地剔除SiC材料中层错等扩展缺陷导致的早期失效，提高器件的长期可靠性。
一种 sic pin 极性退化筛选方法

[发明专利]一种可简便集成的柔性薄膜热电传感器及其应用-CN202210732521.0在审
发明人：龚廷睿;李良辉;高磊;颜薪瞩;谭浩书;覃峰;雷智程;杨英坤;李俊焘 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L35/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种可简便集成的柔性薄膜热电传感器及其应用，该热电传感器包括：柔性绝缘衬底以及依次沉积在柔性绝缘衬底上的底部电极、P型热电薄膜和N型热电薄膜，且P型热电薄膜、底部电极和N型热电薄膜首尾相接，呈“蛇形”沉积在柔性绝缘衬底上。本发明采用柔性绝缘衬底进行热电薄膜材料的沉积，满足温度传感器的柔性要求，适用于在复杂的应用环境中准确测温，在实际应用中，可以将温度传感器直接贴附于热源四周，通过塞贝克效应将温差的信号转换为电压的信号，具有极快的响应速度，无需外部供能，结构简单、工艺成本低、可靠性高，且能够产生较大的温差，灵敏度高。
一种简便集成柔性薄膜热电传感器及其应用

[发明专利]一种可集成薄膜温度保险及其制造方法-CN202210755331.0在审
发明人：谭浩书;覃峰;颜薪瞩;李俊焘;董鹏;龚廷睿 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01H85/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种可集成薄膜温度保险及其制造方法，该薄膜温度保险包括：一对对称且呈直线布置的金属电极，连接一对金属电极的绝缘基板，附着于绝缘基板上且连接一对金属电极的易熔合金薄膜以及位于易熔合金薄膜表面涂覆的呈薄膜状的助溶剂。本发明公开的温度保险呈薄膜状结构，且无须进行封装，其整体尺寸较小，在尺寸限制较高的微型系统中可以得到使用；该温度保险采用固化的助溶剂，不存在助溶剂泄露的问题，进一步保证了半导体功率系统的可靠性。
一种集成薄膜温度保险及其制造方法

[实用新型]一种MEMS行波型微马达结构-CN201721606522.1有效
发明人：杜亦佳;陈余;代刚;周泉丰;李小石;弓冬冬;颜薪瞩;杨婷婷 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2017-11-27 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： H02N2/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种MEMS行波型微马达结构，包括转子结构、定子行波驱动器结构和预紧力结构，所述定子行波驱动器结构下端与所述预紧力结构固定连接，所述转子结构包括转子壳体和转子，所述转子与所述定子行波驱动器结构紧密压紧在一起，所述转子壳体套设在所述转子的外面。通过以上结构设计，基于MEMS工艺的马达包括转子结构、定子行波驱动器结构和预紧力结构，信号互连不需要键合引线，使得器件结构更加紧凑尺寸更加小，本实用新型提出的马达结构通过键合即可完成组装，因此具有装配少，方便批量化生产的优势。
驱动器结构行波预紧力结构转子马达结构转子结构本实用新型转子壳体行波型键合引线器件结构信号互连批量化键合下端压紧马达紧凑装配组装生产

[发明专利]一种MEMS行波型微马达结构-CN201711206727.5在审
发明人：杜亦佳;陈余;代刚;周泉丰;李小石;弓冬冬;颜薪瞩;杨婷婷 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2017-11-27 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H02N2/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种MEMS行波型微马达结构，包括转子结构、定子行波驱动器结构和预紧力结构，所述定子行波驱动器结构下端与所述预紧力结构固定连接，所述转子结构包括转子壳体和转子，所述转子与所述定子行波驱动器结构紧密压紧在一起，所述转子壳体套设在所述转子的外面。通过以上结构设计，基于MEMS工艺的马达包括转子结构、定子行波驱动器结构和预紧力结构，信号互连不需要键合引线，使得器件结构更加紧凑尺寸更加小，本发明提出的马达结构通过键合即可完成组装，因此具有装配少，方便批量化生产的优势。
一种 mems 行波马达结构

[发明专利]变压器局部放电超高频检测Hilbert分形天线优化方法-CN201710007241.2在审
发明人：李剑;杜林;黄正勇;王有元;王飞鹏;杨丽君;张晓星;廖瑞金;唐炬;陈伟根;鲍连伟;张劲;颜薪瞩 -专利权人：重庆大学
申请日： 2017-01-05 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种变压器局部放电超高频检测Hilbert分形天线优化方法，包括以下步骤S1)根据超高频天线的设计目标，确定遗传算法的适应度函数，控制算法的搜索方向；S2)确定天线的结构参数a、b、c以及(x,y)的编码解码方案；S3)将每组超高频天线的结构参数作为一个个体，确定一定数量个体作为遗传算法的初始种群；S4)将每一个体的二进制编码解码为超高频天线的结构参数，调用Ansoft Designer软件来仿真获得天线的电特性参数，并将计算得到的驻波比代入适应度函数中计算该个体的适应度值，S5)根据返回的个体适应度值判断是否满足天线的设计要求。本发明提供了一种分析天线自动优化算法，提高天线的设计能力和效率，获得性能优异的局部放电超高频Hilbert天线。
变压器局部放电超高频检测 hilbert 天线优化方法

[发明专利]一种超疏水涂层和防污闪超疏水绝缘子及其制备工艺-CN201610270033.7在审
发明人：卢明;李剑;刘泽辉;魏远;庞锴;黄正勇;赵书杰;颜薪瞩;王超;吴卓霖;艾文君;张博;刘博;李斌;辛伟峰;马伦 -专利权人：国网河南省电力公司电力科学研究院;重庆大学;国家电网公司
申请日： 2016-04-26 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： C09D7/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种超疏水涂层和防污闪超疏水绝缘子及其制备工艺，超疏水涂层包括设置在绝缘子外表面的表面修饰层和设置在表面修饰层上的超疏水涂层，表面修饰层由质量比为1：15~20的表面修饰剂丙基三甲氧基硅烷和乙醇组成的表面修饰液制成，超疏水涂层由纳米二氧化硅超疏水涂料制成。防污闪超疏水绝缘子包括绝缘子本体和涂覆在绝缘子本体外表面的超疏水涂层，通过设定涂覆表面修饰层时的反应温度和喷涂超疏水涂层时的压力、角度等参数，得到的防污闪超疏水绝缘子使用寿命长、耐老化性能高、疏水性能优异，在雾霾重污秽条件下能够有效减少绝缘子表面的污秽累积量，提高耐污闪性能，确保电力系统外绝缘的长期可靠性。
一种疏水涂层防污绝缘子及其制备工艺

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