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[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN202211368785.9在审
发明人：郭家铭;庄博仁;王俞仁;颜英伟;庄馥戎;萧雅茵;黄南元 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2018-05-09 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，该制作半导体元件的方法为，先形成一栅极结构于基底上，然后形成一第一间隙壁于栅极结构旁，其中该第一间隙壁包含氮碳化硅。接着形成一第二间隙壁于第一间隙壁旁，其中该第二间隙壁包含氮碳氧化硅，随后再形成一源极/漏极区域于第二间隙壁两侧。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN201810436649.6有效
发明人：郭家铭;庄博仁;王俞仁;颜英伟;庄馥戎;萧雅茵;黄南元 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2018-05-09 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，该制作半导体元件的方法为，先形成一栅极结构于基底上，然后形成一第一间隙壁于栅极结构旁，其中该第一间隙壁包含氮碳化硅。接着形成一第二间隙壁于第一间隙壁旁，其中该第二间隙壁包含氮碳氧化硅，随后再形成一源极/漏极区域于第二间隙壁两侧。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]金属栅极的制作方法-CN201110172535.3有效
发明人：王韶韦;王俞仁;林建良;邓文仪;吕佐文;陈致中;颜英伟;林钰闵;简金城;陈哲明;徐俊伟;张家隆;吴宜静;詹书俨 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2011-06-24 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开一种金属栅极的制作方法，该方法首先提供基底，该基底上形成有至少一半导体元件，且该半导体元件具有导电型。接下来于该半导体元件内形成栅极沟槽，在形成栅极沟槽后，于该栅极沟槽内形成功函数金属层，该功函数金属层具有该导电型以及对应该导电型的预设功函数。最后进行离子注入工艺，调整该预设功函数至目标功函数，且该目标功函数对应该导电型。
金属栅极制作方法

[发明专利]半导体结构及其制作工艺-CN201210562735.4在审
发明人：林建良;王俞仁;颜英伟 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2012-12-21 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体结构及其制作工艺。半导体结构包含有一介电层位于一基底上，其中介电层包含氮原子，且当介电层中对于基底的距离小于介电层厚度的20％时，介电层中的氮原子的浓度则小于5％。此外，本发明也提供一种半导体制作工艺，包含有下述步骤。首先，形成一介电层于一基底上。接着，原位进行二退火制作工艺于介电层，其中二退火制作工艺具有不同的通入气体以及不同的退火温度。
半导体结构及其制作工艺

[发明专利]半导体制作工艺-CN201110293384.7在审
发明人：林建良;蔡世鸿;林俊贤;孙德霖;王韶韦;颜英伟;王俞仁 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2011-09-29 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体制作工艺，其包含有下述步骤。首先，提供一基底。接着，形成至少一鳍状结构于基底上及一氧化层于鳍状结构以外的基底上。而后，进行一热处理制作工艺，以使至少部分鳍状结构的侧壁形成为一熔融层。
半导体制作工艺

[发明专利]修补层形成方法及金属氧化物半导体晶体管结构-CN201110193827.5有效
发明人：林建良;颜英伟;王俞仁 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2011-07-12 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开一种修补层的形成方法以及金属氧化物半导体晶体管结构，该修补层的形成方法包括：提供基板，在基板上方形成栅极结构，栅极结构至少包括栅极介电层以与栅极导体结构；执行氮化工艺而在栅极结构表面上形成含氮表面层；以及对含氮表面层进行热氧化法以形成修补层。该金属氧化物半导体晶体管结构包括：栅极介电层，设置在基板上方；栅极导体结构，设置在栅极介电层上方；以及修补层，至少覆盖在栅极导体结构的侧壁表面。
修补形成方法金属氧化物半导体晶体管结构

[发明专利]制作半导体元件的方法-CN201110157148.2无效
发明人：吕佐文;邓文仪;王俞仁;黄俊程;林建良;王韶韦;颜英伟;郑雅绮;詹书俨;杨建伦 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2011-06-13 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开一种制作半导体元件的方法。首先提供一基底，该基底上设有一栅极结构。然后形成一堆叠薄膜于基底表面并覆盖栅极结构，且堆叠薄膜具有一氧化层与一氮化层，接着去除部分堆叠薄膜以于栅极结构两侧的基底中形成二凹槽并同时于栅极结构的侧壁形成一可去除间隙壁。随后在该多个凹槽中形成一具有刻面的材料层，且该材料层包含硅原子。
制作半导体元件方法

[发明专利]降低栅极漏电流并控制启始电压偏移量的方法及装置-CN200810190273.1有效
发明人：林建良;王俞仁;高武群;李映萱;颜英伟;詹书俨 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2008-12-30 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明有关一种降低栅极漏电流并控制启始电压偏移量的方法和一种互补式金属氧化物半导体装置，该方法在基底上的P型金属氧化物半导体(PMOS)区及N型金属氧化物半导体(NMOS)区进行第一离子注入工艺，以于栅极介电层内或半导体基底内植入氟离子、碳离子、或此二者；及在基底上的NMOS区进行第二离子注入工艺，此时将PMOS区以掩模层覆盖，仅于NMOS区的栅极介电层内或半导体基底内植入氟离子、碳离子、或此二者。如此，PMOS区及NMOS区所得到的注入剂量可不相同，而可补偿等效氧化层厚度不同所引起的负作用，并解决Vt偏移问题。
降低栅极漏电控制电压偏移方法装置

[发明专利]栅介电层的制造方法-CN200710101995.0无效
发明人：王俞仁;颜英伟;林建良;詹书俨 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2007-04-27 - 公布日： 2008-10-29 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种栅介电层的制造方法，包括下列步骤。首先，于基底上形成牺牲层。接着，将氟离子注入基底中。然后，移除牺牲层。接下来，于基底上形成介电层。
栅介电层制造方法

[发明专利]介电层的制造方法-CN200510118135.9无效
发明人：王俞仁;颜英伟;龙健华;詹书俨;黄国泰 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2005-10-20 - 公布日： 2007-04-25 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：一种介电层的制造方法，首先提供一衬底，并于衬底上形成介电层。然后，对介电层进行氮化工艺。然后，对介电层进行第一退火工艺，第一退火工艺所使用的气体为含有不活泼气体与氧气的第一气体，其中第一气体的不活泼气体对氧气具有第一分压比。之后，对介电层进行第二退火工艺，第二退火工艺所使用的气体为含有不活泼气体与氧气的第二气体，其中第二气体的不活泼气体对氧气具有第二气体分压比，且第二气体分压比小于第一气体分压比。此外，二次退火工艺中至少有一次温度要在950℃以上。此发明方法可使介电层中的氮掺杂剂分布均匀。
介电层制造方法

[发明专利]制造掺杂氮的介电层的方法-CN200510068839.X有效
发明人：王俞仁;颜英伟;龙健华;黄国泰 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2005-05-12 - 公布日： 2006-11-15 - 主分类号： H01L21/3115 文献下载
摘要：本发明提供一种制造掺杂氮的介电层的方法。根据该方法，先于半导体基底上形成一介电层后，对该介电层进行两阶段的氮化工艺，接着进行一到两阶段的退火工艺。由于利用该方法所形成的介电层中的氮分布较为均匀，因此该介电层具有较优越的电性。
制造掺杂介电层方法

[发明专利]降低多晶耗尽效应的制作多晶硅栅极晶体管的方法-CN200510062883.X无效
发明人：王俞仁;颜英伟;郑力源;詹书俨;黄国泰 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2005-04-05 - 公布日： 2006-10-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种制作多晶硅栅极晶体管的方法，首先提供一基底；在该基底表面上形成栅极介电层；在该栅极介电层上沉积多晶硅层；将非晶硅化物种注入该多晶硅层中，藉此将该多晶硅层的上部非晶硅化；进行离子掺杂，将离子注入该多晶硅层中；对该多晶硅层进行退火，同时活化注入该多晶硅层中的该离子；将该多晶硅层蚀刻成栅极结构；在该栅极结构两侧的该基底中形成漏极/源极。
降低多晶耗尽效应制作栅极晶体管方法

[发明专利]形成栅介电层的方法-CN200510008282.0有效
发明人：王俞仁;颜英伟;郑力源;黄国泰 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2005-02-21 - 公布日： 2006-08-30 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：一种形成栅介电层的方法，首先于半导体基底上形成氧化硅层，接着使用含惰性气体与氮气的等离子体对氧化硅层进行第一与第二掺氮步骤，以形成栅介电层。其中第一掺氮步骤与第二掺氮步骤相较之下，第一掺氮步骤的功率较低、压力较低，但惰性气体/氮气比较高。本发明利用第一掺氮步骤的偏深的氮掺杂物分布与第二掺氮步骤的偏浅的氮掺杂物分布的组合，得到较平坦的总掺杂物分布，以抑制在栅介电层产生的电子穿隧现象，而得以减少元件的漏电流。
形成栅介电层方法

[发明专利]氮化硅膜的沉积制造方法及沉积系统-CN200410011800.X无效
发明人：王俞仁;颜英伟;张皓翔;萧才富 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2004-09-29 - 公布日： 2006-04-05 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供一种在晶片上沉积氮化硅膜的制造方法。首先提供一化学气相沉积系统，其包括管状炉管、连接至该炉管的基座部位的至少BTBAS供应管线、连接至炉管上端的出口管线、衔接BTBAS供应管线与出口管线的旁通管线，以及衔接出口管线的真空泵，其中旁通管线呈切断关闭状态；将一批次的晶片放置于炉管内的内管体中；在内管体中通入含氮气体；经由BTBAS供应管线于该内管体中通入前驱物BTBAS气体，且真空泵维持内管体中的压力在0.1Torr至3Torr的低压范围；于内管体中进行氮化硅膜沉积反应，以于晶片表面上沉积氮化硅膜；当氮化硅膜沉积反应结束，随即将BTBAS供应管线切断关闭，并立即开启旁通管线；以及移出该批次的晶片。
氮化沉积制造方法系统

[发明专利]具超浅接面漏极/源极延伸的半导体晶体管元件制作方法-CN200410070964.X有效
发明人：王俞仁;颜英伟;詹书俨 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2004-07-21 - 公布日： 2006-01-25 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供一种具超浅接面漏极/源极延伸半导体晶体管元件的制作方法，包含有：提供一基底；于该基底上形成一栅极结构，其包含有两侧壁以及一上表面；于该栅极结构的侧壁上形成偏侧壁子；进行离子布植制程，于该栅极结构两侧的该基底形成超浅接面掺杂区域；于该栅极结构的偏侧壁子上以及其上表面沉积一衬垫层；于该衬垫层上沉积一侧壁子层；进行一应力修正布植制程，改变该侧壁子层的应力状态由伸张状态(tensile)改变至较为压缩(compressive)的状态；以及进行一干蚀刻制程，将该侧壁子层蚀刻成侧壁子。
具超浅接面漏极延伸半导体晶体管元件制作方法

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