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[发明专利]一种房建设备限界网格化管理方法-CN201911212331.0有效
发明人：李壮;马鑫;裴士廉;赵福成;宋文萍;孙志强;赵小虎;孙振;韩汝琦 -专利权人：沈阳铁道科学技术研究所有限公司
申请日： 2019-12-02 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： G01C5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种房建设备限界网格化管理方法，包括以下步骤：步骤S110、观测监控点布设，首先设置观测体系的永久基准点Y，其次在站台或地面上设置原始测点A，最后在相对于站台限界测点的位置设置站台观测基准点G；步骤S120、测量设备的组装；步骤S130、网格化测量；步骤S140、测量数据处理。有益效果在于：通过设置密集的观测监控点，将车站站场设计铁路限界管理的房建设备纳入监控网络进行网格化测量，使房建设备在空间上的全方位位移得到有效监控，弥补了现有技术中此类位移无法测量的不足；通过采用网格化测量的方式，能够得出房建设备位移方向和对应数值，以便于采取应对措施，并且对行车房建设备的安全生产具有指导性意义。
一种建设限界网格管理方法

[发明专利]阻变存储器单元及其制造方法-CN201110090961.2无效
发明人：康晋锋;陈冰;高滨;张飞飞;陈沅沙;刘力锋;刘晓彦;韩汝琦 -专利权人：北京大学
申请日： 2011-04-12 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种阻变存储器单元及其制造方法，该阻变存储器单元包括具有顶电极、底电极以及形成在所述顶电极和底电极之间的阻变层的阻变存储器，具有源极、漏极和栅极的MOS管。所述阻变存储器的底电极由硅基材料形成，并且所述MOS管的源极连接到所述底电极。本发明的阻变存储器单元能够利用传统的CMOS工艺及设备进行制造，因而能够简化工艺步骤，降低制造成本，便于大规模生产。
存储器单元及其制造方法

[发明专利]单极阻变存储器及其制造方法-CN201110062624.2有效
发明人：康晋锋;张飞飞;陈沅沙;陈冰;高滨;刘力锋;刘晓彦;韩汝琦 -专利权人：北京大学
申请日： 2011-03-15 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种单极阻变存储器及其制造方法。所述单极阻变存储器包括衬底；位于所述衬底上并由导电材料形成的底电极；由储氧能力弱的导电材料形成的顶电极；位于所述底电极和所述顶电极之间的阻变层，其由绝缘性能好且易于形成导电通道的氧化物形成；在所述阻变层与所述顶电极之间还具有储氧层，其由具有导电性且易于热分解释放出氧离子的氧化物形成。本发明的单极阻变存储器提高了器件性能的一致性和耐久性。
单极存储器及其制造方法

[发明专利]一种能够实现多进制加法计算的阻变器件及多进制加法计算的方法-CN201110032218.1有效
发明人：康晋锋;张飞飞;高滨;陈冰;陈沅沙;刘力锋;刘晓彦;韩汝琦 -专利权人：北京大学
申请日： 2011-01-28 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：一种能够实现多进制加法计算的阻变器件，以及利用阻变器件实现多进制加法计算的方法，所述阻变器件具有从高阻态到低阻态的多个阻值，每个阻值对应于一存储值，通过连续施加具有相同宽度和高度的set脉冲电压使阻变器件的存储值顺序加1，通过施加一reset脉冲电压使阻变器件的存储值置0，同时通过施加一个set脉冲电压使高位阻变器件的存储值加1，由此实现多进制加法计算。通过对阻变器件的操作可以同时实现数据存储和多进制加法运算，从而大大简化了电路结构，便于实现存储和计算的统一应用。
一种能够实现多进制加法计算器件方法

[发明专利]一种氧化锌基肖特基薄膜晶体管-CN201010547529.7无效
发明人：韩德栋;王漪;张盛东;孙雷;张韬;任奕成;康晋锋;刘晓彦;韩汝琦 -专利权人：北京大学
申请日： 2010-11-17 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种氧化锌基肖特基薄膜晶体管，属于半导体技术领域。该氧化锌基肖特基薄膜晶体管包括一栅电极，一栅绝缘介质层，一半导体导电沟道区，一源区和一漏区，所述栅电极位于玻璃或者塑料衬底之上，所述栅绝缘介质层位于玻璃和栅电极之上，所述半导体导电沟道层位于覆盖栅电极的栅介质之上，面积小于栅介质面积。所述源区和漏区在沟道区两端并与沟道区相交叠，所述源区和漏区的金属接触为肖特基金-半接触，并且源区和漏区的金属使用的材料不同，在氧化锌薄膜晶体管的源端形成高肖特基势垒，漏端形成低肖特基势垒。本发明可以有效地降低氧化锌薄膜晶体管的关态电流并提高开态电流。
一种氧化锌基肖特基薄膜晶体管

[发明专利]神经元器件和神经网络-CN201010519997.3有效
发明人：康晋锋;高滨;陈冰;张飞飞;陈沅沙;刘力锋;刘晓彦;韩汝琦 -专利权人：北京大学
申请日： 2010-10-20 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：本申请提供了一种神经元器件及神经网络，该神经元器件包括底电极层、顶电极层、以及夹在底电极层和顶电极层之间的阻变材料层，其中，神经元器件在施加恢复脉冲时转变为正常态，而在施加刺激脉冲时转变为兴奋态。神经元器件具有对刺激脉冲的幅度、宽度及个数的综合响应，提供权重部分和运算部分的功能。该神经元器件结构简单，便于集成，并且与传统硅基CMOS工艺兼容，非常适合大规模生产，可以实现多种生物功能和复杂的逻辑运算。
神经元器件神经网络

[发明专利]测试阻变随机访问存储器件的数据保持特性的方法-CN201010275600.0有效
发明人：刘力锋;张浩炜;高滨;康晋锋;刘晓彦;王漪;韩汝琦 -专利权人：北京大学
申请日： 2010-09-08 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种测试RRAM器件的数据保持特性的方法，包括以下步骤：a)控制样品台的温度，将RRAM器件保持为预定的温度；b)将RRAM器件设置为高阻态或低阻态；c)向RRAM器件施加预定的测试电压，使其发生电阻态失效，以测量数据保持时间；d)重复步骤a)-c)，进行多次测量；e)利用多次测量的数据保持时间，计算出RRAM器件的电阻态失效概率F(t)；以及f)对电阻态失效概率F(t)进行拟合，并利用拟合得到的参数进一步计算出预期数据保持时间tE。优选地，利用电压加速和温度加速相结合预测RRAM器件的数据保持时间。该测试方法可以准确且快速地评估RRAM器件的数据保持特性。
测试随机访问存储器件数据保持特性方法

[发明专利]一种氧化锌基薄膜晶体管及其制备方法-CN201010275718.3无效
发明人：韩德栋;王漪;张盛东;孙雷;张韬;任奕成;韩汝琦 -专利权人：北京大学
申请日： 2010-09-08 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种氧化锌基薄膜晶体管及其制备方法，属于半导体技术领域。该氧化锌基薄膜晶体管包括衬底、栅电极、栅介质层、沟道层和源漏电极，衬底是玻璃或者塑料；在衬底上由氧化锌或掺杂Al或者Ga氧化锌导电材料形成栅电极；半导体沟道是由氧化锌及其掺杂半导体材料形成；栅绝缘介质层是由氧化锌绝缘材料形成，设置于栅极和半导体沟道之间；源端和漏端电极是由氧化锌或掺杂Al或者Ga氧化锌导电材料形成。本发明为全氧化锌基薄膜晶体管，可提高器件各层薄膜之间的匹配度，降低了栅绝缘介质层和半导体沟道层之间的失配率，减少界面电荷密度，从而大大提高半导体沟道层的载流子迁移率，使氧化锌薄膜晶体管的性能得到了有效改善。
一种氧化锌薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]阻变随机访问存储器件及制造方法-CN201010207339.0有效
发明人：康晋锋;高滨;陈沅沙;孙兵;刘力锋;刘晓彦;韩汝琦 -专利权人：北京大学
申请日： 2010-06-13 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本申请公开了一种阻变随机访问存储器件及其制造方法，该阻变随机访问存储器件包括设置在位线和字线之间的存储单元，所述存储单元包括阻变元件，以及肖特基二极管，所述肖特基二极管与所述阻变元件串联连接，其中，所述肖特基包括彼此接触的金属层和半导体层，并且金属层与半导体层之间的界面呈非平面的形状。该阻变随机访问存储器件可以减小在芯片上的占用面积并提供大的驱动电流，从而提高了存储密度。
随机访问存储器件制造方法

[发明专利]阻变随机访问存储器件及其制造和操作方法-CN201010198033.3有效
发明人：康晋锋;高滨;陈沅沙;孙兵;刘力锋;刘晓彦;韩汝琦 -专利权人：北京大学
申请日： 2010-06-03 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本申请公开了一种阻变随机访问存储器件及其制造和操作方法，该阻变随机访问存储器件包括阻变存储元件，所述阻变存储元件包括两个电极以及夹在两个电极之间的阻变材料层，并且具有双极阻变特性；以及肖特基二极管，所述肖特基二极管包括彼此接触的金属层和半导体层，其中，所述肖特基二极管的金属层与所述阻变存储元件的一个电极连接。本发明实现了按照双极方式工作的1D-1R配置的阻变随机访问存储器件。
随机访问存储器件及其制造操作方法

[发明专利]包含电阻器的存储单元的制造方法-CN201010198025.9无效
发明人：刘力锋;康晋锋;郝跃;刘晓彦;陈沅沙;高滨;王漪;韩汝琦 -专利权人：北京大学
申请日： 2010-06-03 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种包含电阻器的存储单元的制造方法，包括以下步骤：a)在绝缘衬底上形成底电极层；b)通过MOCVD在底电极层上形成阻变材料层；c)在阻变材料上形成顶电极层；以及d)对顶电极层和阻变材料层进行图案化，以形成分隔开的存储单元。利用MOCVD法可以制造厚度、组分精确可控且具有良好均匀性的阻变材料层，从而可以获得界面特性优良的MOM结构的RRAM的存储单元。
包含电阻器存储单元制造方法

[发明专利]一种薄膜晶体管的制作方法-CN201110020661.7无效
发明人：张盛东;贺鑫;王漪;韩德栋;韩汝琦 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2011-01-18 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，通过先生成具有高载流子浓度的有源层，然后将沟道区通过具有氧化功能的等离子体进行氧化处理，在保持源漏区具有高的载流子浓度的同时，使沟道区具有低的载流子浓度；另外，晶体管的阈值电压由后续低温下具有氧化功能的等离子体处理条件所控制，因此晶体管特性的可控性大为提高，制作的工艺流程也有所简化。
一种薄膜晶体管制作方法

[发明专利]一种氧化物电阻存储器件及其制备方法-CN201110024075.X有效
发明人：刘力锋;高滨;陈冰;张飞飞;李博洋;于迪;陈沅沙;康晋锋;韩汝琦 -专利权人：北京大学
申请日： 2011-01-21 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化物电阻存储器件，包括衬底，位于所述衬底上的底电极，位于所述底电极上的氧化物控制层，位于所述氧化物控制层上的氧化物阻变层，以及位于所述氧化物阻变层上的顶电极。该器件制备工艺简单、性能可靠，提高了氧化物阻变存储器的阻变的循环耐久力，增强了其数据保持特性。
一种氧化物电阻存储器件及其制备方法

[发明专利]具有自选择抗串扰功能的阻变存储器及交叉阵列存储电路-CN201010580793.0无效
发明人：陈沅沙;高滨;陈冰;张飞飞;刘力锋;刘晓彦;康晋锋;韩汝琦 -专利权人：北京大学
申请日： 2010-12-09 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有自选择抗串扰功能的阻变存储器，包括：上电极、下电极，以及位于所述上电极和下电极之间的阻变层，其中，所述阻变层包括具有阻变特性的氧化物材料。本发明还提供了一种包括上述阻变存储器的交叉阵列存储电路。本发明采用具有阻变特性的氧化物材料作为存储介质，从而利用在阻变层和电极之间形成整流特性来实现了存储器的自选择抗串扰功能，由于不需要引入额外的选择器件，这种1R存储单元在高密度集成和功耗上都具有明显的优势，即，能够简化工艺步骤，降低电路功耗和提高阻变存储器集成密度，从而能够满足交叉阵列存储电路的需求。
具有选择抗串扰功能存储器交叉阵列存储电路

[发明专利]一种FinFET晶体管的制作方法-CN201110001128.6有效
发明人：张盛东;韩汝琦;韩德栋 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2011-01-05 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种FinFET晶体管制作方法，包括：在衬底上生成一介质条，以介质条为掩膜进行离子注入使其在衬底表面形成非晶层；在衬底上生成覆盖介质条的非晶半导体层，并将其进行热退火处理再结晶成单晶半导体层；对预设计为源漏区域的介质条的两端做相应的处理形成源漏区；在介质条不与源漏区域接触的两侧形成再结晶的半导体侧墙，去除侧墙之间的介质条，形成Fin体；在衬底和Fin体上生成牺牲层，并在Fin体的两侧形成保护侧墙，然后将其进行氧化处理，使Fin体与衬底隔离；去除保护侧墙和牺牲层，形成栅介质层和栅电极。利用该方法制造出的Fin体厚度可根据实际需要控制，尤其适合于对Fin体尺寸要求较高的晶体管的制作。
一种 finfet 晶体管制作方法

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