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[发明专利]一种太阳能电池组件-CN202310715463.5在审
发明人： 雷仲礼 -专利权人：德鸿半导体设备（浙江）有限公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种太阳能电池组件，包括：第一模块，第一模块具有第一基片，第一模块还具有布置在第一基片的第一表面上的第一导电线，以及布置在第一基片的第二表面上的第二导电线；第二模块还具有设置在第二基片的第一表面上的第一导电线，以及设置在第二基片的第二表面上的第二导电线；以及包括第一薄膜开口和第二薄膜开口的薄膜，其中第一基片和第二基片耦合至薄膜的第一表面，其中第一基片覆盖第一薄膜开口，并且其中第二基片覆盖第二薄膜开口；其中薄膜包括位于第一基片和第二基片之间的位置处的通孔；并且其中第一模块的第一导电线经由位于薄膜的通孔中的导电线电连接到第二模块的第二导电线，该组件成品质量高，能量转换效率较高。
一种太阳能电池组件

[发明专利]一种具有柔性电介质薄片的等离子体处理装置-CN201910837528.7有效
发明人：王伟娜;涂乐义;梁洁;雷仲礼;叶如彬 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2019-09-05 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有柔性电介质薄片的等离子体处理装置。柔性电介质薄片的上部与接地环结构导电连接，下部与围成反应腔的腔体外壁导电连接；接地环结构环绕在等离子体处理装置的基座外围，并可随基座一起在反应腔的腔体内上下移动或定位在设定的高度；柔性电介质薄片的最短长度，与接地环结构到腔体之间的最远距离相匹配。本发明的柔性电介质薄片通过优化，有良好的射频电流通过能力，安装方便，使用寿命长，且不产生金属污染。
一种具有柔性电介质薄片等离子体处理装置

[发明专利]下电极组件、等离子体处理装置及其工作方法-CN201911393006.9有效
发明人： 雷仲礼 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种下电极组件、等离子体处理装置及其工作方法。其中该下电极组件包括静电夹盘、基座、流体循环层。静电夹盘用于吸附待处理基片。基座用于承载静电夹盘，基座包括冷却层和位于冷却层上方的加热层，冷却层内设置冷却通道。加热层，其位于冷却层上方，所述加热层内设置加热装置。流体循环层位于加热层上方，内部设置容纳流体媒介的流体通道，流体媒介用于对静电夹盘的温度分布进行调节。本发明通过使用流体介质以径向方式均衡加热元件的不均匀性，对应于下面的加热装置的几个流体通道可以用于提供温度分布的径向对称，以达到对静电夹盘的温度分布进行调节的作用。
电极组件等离子体处理装置及其工作方法

[发明专利]一种太阳能电池的制造方法及其制造装置-CN202111148814.6有效
发明人： 雷仲礼 -专利权人：德鸿半导体设备（浙江）有限公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种太阳能电池的制造装置、方法及太阳能电池组件，该太阳能电池的制造装置包括：运输腔，所述运输腔内设有纵向形状的传输轨道，所述纵向形状的传输轨道具有位于所述传输轨道两侧的第一侧和第二侧；可移动框架并且具有框架开口；薄膜粘附到可移动框架并且具有多个薄膜开口，框架开口暴露多个薄膜开口，每个薄膜开口暴露附接至薄膜的对应基片，该方法减少太阳能电池制造装置的占地面积，节约成本。
一种太阳能电池制造方法及其装置

[发明专利]基片处理装置及其方法-CN202111149234.9有效
发明人： 雷仲礼 -专利权人：德鸿半导体设备（浙江）有限公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种基片处理装置及其方法，该基片处理装置包括：设有框架开口的框架；以及被配置成耦合到所述框架并且覆盖所述框架开口的至少一部分的薄膜，所述薄膜包括薄膜开口，其中所述薄膜开口的薄膜开口面积等于或小于所述框架开口的框架开口面积；其中所述薄膜被配置用于与所述基片耦合，其中当所述基片与所述薄膜耦合时，所述基片覆盖所述薄膜开口，且所述薄膜被配置为将所述基片维持在相对于所述框架的设定位置；且所述薄膜开口面积小于所述基片的总面积，基于该基片处理装置的处理方法能够避免翻转基片，以提高太阳能电池组件的成品质量。
处理装置及其方法

[发明专利]一种基片处理系统及其方法-CN202111276832.2有效
发明人： 雷仲礼;金浩;黄允文 -专利权人：德鸿半导体设备（浙江）有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种基片处理系统及其方法，该基片处理系统包括预热站、PECVD处理站、冷却站和传送装置，所述PECVD处理站包括上腔室本体、设于上腔室本体的第一电极、下腔室本体、设于下腔室本体的第二电极、设于下腔室本体的基座、由导电材料制成的托盘、上腔室本体的底端设有射频垫圈；PECVD处理站用于对预热好的基片进行膜层的PECVD沉积，PECVD处理站的底部基座被加热时，基座向上运动直至接触承载基片的托盘的背面，且推动托盘的正面部分边缘与PECVD处理站的射频垫圈相接触，使得托盘通过射频垫圈与PECVD处理站的上腔室本体之间构成接地回路；冷却站用于对沉积好的基片进行冷却，本发明提供的基片处理系统能够改善基片上的等离子体沉积不均匀性的问题。
一种处理系统及其方法

[发明专利]一种用于处理基片的处理站-CN202111276823.3有效
发明人： 雷仲礼;金浩;黄允文 -专利权人：德鸿半导体设备（浙江）有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种用于处理基片的处理站，该处理站包括上腔室本体、设于上腔室本体的第一电极、下腔室本体、设于下腔室本体的第二电极、设于下腔室本体的基座、由导电材料制成的托盘、上腔室本体的底端设有射频垫圈。托盘与上腔室本体分离，托盘用于承载基片，托盘的尺寸大于基座的尺寸；当基座被加热向上运动直至接触托盘的背面，且推动托盘的正面部分边缘与射频垫圈相接触，使得托盘通过射频垫圈与上腔室本体之间构成接地回路。该处理站用于改善基片上的等离子体沉积或蚀刻不均匀性的问题，实现了将等离子体集中在基片区域上以，最大化等离子体对基片表面沉积或蚀刻的效果。
一种用于处理

[发明专利]一种等离子体处理器的安装结构及相应的等离子体处理器-CN201811606208.2有效
发明人：杨金全;黄允文;雷仲礼 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子体处理器的安装结构及相应的等离子体处理器，等离子处理器包括一反应腔，反应腔顶部包括一安装基板，安装基板下方设有一气体喷淋头板，其中气体喷淋头板由陶瓷材料制成，安装基板由金属材料制成，该安装结构包括：弹性紧固组件，气体喷淋头板通过弹性紧固组件连接于安装基板上，弹性紧固组件包括第一端固定于所述安装基板，第二端固定于气体喷淋头板，还包括连接在两端之间的弹性杆，安装基板和气体喷淋头板在温度变化过程中，安装基板相对于气体喷淋头板横向延展，弹性紧固组件中的弹性杆发生横向弹性变形，同时保持安装基板和气体喷淋头板之间的紧固。
一种等离子体处理器安装结构相应

[发明专利]实现均匀排气的双工位处理器及等离子体处理设备-CN201910630160.7有效
发明人： 雷仲礼 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2019-07-12 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种实现均匀排气的双工位处理器及等离子体处理设备，双工位处理器包含两个相邻排列的等离子体处理腔室和一个共享的排气泵，每个等离子体处理腔室内设置一气体注入装置和一用于支撑基片的基座，每个等离子体处理腔室内环绕所述基座的外围设置一等离子体约束装置，每个等离子体约束装置下方设有排气区域，每一个等离子体处理腔室与排气泵之间具有两个排气通道，每一个排气通道具有进气口和出气口，进气口连接等离子体处理腔室中的排气区域，出气口连接排气泵。本发明提高了等离子体处理设备中反应腔内基片表面的反应气体分布的均匀度，提高了基片的刻蚀均匀度，提高了基片的合格率。
实现均匀排气双工处理器等离子体处理设备

[发明专利]脉冲射频等离子体的阻抗匹配方法和装置-CN201811495777.4有效
发明人： 雷仲礼;叶如彬;涂乐义 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2018-12-07 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本申请公开了一种脉冲射频等离子体的阻抗匹配方法和装置。该方法连续在所述第i个脉冲周期及位于其后的多个脉冲周期的第一射频功率阶段内搜寻匹配频率的过程中，将前一脉冲在搜寻匹配频率过程中阻抗参数最小的调频频率赋给下一脉冲，将其作为下一脉冲的初始频率，如此，相当于增加了一个脉冲周期的第一射频功率阶段的宽度，因而，通过对该多个脉冲的第一射频功率阶段的连续调频，可以搜寻到较高脉冲频率的脉冲射频等离子体的匹配频率，进而实现对较高脉冲频率的等离子体的阻抗匹配。此外，本申请还公开了一种等离子体处理装置。
脉冲射频等离子体阻抗匹配方法装置

[发明专利]一种具有可移动环的等离子体处理器-CN201910831954.X有效
发明人：杨金全;黄允文;苏兴才;雷仲礼;王伟娜 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2019-09-04 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理器，包括：反应腔，所述反应腔内设置一个基座，所述基座上放置有一晶圆，第一源射频电源，施加第一射频周期信号到所述反应腔内，以点燃并维持等离子体；一气体喷淋头位于反应腔内与所述基座相对的上方，一偏置射频电源，用于施加第二射频周期信号到所述基座；一等离子约束环围绕所述基座，使得流过所述约束环的带电粒子被熄灭；一可移动环环绕所述气体喷淋头和基座之间的反应空间，所述可移动环在至少两个位置间移动，在等离子处理过程中，所述可移动环下降到低位；其中所述可移动环底部包括一个气体扩散腔与下方的约束环联通，所述气体扩散腔还通过位于可移动环内壁的多个通气槽与基片上方的反应空间相联通。
一种具有移动等离子体处理器

[发明专利]一种等离子体处理器的安装结构及相应的等离子体处理器-CN201811623878.5有效
发明人：杨金全;雷仲礼;徐朝阳 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子体处理器的安装结构，所述等离子体处理器包括安装基板、陶瓷材料制成的气体喷淋头板，一螺丝用于把安装基板及气体喷淋头板固定在一起形成装配体，螺丝与气体喷淋头板之间通过一补偿螺丝与安装基板热膨胀量差值的结构进行连接，该补偿螺丝与安装基板热膨胀量差值的结构包含：弹性浮动机构，包含螺纹部，弹性体，以及通过该弹性体弹性连接该螺纹部的固定部，螺纹部连接所述的螺丝；连接件，用于将弹性浮动机构的固定部与所述的气体喷淋头板固定到一起，温度变化时，借助螺纹部的弹性浮动来补偿螺丝与安装基板之间的热膨胀差值。其优点是：同时解决了温度变化时热膨胀量差值导致的气体喷淋头板被破坏以及螺丝松动的问题。
一种等离子体处理器安装结构相应

[发明专利]一种用于组装ESC的多平面多路可调节温度的加热器-CN201811632066.7有效
发明人： 雷仲礼;吴狄;黄国民 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明是一种用于组装ESC的多平面多路可调节温度的加热器，包含：主加热器层、子加热器层、附加子加热器层；所述主加热器层设置在第一层，且所述主加热器层设有N个加热器，使ESC接近ESC顶面上设置的晶片所需温度；所述子加热器层设置在主加热器层的顶部，且所述子加热器层设有X个加热器，与所述主加热器层结合，使得结合后的子加热器层设有大于X个可控温区；所述附加子加热器层设置在子加热器层的顶部，且所述附加子加热器层设有Y个加热器，与所述子加热器层的可控温区结合后，使得附加子加热器层的总可控温区大于N+X+Y个。
一种用于组装 esc 平面多路可调节温度加热器

[发明专利]一种耐腐蚀的气体混合装置及等离子体处理设备-CN201810642603.X有效
发明人：杨金全;徐朝阳;雷仲礼;姜晓丽 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2018-06-21 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种耐腐蚀的气体混合装置及等离子体处理设备，该气体混合装置包括：支撑挡板、第一气体挡板、第二气体挡板及安装基板；所述支撑挡板上设置有至少一个第一气体进气孔及至少一个第二气体进气孔；所述第一气体挡板上设置有第一混合通道及至少一个第一混合气体出气孔；所述第二气体挡板上设置有第二混合通道及至少一个第二混合气体出气孔；所述安装基板上设置有至少一个第三混合气体出气孔；所述第一气体进气孔、第二气体进气孔和第三混合气体出气孔的内壁、支撑挡板的底面及安装基板的顶面设置有氧化钇涂层；所述第一气体挡板和第二气体挡板的材质为抗腐蚀塑料。本发明比目前在铝材表面做阳极氧化层的方式更抗腐蚀，且节省成本。
一种腐蚀气体混合装置等离子体处理设备

[发明专利]基板处理系统、基板传送装置和传送方法-CN201710193126.9有效
发明人： 雷仲礼 -专利权人： 雷仲礼
申请日： 2017-03-28 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种基板传送装置，其包括：传送机械臂，所述传送机械臂上设置有基板传送叉，所述基板传送叉包括一条主干和多条相互平行的分叉，每条所述分叉的一端连接在所述主干上，另一端为自由端；每条所述分叉上设置有多个凹槽，每相邻两条所述分叉上的多个所述凹槽相对设置；每条所述分叉上的每相邻两个凹槽与相邻分叉上与之相对的两个凹槽共同形成支撑一片晶片的晶片支撑结构。利用该基板传送装置可以在不使用基板承载盘的情况下对基板进行传送。如此，能够克服利用基板承载盘的一系列缺陷。基于该基板传送装置，本申请还提供了一种基板处理系统以及基板传送方法。
处理系统传送装置方法

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