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[发明专利]一种太阳能电池组件-CN202310715463.5在审
发明人：雷仲礼 -专利权人： 德鸿半导体设备（浙江）有限公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种太阳能电池组件，包括：第一模块，第一模块具有第一基片，第一模块还具有布置在第一基片的第一表面上的第一导电线，以及布置在第一基片的第二表面上的第二导电线；第二模块还具有设置在第二基片的第一表面上的第一导电线，以及设置在第二基片的第二表面上的第二导电线；以及包括第一薄膜开口和第二薄膜开口的薄膜，其中第一基片和第二基片耦合至薄膜的第一表面，其中第一基片覆盖第一薄膜开口，并且其中第二基片覆盖第二薄膜开口；其中薄膜包括位于第一基片和第二基片之间的位置处的通孔；并且其中第一模块的第一导电线经由位于薄膜的通孔中的导电线电连接到第二模块的第二导电线，该组件成品质量高，能量转换效率较高。
一种太阳能电池组件

[发明专利]一种太阳能电池的制造方法及其制造装置-CN202111148814.6有效
发明人：雷仲礼 -专利权人： 德鸿半导体设备（浙江）有限公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种太阳能电池的制造装置、方法及太阳能电池组件，该太阳能电池的制造装置包括：运输腔，所述运输腔内设有纵向形状的传输轨道，所述纵向形状的传输轨道具有位于所述传输轨道两侧的第一侧和第二侧；可移动框架并且具有框架开口；薄膜粘附到可移动框架并且具有多个薄膜开口，框架开口暴露多个薄膜开口，每个薄膜开口暴露附接至薄膜的对应基片，该方法减少太阳能电池制造装置的占地面积，节约成本。
一种太阳能电池制造方法及其装置

[发明专利]基片处理装置及其方法-CN202111149234.9有效
发明人：雷仲礼 -专利权人： 德鸿半导体设备（浙江）有限公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种基片处理装置及其方法，该基片处理装置包括：设有框架开口的框架；以及被配置成耦合到所述框架并且覆盖所述框架开口的至少一部分的薄膜，所述薄膜包括薄膜开口，其中所述薄膜开口的薄膜开口面积等于或小于所述框架开口的框架开口面积；其中所述薄膜被配置用于与所述基片耦合，其中当所述基片与所述薄膜耦合时，所述基片覆盖所述薄膜开口，且所述薄膜被配置为将所述基片维持在相对于所述框架的设定位置；且所述薄膜开口面积小于所述基片的总面积，基于该基片处理装置的处理方法能够避免翻转基片，以提高太阳能电池组件的成品质量。
处理装置及其方法

[发明专利]一种基片处理系统及其方法-CN202111276832.2有效
发明人：雷仲礼;金浩;黄允文 -专利权人： 德鸿半导体设备（浙江）有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种基片处理系统及其方法，该基片处理系统包括预热站、PECVD处理站、冷却站和传送装置，所述PECVD处理站包括上腔室本体、设于上腔室本体的第一电极、下腔室本体、设于下腔室本体的第二电极、设于下腔室本体的基座、由导电材料制成的托盘、上腔室本体的底端设有射频垫圈；PECVD处理站用于对预热好的基片进行膜层的PECVD沉积，PECVD处理站的底部基座被加热时，基座向上运动直至接触承载基片的托盘的背面，且推动托盘的正面部分边缘与PECVD处理站的射频垫圈相接触，使得托盘通过射频垫圈与PECVD处理站的上腔室本体之间构成接地回路；冷却站用于对沉积好的基片进行冷却，本发明提供的基片处理系统能够改善基片上的等离子体沉积不均匀性的问题。
一种处理系统及其方法

[发明专利]一种用于处理基片的处理站-CN202111276823.3有效
发明人：雷仲礼;金浩;黄允文 -专利权人： 德鸿半导体设备（浙江）有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种用于处理基片的处理站，该处理站包括上腔室本体、设于上腔室本体的第一电极、下腔室本体、设于下腔室本体的第二电极、设于下腔室本体的基座、由导电材料制成的托盘、上腔室本体的底端设有射频垫圈。托盘与上腔室本体分离，托盘用于承载基片，托盘的尺寸大于基座的尺寸；当基座被加热向上运动直至接触托盘的背面，且推动托盘的正面部分边缘与射频垫圈相接触，使得托盘通过射频垫圈与上腔室本体之间构成接地回路。该处理站用于改善基片上的等离子体沉积或蚀刻不均匀性的问题，实现了将等离子体集中在基片区域上以，最大化等离子体对基片表面沉积或蚀刻的效果。
一种用于处理

[发明专利]基片的处理系统及方法-CN202111276826.7在审
发明人：雷仲礼;金浩 -专利权人： 德鸿半导体设备（浙江）有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明提供了一种基片的处理系统及方法，该处理系统包括设有开口的子模块框架、托盘、以及薄膜。其中，所述子模块框架活动设置于所述托盘；所述薄膜耦合于所述子模块框架，且覆盖所述开口，所述薄膜设有安装口，所述安装口的面积小于或等于所述开口面积，所述安装口用于耦合基片；其中，所述安装口的面积小于所述基片的面积，当所述基片与所述薄膜耦合时，所述基片覆盖所述安装口。本发明通过将子模块框架活动设置在托盘上，便于基片处理系统在对基片处理时实现对基片上表面和下表面的翻转切换。同时避免了在系统的工艺室内需要切换基片处理面而替换不同托盘的问题，不需要将不同托盘分类放置，降低了生产成本，更重要的是避免对基片的污染。
处理系统方法