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[发明专利]发光二极管磊晶结构-CN201710249399.0在审
发明人：杨仲傑;王德忠 -专利权人： 隆达电子股份有限公司
申请日： 2017-04-17 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：一种发光二极管磊晶结构，包含基板、缓冲层、第一半导体层、发光层、中介层、第二半导体层以及接触层。缓冲层设置于基板上。第一半导体层设置于缓冲层上。发光层设置于第一半导体层上。中介层设置于发光层上，其中中介层的材质为P型氮化铝。第二半导体层设置于中介层上，其中第二半导体层的材质为P型氮化铝镓。接触层设置于第二半导体层上。通过妥善选择中介层与第二半导体层的材质，第二半导体层相较于发光层具有较高的能阶，因此第二半导体层可以有效阻挡电子而不让电子通过。同时，中介层相较于第二半导体层具有较高的能阶，因此中介层将能更进一步地阻挡电子而不让电子通过，因而使电子得以停留在发光层中并提升发光层的发光效率。
发光二极管结构

[发明专利]发光二极管灯管驱动电路-CN201310384805.6有效
发明人：陈俊光;陈柏燊 -专利权人： 隆达电子股份有限公司
申请日： 2013-08-29 - 公布日： 2017-09-01 - 主分类号： H05B37/02 文献下载
摘要：一种发光二极管灯管驱动电路，包含发光二极管驱动器及整流单元。发光二极管驱动器用以接收操作电压以驱动至少一发光二极管；整流单元具有第一输出入端以及第二输出入端，并选择性地透过第一输出入端及第二输出入端电性耦接外部交流电源，且用以提供操作电压予发光二极管驱动器，其中整流单元还包含第一整流二极管及第二整流二极管。
发光二极管灯管驱动电路

[发明专利]发光装置及其发光控制方法-CN201610697921.7在审
发明人：叶建男;张峻荣;陈柏燊;黄昭铨 -专利权人： 隆达电子股份有限公司
申请日： 2016-08-22 - 公布日： 2017-08-01 - 主分类号： H05B33/08 文献下载
摘要：发光装置及其发光控制方法。该发光装置包括调光器、整流器、第一发光模块、第一控制器、第二发光模块及第二控制器。调光器耦接交流电且用以调制交流电而产生交流调光信号。整流器耦接调光器与交流电，且用以将交流调光信号转变成直流调光信号。第一发光模块用以发出具有第一色温的第一光线。第一控制器耦接第一发光模块且用以控制第一发光模块发出第一光线。第二发光模块用以发出具有第二色温的第二光线，第一色温与第二色温相异。第二控制器耦接第二发光模块且用以控制第二发光模块发出第二光线。
发光装置及其控制方法

[发明专利]波长转换材料及其应用-CN201610909380.X在审
发明人：林欣颖;王宏嘉;汤安慈;刘如熹;蔡宗良;李育群;陈静仪;童鸿钧 -专利权人： 隆达电子股份有限公司
申请日： 2016-10-19 - 公布日： 2017-06-09 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本发明公开一种波长转换材料及其应用。波长转换材料包括全无机钙钛矿量子点，其具有化学通式CsPb(ClaBr1‑a‑bIb)3，其中0≤a≤1，0≤b≤1。
波长转换材料及其应用

[发明专利]氟化物荧光粉、其制备方法及包含其的发光装置与背光模块-CN201610633562.9在审
发明人：金叶;刘如熹;陈静仪;李育群;蔡宗良 -专利权人： 隆达电子股份有限公司
申请日： 2016-08-04 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： C09K11/61 文献下载
摘要：本发明提供一种氟化物荧光粉的制备方法，包括(a)提供一第一溶液，第一溶液将氟化钾(KF)及六氟合锰酸钾(K2MnF6)或高锰酸钾(KMnO4)溶于氢氟酸溶液所形成；(b)提供一第二溶液，第二溶液将一界面活性剂和一硅烷(silane)混合所形成；(c)混合第一溶液及第二溶液进行反应，以形成一沉淀物；以及(d)于步骤(c)之后，收集沉淀物。其中，所述步骤(a)至(c)于室温下进行。本发明亦提供一种由所述方法制造的氟化物荧光粉，及包含其的发光装置与背光模块。
氟化物荧光粉制备方法包含发光装置背光模块

[发明专利]具有孔隙的外延结构及其成长方法-CN201310122159.6有效
发明人：陈俊荣;周秀玫;叶昭呈 -专利权人： 隆达电子股份有限公司
申请日： 2013-04-10 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明揭露一种具有孔隙结构的外延结构及其成长方法。外延成长方法包含以下步骤形成牺牲层于基材上；图案化牺牲层，以在基材上形成多个间隔排列的凸起物；在裸露部分的基材上外延成长第一外延层，使第一外延层覆盖凸起物的一部分；蚀刻移除凸起物，以形成多个孔隙；以及在第一外延层上外延成长第二外延层，使孔隙被第一外延层及第二外延层包覆。
具有孔隙结构及其成长方法

[发明专利]可挠折基板与含有该可挠折基板的照明装置-CN201210303018.X有效
发明人：林建志;邱冠谕 -专利权人： 隆达电子股份有限公司
申请日： 2012-08-23 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H05K1/03 文献下载
摘要：本发明公开一种可挠折基板与含有该可挠折基板的照明装置。可挠折基板包括一可塑性层、一第一软性绝缘层与一第二软性绝缘层。第一软性绝缘层与第二软性绝缘层夹设着可塑性层。可塑性层的最小变应力大于第一软性绝缘层与第二软性绝缘层的最小变应力，或者，可塑性层的最小变应力大于第一软性绝缘层与第二软性绝缘层的弹性恢复力，以使可挠折基板具低抗形变能力而可任意折弯或交叉。
可挠折基板含有照明装置

[发明专利]发光二极管芯片封装体-CN201510746900.5在审
发明人：陈怡君;林志豪 -专利权人： 隆达电子股份有限公司
申请日： 2015-11-05 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本揭露提供一种发光二极管芯片封装体包含基板，具金属端子(金手指结构)，发光组件由多个发光二极管芯片一体成形(formed in one piece)或为晶圆级封装，且发光组件具有多个互相隔开的发光区，发光组件设于基板上且电性连接于金属端子。本揭露可使发光二极管芯片封装体的制造步骤不需要以高精密度的方式紧密排列彼此分离的多个发光二极管芯片，故可大幅降低生产成本。
发光二极管芯片封装

[发明专利]荧光粉、其制备方法及包含其发光装置与背光模块-CN201510262196.6在审
发明人：林群哲;魏灵灵;焦桓;刘如熹;陈静仪;李育群;蔡宗良 -专利权人： 隆达电子股份有限公司
申请日： 2015-05-21 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： C09K11/66 文献下载
摘要：本发明提供一种荧光粉，具有下列化学式：K2[Ge1-xF6]:Mnx4+，其中0<x<0.2，其中荧光粉具有六方晶相的P63mc空间群。本发明也提供上述荧光粉的制备方法及包含其发光装置与背光模块。本发明的荧光粉可应用于蓝光发光二极管使其产生红光荧光，也可于蓝光发光二极管中搭配YAG黄光荧光粉(Y3Al5O12:Ce；钇铝石榴石)及/或绿光荧光粉使其产生白光，以增加演色性。
荧光粉制备方法包含发光装置背光模块

[发明专利]发光芯片及具有其的发光装置-CN201210307937.4有效
发明人：陈育圣;廖振淳;李佳燕;林裕闵 -专利权人： 隆达电子股份有限公司
申请日： 2012-08-27 - 公布日： 2016-12-21 - 主分类号： H01L25/13 文献下载
摘要：一种发光芯片及具有其的发光装置。该发光芯片，操作于直流电源下，包括一基板以及多个发光单元。此些发光单元排列于基板上，且每一些发光单元的面积大小为相同或不同，且此些发光单元可分别受单一驱动电压驱动或多个驱动电压分段驱动。
发光芯片具有装置

[发明专利]发光二极管基板阵列-CN201210519533.1有效
发明人：周彦志 -专利权人： 隆达电子股份有限公司
申请日： 2012-12-06 - 公布日： 2016-12-21 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：一种发光二极管基板阵列，其包含第一导电层、第二导电层以及介电层。第一导电层包含多个第一连接部、多个第一电极部以及多个第一焊垫部，其中第一电极部是以阵列形式配置，任一个第一连接部串接一个第一焊垫部与至少一个第一电极部。第二导电层包含多个第二连接部、多个第二电极部以及多个第二焊垫部，其中第二电极部是以阵列形式配置，任一个第二连接部串接一个第二焊垫部与至少一个第二电极部。前述的介电层是设置于第一导电层与第二导电层之间。
发光二极管阵列

[实用新型]氨浓度提升系统-CN201620488718.4有效
发明人：任吉钏;陈建忠;莊金木 -专利权人： 隆达电子股份有限公司;亚氨科技股份有限公司
申请日： 2016-05-26 - 公布日： 2016-12-21 - 主分类号： C01C1/10 文献下载
摘要：本实用新型揭露一种氨浓度提升系统，其中氨浓度提升系统包括一蒸馏单元、一冷凝单元及一纯化单元。蒸馏单元包括一壳管式加热器，用以加热一氨水，并产生一氨气、及一水气。冷凝单元连接蒸馏单元，并包括至少一壳管式冷凝器，用以接收并冷却壳管式加热器产生的氨气及水气，使大部分水气冷凝成一冷凝液，而氨气则维持在气相，并产生一残余水气。纯化单元连接冷凝单元，并包括至少一壳管式纯化器，用以接收并冷却壳管式冷凝器产生的氨气及残余水气，使部分的残余水气液化为一回收液，而氨气则维持在气相，并且由纯化单元排出。
浓度提升系统

[发明专利]发光二极管芯片封装体-CN201510519100.X在审
发明人：陈怡君;林志豪;苏信纶;薛芳昌 -专利权人： 隆达电子股份有限公司
申请日： 2015-08-21 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本公开提供一种发光二极管芯片封装体，包括：一基板；一发光二极管芯片组件(LED chip set)，设于该基板上，且由多个发光二极管芯片一体成形(formed in one piece)；以及至少两个电极，设于该基板上且电性连接至该发光二极管芯片组件。本公开使用由多个发光二极管芯片一体成形的发光二极管芯片组件，可使发光二极管芯片封装体的制造步骤不再需要以高精密度的方式紧密排列彼此分离的多个发光二极管芯片，故可大幅降低生产成本。
发光二极管芯片封装

[实用新型]氨浓度提升装置-CN201620456594.1有效
发明人：任吉钏;陈建忠;刘卺翰 -专利权人： 隆达电子股份有限公司;亚氨科技股份有限公司
申请日： 2016-05-19 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： C01C1/10 文献下载
摘要：本实用新型揭露一种氨浓度提升装置，主要包括至少一第一壳管式热交换器、一终端壳管式热交换器以及一热能供应器。终端壳管式热交换器连接热能供应器及第一壳管式热交换器，其中热能供应器加热终端壳管式热交换器内的氨水，以形成氨气及热氨水。终端壳管式热交换器将产生的氨气及热氨水传送至第一壳管式热交换器，并加热第一壳管式热交换器内的氨水。透过本实用新型所述的氨浓度提升装置，可有效率的将氨水转换为高浓度的氨气，并可降低在转换的过程中所消耗的能量。
浓度提升装置

[发明专利]发光二极管模组及使用该发光二极管模组的灯具-CN201510341193.1在审
发明人：薛芳昌;林裕闵;林志豪;蔡宗良 -专利权人： 隆达电子股份有限公司
申请日： 2015-06-18 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种发光二极管模组及使用该发光二极管模组的灯具。发光二极管模组包括基板及多个发光封装体，每一发光封装体包含发光二极管及光波长转换层，其中发光二极管具有第一出光面、接合面以及多个第二出光面，接合面相对于第一出光面并连接基板，第二出光面介于第一出光面及接合面之间，光波长转换层覆盖发光二极管的第一出光面与第二出光面，发光二极管的接合面至第一出光面上的光波长转换层的顶面之间的距离代表一光源总厚度，相邻的发光封装体之间的距离代表一光源间距，其中光源间距与光源总厚度的比值介于1至6.3之间。本发明实施例的技术方案能解决发光二极管模组出光无法集中的问题，能提高发光二极管模组的光学效果。
发光二极管模组使用灯具