“陈轶昕”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果4个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种新型P-GaN栅结构的增强型器件及其制作方法-CN201810592687.0有效
发明人：郑雪峰;陈轶昕;王士辉;吉鹏;马晓华;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-06-11 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种新型P‑GaN栅结构的增强型器件及其制作方法。所述器件包括衬底，还包括在衬底一侧依次设置的成核层、缓冲层、势垒层、P‑GaN层、栅金属层；所述P‑GaN层在所述势垒层上的投影小于所述势垒层靠近所述P‑GaN层一侧的界面，所述P‑GaN层中部设置有凹槽；所述栅金属层靠近所述P‑GaN层的一侧具有与所述凹槽相适应的凸起，所述凸起插入所述凹槽。所述方法包括：将基底材料的P‑GaN原始层刻蚀为设定大小的P‑GaN层；所述基底材料包括衬底，以及在所述衬底一侧依次设置的成核层、缓冲层、势垒层、P‑GaN原始层；在所述P‑GaN层上刻蚀凹槽；在所述P‑GaN层上制作栅金属层，所述栅金属层的材料填充所述凹槽；所述方法还包括：在势垒上制作源极和漏极。本发明能够增强器件的栅控能力。
一种新型 gan 结构增强器件及其制作方法

[发明专利]一种GaN器件欧姆接触的改良方法-CN201910095568.9有效
发明人：郑雪峰;陈管君;陈轶昕;王小虎;马晓华;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-01-31 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种GaN器件欧姆接触的改良方法，其特征在于，包括：制备GaN器件，其中，所述GaN器件具有欧姆接触电极；在预设能量、预设剂量、预设温度、预设压强和预设时间下，对所述欧姆接触电极进行质子辐照。本发明实施例通过对GaN器件的欧姆接触电极进行一定程度的质子辐照，减小了欧姆接触电极的电阻，进而减小了有源区的方块电阻和比接触电阻，使得欧姆接触电极上的压降减小，从而增大了异质结沟道区域的压降，因此，质子辐照提升了欧姆接触电极的性能，提升了GaN器件的性能。
一种 gan 器件欧姆接触改良方法

[发明专利]一种HEMT开关器件-CN201811003853.5有效
发明人：郑雪峰;陈轶昕;王士辉;李纲;马晓华;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-08-30 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种HEMT开关器件，包括悬浮电极(9)和底部结构，其中悬浮电极(9)通过弹性件(12)固定在所述底部结构的上方，且所述悬浮电极(9)的底部设置有凸点电极(10)，所述底部结构包括衬底(1)，成核层(2)，缓冲层(3)以及势垒层(4)；另外所述弹性件(12)设置在所述衬底(1)上，所述缓冲层(3)的上表面还设置有源电极(6)和漏电极(7)，所述漏电极(7)与所述凸点电极(10)相对应，所述势垒层(4)的上表面设置有栅电极(8)和钝化层(5)。本发明所提出的HEMT开关器件，既具有静态功耗极低、开关速度快的特点，还具有击穿电压高，功率容量大的特点。
一种 hemt 开关器件

[发明专利]一种基于HEMT器件的开关结构-CN201811002463.6有效
发明人：郑雪峰;王士辉;陈轶昕;陈管君;马晓华;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-08-30 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于HEMT器件的开关结构，包括衬底层、缓冲层、势垒层、漏电极、源电极、栅电极以及悬臂电极，其中，所述衬底层、所述缓冲层和所述势垒层自下而上依次设置；所述漏电极和所述源电极均设置在所述缓冲层上，所述势垒层设置在所述缓冲层上未被所述漏电极和所述源电极覆盖的区域；所述栅电极设置在所述势垒层上且位于所述漏电极与所述源电极之间；所述悬臂电极的固定端设置在所述势垒层上，悬臂端位于所述漏电极和源电极上方，并且能够与所述漏电极或源电极接触。该基于HEMT器件的开关结构能够满足在高频、高压、高温等领域的应用，且开关反应极快，在没有导通的情况下不存在电流泄漏，极大地减小了功率损耗。
一种基于 hemt 器件开关结构