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[发明专利]一种基于稀土镍基氧化物的复合型热敏电阻材料及其制备方法和应用-CN202111001296.5有效
发明人： 陈诺夫;李晓宇;王郁昭;张婷;张豪;陈吉堃;李子昂;崔雨晨;鄢峰波;李海帆 -专利权人：华北电力大学;北京科技大学
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： C04B35/50 文献下载
摘要：本发明实施例公开一种基于稀土镍基氧化物的复合型热敏电阻材料及其制备方法和应用，属于温度传感器领域。本发明的复合型热敏电阻材料包括稀土镍基氧化物和负阻温系数的热敏电阻材料；所述复合型热敏电阻材料的电阻率在10‑2‑102Ω·m。本发明通过对两相的界面控制、电子结构控制、比例控制、混合工艺控制以及烧结工艺控制等，得到一种低电阻率复合型热敏电阻材料。本发明的复合型热敏电阻材料较传统热敏电阻材料具有低电阻率、宽温区适用性的特性，在温度补偿、抑制浪涌电流等方面有着广阔的应用前景，为热敏电阻小型化、低维化方向的发展开辟了道路。
一种基于稀土氧化物复合型热敏电阻材料及其制备方法应用

[发明专利]一种稀土钴基氧化物电子相变材料的合成方法-CN202211024189.9在审
发明人： 陈诺夫;张豪;钟键;张芳;张婷;陈吉堃;李子昂;崔雨晨 -专利权人：华北电力大学;北京科技大学
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： C01G51/00 文献下载
摘要：本发明提供一种稀土钴基氧化物电子相变材料的合成方法，属于粉体材料制备技术领域；包括以下步骤：S1、准备稀土氧化物前驱体和钴基氧化物前驱体作为初始原料，加入碱金属卤化物混合；S2、之后在0.1‑1000MPa的氧气压力下进行第一次热处理；所述第一次热处理的温度在碱金属卤化物的熔点温度以上；S3、然后在0.1‑1000MPa的氧气压力下进行第二次热处理，其温度低于碱金属卤化物的熔点温度1‑50℃；S4、将步骤S3得到的产物冲洗后离心干燥。通过使用具有异质籽晶与助熔剂双重作用的碱金属卤化物在两个不同温度条件下热处理来制备钙钛矿型稀土钴基氧化物，其成本低、生产效率高且合成温度低。
一种稀土氧化物电子相变材料合成方法

[实用新型]一种新型碳化硅粉料合成用的坩埚-CN202120557611.1有效
发明人：黄四江;刘得伟;段金炽;陈诺夫;普世坤;沙智勇;尹归;杨海平;王美春;殷云川;朱念 -专利权人：云南临沧鑫圆锗业股份有限公司;云南中科鑫圆晶体材料有限公司;昆明云锗高新技术有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司
申请日： 2021-03-18 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： F27B14/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及碳化硅粉料合成工艺领域，具体公开一种新型碳化硅粉料合成用的坩埚，包括圆柱形坩埚本体和盖体，所述坩埚本体的底部为弧形，所述坩埚整体的材料为碳化钽，本发明采用弧形底部使整个使得在碳化硅合成工艺中产量显著提高，采用碳化钽为材料制备坩埚，增加了坩埚的使用寿命，极大的减少了成本支出。
一种新型碳化硅合成坩埚

[发明专利]GaAs基多结太阳电池的Ge/Si异质结底电池制备方法-CN201910526744.X有效
发明人： 陈诺夫;陈梦;陶泉丽;常甄文 -专利权人：华北电力大学
申请日： 2019-06-18 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L31/078 文献下载
摘要：本发明公开了GaAs基多结太阳电池的Ge/Si异质结底电池制备方法，其包括以下步骤：1)选取p型单晶硅衬底；2)在p‑Si上生长掺杂磷元素的n型Ge薄膜，形成Ge/Si异质结底电池；3)在n‑Ge薄膜上，采用MOCVD技术生长GaAs缓冲层；4)在所得GaAs缓冲层上采用MOCVD技术生长第一个隧道结；5)在所得第一个隧道结上采用MOCVD技术生长GaAs中间电池；6)在所得GaAs中间电池上采用MOCVD技术生长第二个隧道结；7)在所得第二个隧道结上采用MOCVD技术生长InGaP顶电池；8)在所得InGaP顶电池上生长窗口层；9)在所得窗口层上生长GaAs欧姆接触层；10)在所得接触层上选区刻蚀后生长减反射膜；11)制备上下表面金属电极，并完成多结太阳电池的制备。
gaas 基多太阳电池 ge si 异质结底电池制备方法

[实用新型]一种PVT法生长SiC用的单晶炉测温结构-CN202020485258.6有效
发明人：包文东;陈吉堃;陈诺夫;惠峰;陆贵兵;普世坤;林作亮;胡文瑞 -专利权人：云南临沧鑫圆锗业股份有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司
申请日： 2020-04-07 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本专利涉及半导体材料SiC单晶生长领域，具体公开了一种PVT法生长SiC用的单晶炉测温结构，所述单晶炉包括用坩埚围成的晶体生长用晶体生长室，配置于生长室室内顶部的石墨盘，和在所述晶体生长室外围的保温层，所述测温结构包括所述石墨盘中心设置通孔，通孔上镶嵌盖片形成的测温窗，以及设置于石墨盘上方保温层内和所述测温窗垂直贯穿的测温孔，使得测量温度的红外线能够穿过保温层和石墨盘，直接测量SiC晶体生长室内的温度，从而减小了生长温度的测量误差，使得PVT方法生长SiC单晶时的温度控制更精确，生长出的碳化硅单晶晶体缺陷密度降低。
一种 pvt 生长 sic 单晶炉测温结构

[实用新型]一种PVT生长SiC单晶籽晶粘接盘-CN202020485292.3有效
发明人：包文东;陈吉堃;陈诺夫;惠峰;陆贵兵;普世坤;林作亮;胡文瑞 -专利权人：云南临沧鑫圆锗业股份有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司
申请日： 2020-04-07 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体材料SiC单晶生长领域，具体公开了一种PVT生长SiC单晶籽晶粘接盘，所述籽晶粘接盘包括籽晶和石墨圆板，籽晶粘接于石墨圆板上，石墨圆板直径不小于籽晶直径，石墨圆板上设置有数个等间距的凹坑，凹坑外缘与籽晶边缘相切，本实用新型所涉及的籽晶粘接盘结构减小了籽晶粘接应力，使得PVT方法生长出的碳化硅单晶晶体缺陷密度降低，晶体更容易与粘接盘分离。所需结构无须过高成本，却改善了晶体材料的质量，而且可以减少企业的生产成本，使得碳化硅材料在半导体领域的应用中发挥更好更高效的作用。
一种 pvt 生长 sic 籽晶粘接盘

[发明专利]一种PVT生长SiC单晶籽晶粘接盘及粘接方法-CN202010262959.8在审
发明人：包文东;陈吉堃;陈诺夫;惠峰;陆贵兵;普世坤;林作亮;胡文瑞 -专利权人：云南临沧鑫圆锗业股份有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司
申请日： 2020-04-07 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料SiC单晶生长领域，具体公开了一种PVT生长SiC单晶籽晶粘接盘及粘接方法，所述籽晶粘接盘包括籽晶和石墨圆板，籽晶粘接于石墨圆板上，所述石墨圆板直径不小于籽晶直径，石墨圆板上设置有数个等间距的凹坑，凹坑外缘与籽晶边缘相切，然后使用粘接剂将籽晶粘接在改造后的粘接盘上，本发明所涉及的籽晶粘接盘结构减小了籽晶粘接应力，使得PVT方法生长出的碳化硅单晶晶体缺陷密度降低，晶体更容易与粘接盘分离。所需结构无须过高成本，却改善了晶体材料的质量，而且可以减少企业的生产成本，使得碳化硅材料在半导体领域的应用中发挥更好更高效的作用。
一种 pvt 生长 sic 籽晶粘接盘方法

[发明专利]一种碳化硅单晶生长用固气界面可控的坩埚-CN201910486041.9在审
发明人： 陈诺夫;杨阳 -专利权人：华北电力大学
申请日： 2019-06-05 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶生长用固气界面可控的坩埚，其包括坩埚本体，贯穿坩埚本体底部的连接杆，所述连接杆连接原料盒，所述原料盒随所述连接杆在坩埚本体内升降；所述坩埚本体的外表面设置保温层；所述原料盒是内置于坩埚的开口原料盒；所述连接杆的升降速度为0‑10mm/min；所述连接杆连接所述坩埚外部的电动装置。本发明所提供的坩埚结构使得晶体生长环境不会因为原料减少降低固气界面而变化，从而使晶体生长更稳定。
坩埚原料盒坩埚本体连接杆固气连接杆连接可控的升降晶体生长环境碳化硅单晶单晶生长电动装置晶体生长坩埚结构保温层开口体内生长贯穿外部

[发明专利]一种多孔硅太阳能电池结构及制备方法-CN201810577678.4在审
发明人： 陈诺夫;石岱星;徐甲然;陶泉丽;白一鸣 -专利权人：华北电力大学
申请日： 2018-06-07 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：一种多孔硅太阳能电池结构，包括p型硅层，在所述p型硅层的一侧形成有n型硅层，在所述n型硅层不与所述p型硅层接触的一侧形成有多孔硅层。制备步骤包括制备p型单晶硅片；在p型单晶硅片正面制备多孔硅结构；采用磷快速热扩散方法制备p‑n结；最后制备上、下电极。本发明相较于传统晶硅电池，是将原先的两个步骤倒金字塔表面织构化和沉积减反射层简化为制作多孔硅层一个步骤，可以大幅度降低制作成本，同时多孔硅的宽带隙使得其可以作为窗口层，吸收高能量光子，提高了太阳能电池效率。
制备多孔硅太阳能电池结构多孔硅层太阳能电池效率表面织构化多孔硅结构高能量光子快速热扩散倒金字塔减反射层晶硅电池窗口层宽带隙下电极沉积制作吸收

[发明专利]一种径向(110)体硅太阳电池及其制备方法-CN201710028336.2有效
发明人： 陈诺夫;陶泉丽;马大燕;白一鸣 -专利权人：华北电力大学
申请日： 2017-01-12 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本发明涉及一种径向(110)体硅太阳电池及其制备方法。太阳电池的结构主体是在一个P型(110)体硅片上形成多个径向p‑n结结构单元并联排布；所述径向p‑n结结构单元为，芯部为n型区；p型区环绕在n型区外圈，与n型区形成p‑n结；P+型区作为窗口层环绕在P型区外圈，形成势垒以降低载流子复合，增强载流子扩散。在太阳电池的迎光面覆有减反射膜，在背光面覆有电极。本发明的(110)体硅太阳电池是一种真正意义上的三维太阳电池，其径向p‑n结结构能够显著提高晶体硅太阳电池的效率。
一种径向 110 太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种利用遮蔽法检测光伏发电系统故障点的方法-CN201410546505.8有效
发明人： 陈诺夫;刘虎;弭辙;付蕊;白一鸣;何海洋;辛雅焜;牟潇野;吴强;杨博;高征;刘海 -专利权人：华北电力大学
申请日： 2014-10-15 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： H02S50/10 文献下载
摘要：本发明公开了属于太阳能光伏发电系统故障检测领域的一种利用遮蔽法检测光伏发电系统故障点的方法。通过在日光照射条件下用遮光板对光伏发电系统组串中的光伏电池板实施外部遮蔽，测得不同遮挡下该串联支路的总电压的测量数列，进而对测量数列进行坏值判断，被标定为“坏值”的测量所对应的被遮挡光伏电池板即为故障电池板。本发明的优势在于检测方法无需对现有光伏发电系统进行改造，不增加光伏发电系统的硬件配置，检测过程不需要对系统线路进行拆解，是一种简单有效的太阳能光伏系统故障点检测方法。
一种利用遮蔽检测发电系统故障方法

[发明专利]基于石墨衬底的倒装三结太阳电池及其制备方法-CN201610835582.4有效
发明人：付蕊;牟潇野;陈诺夫;包文东 -专利权人：云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
申请日： 2016-09-21 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：本发明涉及光伏技术领域，尤其是指一种基于石墨衬底的倒装三结太阳电池及其制备方法，所述电池包括GaInP顶电池、第一隧穿结、InxGa1‑xAs中电池、第二隧穿结、缓冲层、InyGa1‑yAs底电池。所述制备方法包括石墨衬底进行机械抛光、石墨衬底抛光面依次沉积Ge层、GaAs层、采用MOCVD依次外延生长第一欧姆接触层、GaInP顶电池、第一隧穿结、InxGa1‑xAs中电池、第二隧穿结、缓冲层、InyGa1‑yAs底电池，第二欧姆接触层、在上述外延片第二欧姆接触层表面蒸镀背面电极并将其键合至一支撑衬底，去除外延衬底，制备正面电极，获得目标电池。本发明实现各子电池间更好的电流匹配，从而提高多结电池的光电转换效率；同时可有效降低多结电池的制作成本。
基于石墨衬底倒装太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种石墨衬底浓度渐变P型多晶硅薄膜的制备方法-CN201610562022.6有效
发明人： 陈诺夫;魏立帅;贺凯;王从杰;孔凡迪;白一鸣;王淑娟 -专利权人：华北电力大学
申请日： 2016-07-15 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明属于硅太阳能电池技术领域，特别涉及一种石墨衬底浓度渐变P型多晶硅薄膜的制备方法。制备过程为以抛光石墨片为衬底，在石墨衬底上先沉积一层非晶硅薄膜，并采用快速热处理方法扩散硼，之后用氢氟酸去除表面硼硅玻璃，接着继续沉积一层较厚的非晶硅薄膜，并进行快速热退火处理和较长时间常规退火处理。
一种石墨衬底浓度渐变多晶薄膜制备方法

[实用新型]全方位折射式聚光镜-CN201620350616.6有效
发明人：付蕊;陈诺夫;包文东 -专利权人：云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
申请日： 2016-04-25 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： G02B19/00 文献下载
摘要：本实用新型属于太阳能聚光镜领域，公开了一种全方位折射式聚光镜。所述的全方位折射式聚光镜为旋转对称结构，采用半球面设计，不需要任何跟踪装置，既可以大幅度降低生产成本，又可以避免跟踪装置带来的误差和不稳定性。全方位折射式聚光镜设计结构小型化，材料选择聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)价格低廉，且可通过注塑加工一体成型，进一步降低成本，可实现工业化生产，应用前景广。
全方位折射聚光镜

[发明专利]一种利用陶瓷衬底制备多晶硅薄膜的方法-CN201511008507.2在审
发明人： 陈诺夫;杨博;牟潇野;阮绍林;阮正亚 -专利权人：常州英诺能源技术有限公司
申请日： 2015-12-30 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用陶瓷衬底制备多晶硅薄膜的方法，首先选取Al₂O₃陶瓷板作为衬底，经过热压工艺压制石墨薄膜，再以其为基板，采用磁控溅射法沉积多晶硅薄膜籽晶层，然后采用化学气相沉积技术在多晶硅籽晶层上沉积多晶硅薄膜，最后采用退火方法将多晶硅薄膜与陶瓷衬底进行分离，制得多晶硅薄膜。本发明的有益效果：设计合理，提供了一种基于可重复利用陶瓷衬底的多晶硅薄膜的制备方法，根据该方法制备多晶硅薄膜，避免使用昂贵的石墨衬底，有效的降低了制作成本，更加适于商业化生产及大规模应用。
一种利用陶瓷衬底制备多晶薄膜方法

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