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[发明专利]固化治具-CN201810147219.2在审
发明人：孙利峰;陈立轩;诸小群;严旭东;李兵海 -专利权人：业成科技（成都）有限公司;业成光电（深圳）有限公司;英特盛科技股份有限公司
申请日： 2018-02-12 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： B05D3/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种固化治具，固化治具包括固定架、曝光灯、工作平台及升降组件，曝光灯安装于固定架上，工作平台与曝光灯相对设置，产品上的粘接区位于曝光灯的照射区域内。升降组件与固定架及工作平台连接，产品放置在工作平台上后，升降组件会带动工作平台上升至曝光灯所在位置，经过一段时间的由曝光灯发出的紫外光的照射后，粘接区上的光敏胶会固化。固化完成后，升降组件会带动工作平台下降，工作人员可以更换下个产品。升降组件带动工作平台升降的过程中，能够避免产品与固化治具之间发生碰撞，有效地保护了产品。而且，对于多处涂布有光敏胶的产品而言，曝光灯能对多个部位的光敏胶同时固化，从而能够缩短产品的生产时间。
工作平台曝光灯固化升降组件治具固定架光敏胶粘接区产品放置相对设置照射区域紫外光有效地升降照射生产

[发明专利]一种去除残留缺陷的方法-CN200810094532.0无效
发明人：刘长安;陈立轩 -专利权人：和舰科技（苏州）有限公司
申请日： 2008-04-18 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提出了一种去除残留缺陷的方法，包括：步骤1，提供一半导体结构，该半导体结构中具有已填充有金属的接触窗；步骤2，在上述半导体结构上再次沉积金属层；步骤3，对沉积的金属层进行化学机械研磨处理。本发明的有益效果在于在化学机械研磨前，重新沉积金属薄膜，将回蚀刻制程形成的缺陷完全覆盖，从而尽可能地避免研磨液中如纳米级SiO₂的颗粒的残留，以达到改善产品缺陷之目的。并且该方法简单易行，仅需增加一道工序即可避免缺陷的产生，实用价值较高。
一种去除残留缺陷方法

[发明专利]一种金属沉积后薄膜内粒子的重新加工方法-CN200810088021.8无效
发明人：徐国冉;陈立轩 -专利权人：和舰科技(苏州)有限公司
申请日： 2008-03-27 - 公布日： 2009-09-30 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造工艺技术领域，且特别涉及一种金属沉积后薄膜内粒子的重新加工方法。本发明的金属沉积后薄膜内粒子的重新加工方法包括下列步骤：步骤1，通过金属蚀刻机台蚀刻掉部分含有粒子的金属薄膜层；步骤2，通过化学机械研磨机台研磨经步骤1后剩余的金属薄膜层和粒子，将其一起除去；步骤3，重新沉积金属薄膜层及各相关层。通过本发明的方法，可使得达到报废标准的晶片的粒子率恢复到正常水平，从而减少报废，提升产品的合格率。
一种金属沉积薄膜粒子重新加工方法

[发明专利]化学机械研磨台研磨头辅助位置校正装置及其校正方法-CN200810004253.0无效
发明人： 陈立轩;刘长安 -专利权人：和舰科技（苏州）有限公司
申请日： 2008-01-24 - 公布日： 2009-07-29 - 主分类号： B24B29/00 文献下载
摘要：本发明涉及化学机械研磨(CMP)技术领域，且特别涉及一种化学机械研磨台研磨头辅助位置校正装置及其校正方法。本发明的一种化学机械研磨台研磨头辅助位置校正装置，该化学机械研磨台研磨头具有中间部分的凹部，该辅助位置校正装置为中空片状，具有与研磨头的凹部的内轮廓相配合的外轮廓，和与待研磨器件外轮廓相配合的内轮廓。本发明的化学机械研磨台研磨头辅助位置校正装置结构简单、实用，可以显著提高研磨头的位置校正精度，从而提高系统运行效率和产品质量。
化学机械研磨辅助位置校正装置及其方法

[发明专利]校正金属薄膜沉积位置的控片、方法及偏移量化方法-CN200810006012.X无效
发明人： 陈立轩;徐国冉 -专利权人：和舰科技（苏州）有限公司
申请日： 2008-01-18 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路制造工艺技术领域，且特别涉及一种校正金属薄膜沉积位置的控片、方法及偏移量化方法。本发明中发明的一种校正金属薄膜沉积位置的控片表面上设置有：定位标记；多组临近控片边缘的刻度标记，各组刻度标记标示出距控片边缘的多个可读取的距离值，以控片中心为顶点，上述多组刻度标记之间形成预定角度。由于本发明在空白的控片上引入了刻度和角度，因此在控片上沉积后可以从上述刻度和角度中读取出沉积偏移的方向及偏移量，便可以有目的的量化调整机台手臂或其它相关部件，得以提高调整效率和准确性。
校正金属薄膜沉积位置方法偏移量化

[发明专利]接触孔厚氮化钛膜裂缝的解决方法-CN200710190252.5无效
发明人：陆鸣晔;陈立轩 -专利权人：和舰科技（苏州）有限公司
申请日： 2007-11-23 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种接触孔厚氮化钛膜裂缝的解决方法。通过改变原来的工艺流程的顺序，在沉积Ti/TiN黏着层之后，先进行快速热处理，然后再沉积第二层TiN，进而沉积金属钨，这样，经过快速热处理以后再沉积的第二层TiN，能够覆盖由于快速热处理导致的厚TiN膜裂缝，使TiN的厚度与原始厚度相当，避免产生由于裂缝导致的侧向侵蚀，这就为后续流程的顺利进行提供了保障，能够有效防止WF6与硅衬底和氧化物发生反应，从而最终保证了晶体的品质。
接触氮化裂缝解决方法

[发明专利]研磨设备的晶片传送装置的校正方法-CN200710302528.4无效
发明人： 陈立轩;曹斌;刘长安 -专利权人：和舰科技（苏州）有限公司
申请日： 2007-12-26 - 公布日： 2008-07-09 - 主分类号： B24B29/00 文献下载
摘要：一种研磨设备的晶片传送装置的校正方法，包括下述步骤：a.在传送装置上设置外径大于或等于待加工晶片的外径的校正片，传送装置上具有用于承载晶片的支持部，将该校正片的中心与支持部的中心对齐；b.将该支持部伸入晶片载片盒的下方，并承载待加工的晶片，该晶片放置在校正片的上侧；c.比较该晶片的边缘与校正片的位置关系，从而对研磨设备进行准确调整。本发明利用晶片的外缘与校正片进行比较，不但简便、易于观测，还可提高校正精度、轻易得到支持部中心偏移的距离，从而可以精确、便捷地对该晶片传送装置进行调整。
研磨设备晶片传送装置校正方法

[实用新型]一种接触窗结构-CN200620175242.5无效
发明人：刘长安;陈立轩 -专利权人：和舰科技(苏州)有限公司
申请日： 2006-12-22 - 公布日： 2008-01-16 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种接触窗结构，针对现有技术中接触窗表面在0.35/0.5μm的抗反射涂层制造过程中阻挡层断裂造成产品缺陷的问题而设计，包括：一基底，该基底由铝制成；附着层，附着于该接触窗内壁，该附着层由钛Ti制成；阻挡层，附着于上述附着层表面，该阻挡层由氮化钛TiN制成；其中，上述阻挡层表面还设有一硅化钨WSi_X层。使用本实用新型提出的接触窗结构可以增加接触窗表面的强度，防止出现阻挡层断裂的现象。
一种接触结构

[实用新型]一种深亚微米级金属－绝缘体－金属结构电容器-CN200620120149.4无效
发明人：王政烈;陈威志;陈立轩 -专利权人：和舰科技(苏州)有限公司
申请日： 2006-06-20 - 公布日： 2007-10-10 - 主分类号： H01L27/00 文献下载
摘要：一种深亚微米级金属－绝缘体－金属结构电容器，在其下方有导通孔条，下电板金属层、绝缘体层和上电板金属层向下凹成三维的金属－绝缘体－金属结构。与传统的二维金属－绝缘体－金属结构电容器相比，本实用新型的三维金属－绝缘体－金属结构电容器增加了电容的有效面积，进而增大了电容。
一种微米金属绝缘体金属结构电容器

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