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[发明专利]一种连续生产乙硅烷的方法-CN202011497879.7有效
发明人： 陈涵斌;陈刚军;杨高明 -专利权人：烟台万华电子材料有限公司
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： C01B33/04 文献下载
摘要：本发明提供一种连续生产乙硅烷的方法，将硅粉和镁粉连续通入产生热等离子体的等离子体发生器内发生合金化反应生成硅化镁粉体，并将所述硅化镁粉体连续通入反应器内的铵盐溶液中反应生成含乙硅烷的产物。该方法通过将硅粉和镁粉以惰性气体携带的方式输送通入产生热等离子体的等离子体发生器内，在热等离子体中瞬间反应生成硅化镁粉体，反应生成的硅化镁粉体连续的输送至含铵盐溶液的反应器中反应生成乙硅烷，同时还生成甲硅烷和丙硅烷。该方法不仅能实现连续化生产乙硅烷，而且具有相对高的转化率。
一种连续生产硅烷方法

[发明专利]连续生产高纯三甲基硅烷的方法及反应系统-CN202210800929.7在审
发明人： 陈涵斌;徐昕;郑春宁 -专利权人：全椒亚格泰电子新材料科技有限公司;安徽亚格盛电子新材料有限公司
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： C07F7/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种规模化连续生产电子级高纯三甲基硅烷的方法及装置系统。本发明利用有机硅中间体生产工艺中的主要产品三甲基氯硅烷作为原料，以活泼金属的氢化物作为还原剂，在特定溶剂中发生还原反应，生成三甲基硅烷及多种硅烷类杂质气体，然后以多级精馏与吸附相结合进行提纯，可实现有机纯度超过4N，无机纯度超过6N的电子级三甲基硅烷的连续化低成本批量生产。
连续生产高纯甲基硅烷方法反应系统

[发明专利]利用等离子球磨裂解合成高阶硅烷的方法-CN202111452067.5有效
发明人： 陈涵斌;俞冬雷;汪晶 -专利权人：全椒亚格泰电子新材料科技有限公司
申请日： 2021-12-01 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： C01B33/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用等离子球磨对硅粉及催化剂粉体进行机械化破碎及局部熔爆、碎裂及表面活化，同时通入甲硅烷至球磨机腔室内发生反应连续合成高阶硅烷的方法，甲硅烷通入等离子球磨机腔室内的等离子区域后发生裂解并产生游离的自由基；当自由基与活化后的硅粉表面接触时，有利于促进高阶硅烷的生成。本发明实现了由低阶甲硅烷直接合成高阶硅烷的过程，且高阶硅烷一次收率较高，反应过程简单可连续进行，不涉及过多的化学介质，无副产物排放，且产物易于分离提纯。
利用等离子裂解合成硅烷方法

[发明专利]连续生产乙硅烷的方法及反应系统-CN202111452068.X有效
发明人： 陈涵斌;郑锐;许澄诚 -专利权人：全椒亚格泰电子新材料科技有限公司
申请日： 2021-12-01 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： C01B33/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种在微负压的条件下利用热等离子体辅助加工硅粉与金属粉体，促使硅粉与金属粉体连续反应生成金属硅化物粉体，并以该金属硅化物粉体作为原料在特定溶剂中与强酸反应制备乙硅烷的方法及实现该方法的反应系统。本发明利用热等离子体的高能量密度，使硅粉与金属粉体在等离子核心区域发生瞬间的熔化及汽化过程，再急速冷却完成合金化及化学反应并形成纳米级的金属硅化物粉体；在微负压的条件下，使形成的纳米级金属硅化物粉体与强酸在特定溶剂中反应，可生成硅烷系列的产品气体，且其中乙硅烷的比例显著高于现有的生产工艺；同时，全工艺流程在微负压条件下进行，操作安全且易于控制并可实现连续化生产。
连续生产硅烷方法反应系统

[发明专利]利用微波加热固定床连续合成高阶硅烷的方法及系统-CN202111453737.5在审
发明人： 陈涵斌;王伟;孙雪峰 -专利权人：全椒亚格泰电子新材料科技有限公司
申请日： 2021-12-01 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C01B33/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用微波加热的方式使甲硅烷在硅粉床层中发生裂解反应生成高阶硅烷的方法及其反应系统；在固定床反应装置中，以硅粉添加催化剂作为固定床层，将甲硅烷通入床层，并采用微波加热的方式对床层物料进行加热，使甲硅烷在硅粉表面发生裂解与自由基重组反应，生成高阶硅烷。本发明实现了由低阶甲硅烷直接合成高阶硅烷的过程，且高阶硅烷收率高，反应过程简单可连续进行，不涉及过多的化学介质，无副产物排放，且产物易于分离提纯。
利用微波加热固定床连续合成硅烷方法系统

[实用新型]一种连续生产乙硅烷的系统-CN202023088557.5有效
发明人： 陈涵斌;陈刚军;杨高明 -专利权人：烟台万华电子材料有限公司
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： C01B33/04 文献下载
摘要：本实用新型提供一种连续生产乙硅烷的系统，基于该装置系统利于实现高转化率和连续化制备乙硅烷。所述连续生产乙硅烷的装置系统，包括硅粉料斗、镁粉料斗、混料仓、混料加料仓、等离子体反应器、硅化镁收集仓、硅化镁料斗、硅化镁加料仓、釜式反应器、溶剂供应装置、铵盐供应装置和放电气体供应装置；混料仓的入料口分别与硅粉料斗和镁粉料斗连接；等离子体反应器的入料口与混料加料仓的出料口连接，等离子体反应器的放电气体入口与放电气体供应装置通过管线连接；硅化镁收集仓的入料口与等离子体反应器的硅化镁产物出口连接；釜式反应器的入料口分别与硅化镁加料仓的出料口、铵盐供应装置、溶剂供应装置连接。
一种连续生产硅烷系统

[发明专利]一种连续生产高阶硅烷的方法-CN202011587904.0在审
发明人： 陈涵斌;陈刚军;杨高明 -专利权人：烟台万华电子材料有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： C01B33/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种连续生产高阶硅烷的方法，在30～100℃，0.05～0.5Mpa条件下，以硅化镁和酸性盐为原料在溶剂中接触进行反应，并收集所产生的气态混合物，将气态混合物在‑150℃～‑70℃下进行冷凝得到液态混合物；将所得的液态混合物升温至‑60℃～‑20℃，收集得到甲硅烷和液态混合物一，将液态混合物一继续升温至‑10℃～20℃，收集得到乙硅烷和丙硅烷；其中，酸性盐选自不含有活泼氢的酸性盐，所述溶剂选自含有氨基且常压下沸点高于53℃。本发明的方法能够实现高转化率、连续化、低能耗地制备高阶硅烷。
一种连续生产硅烷方法

[发明专利]一种半木质化辣木的扦插繁殖培养方法-CN201610290338.4有效
发明人：林孟飞;张俊杰;陈晓阳;李俊成;陈涵斌 -专利权人：华南农业大学
申请日： 2016-05-04 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： A01G17/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种半木质化辣木的扦插繁殖培养方法，包括以下步骤：在半木质化辣木萌芽条基部进行环割预处理；在环割后6～8天，在环割伤口上表面的上方剪取上端部分作为插条；将去叶插条进行消毒处理；将所述消毒后的去叶插条顶端封蜡，底端5～6cm进行扦插，插入苗床基质后浇水；所述扦插后，每周喷杀菌剂一次，保持湿度和温度；将插条移栽到一次炼苗基质中，炼苗12～16天，移栽到二次炼苗基质中进行二次炼苗；用复合肥淋施根部，出现第一束花序后，剪去主杆顶芽。本发明公开的方法生根率、移栽成活率高，能有效矮化植株，并且能使植株提前开花，操作简单，经济高效。
一种木质化辣木扦插繁殖培养方法

[发明专利]一种辣木高效再生方法-CN201610300811.2有效
发明人：张俊杰;陈晓阳;杨跃生;丁美美;陈涵斌;林孟飞 -专利权人：华南农业大学
申请日： 2016-05-09 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： A01H4/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种辣木高效再生方法。本发明方法通过优化培养基和培养条件，克服了辣木叶片再生难的问题，提供一种以辣木叶片为外植体的辣木高效再生方法。该方法可摆脱外界条件的影响，规模化和工厂化生产出健壮、整齐一致的辣木组培幼苗；与已经报道的以下胚轴、茎节、茎尖作为外植体构建再生体系相比，具有操作方便、取材广泛、可重复性强及效率高等优势；不仅能满足市场对种苗的需求，并且可以通过转基因研究对辣木种质资源进行改良和创新，为辣木种质资源可持续利用奠定基础。
辣木高效再生辣木叶片种质资源外植体优化培养基转基因研究可重复性培养条件外界条件再生体系规模化构建茎尖茎节胚轴幼苗种苗组培取材改良整齐再生

[实用新型]一种用于生产管状多晶硅的反应器-CN201120567911.4有效
发明人：钟真武;陈涵斌 -专利权人：江苏中能硅业科技发展有限公司
申请日： 2011-12-30 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： C01B33/021 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于生产多晶硅的反应器，采用类似列管式换热器的结构，使含硅原料气在列管内部沉积生产，反应器采用双管板及石墨套件将管式沉积载体固定在反应器内，电极通过石墨套件连接管状载体并通电加热，含硅原料气体在管状载体内部通过并在管状载体内壁沉积多晶硅，反应器内还设有中心及内壁辅助加热设备。
一种用于生产管状多晶反应器

[发明专利]连续生产三氯甲硅烷的方法及装置-CN201010603418.3有效
发明人： 陈涵斌 -专利权人：江苏中能硅业科技发展有限公司
申请日： 2010-12-24 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明公开了一种在高压下将液态四氯化硅与氢气反应生成气态甲硅烷的方法及装置，在一定压力下，将温度控制在该压力下四氯化硅沸点以上及三氯甲硅烷沸点以下并达到反应适宜温度，使氢气与液态四氯化硅反应生成气态三氯甲硅烷并不断排出反应器。本发明实现了在较低的温度下实现四氯化硅连续转化为三氯甲硅烷的工艺常压连续操作，反应温度较低，转化速率较高，生产消耗能耗少，系统内无固体颗粒，设备损害小，能够显著降低多晶硅的生产成本及设备维护成本。
连续生产三氯甲硅烷方法装置

[发明专利]等离子体工艺生产白炭黑与四氯化碳的方法与装置-CN201010603439.5无效
发明人： 陈涵斌 -专利权人：江苏中能硅业科技发展有限公司;中科协鑫(苏州)工业研究院有限公司
申请日： 2010-12-24 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C01B33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子工艺生产白炭黑及四氯化碳的方法及装置，该方法包括：原料气与辅助放电气作为反应气，通过等离子体发生装置转换为等离子体，再进入直圆筒型反应器中发生反应，反应器壁设有冷却气进口，在适当的位置吹入低温氩气使反应气急冷，得到纳米白炭黑及四氯化碳。该装置包括：气体混合器(1)通过辅助气进料器(2)连接等离子体发生装置(3)，等离子体发生装置(3)出口连接反应器(5)进口，冷却气进料器(6)通过进气管与反应器(5)侧壁相连，过滤器(8)与反应器(5)下部均连接白炭黑收集器(7)。本发明以较低的成本利用多晶硅的副产物四氯化硅以及二氧化碳实现连续生产高质量白炭黑及四氯化碳。
等离子体工艺生产炭黑四氯化碳方法装置

[发明专利]生产粒状多晶硅的方法及装置-CN201010603238.5有效
发明人： 陈涵斌 -专利权人：江苏中能硅业科技发展有限公司
申请日： 2010-12-24 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用流化床工艺生产粒状多晶硅的方法及装置，通过将氯化氢从流化床顶部扩大段通入流化床反应器，所述氯化氢与生产粒状硅过程中生成的细硅粉反应生成气体氯硅烷，从而消除细硅粉进入流化床后端管道对系统产生危害的风险，同时消除了细硅粉夹带，从而提高流化床进气流量以提高反应器单位产能，降低生产成本；同时顶部通入的氯化氢与细硅粉反应生成氯硅烷，实现反应器内一定量的氯循环。
生产粒状多晶方法装置

[发明专利]用于生产多晶硅的反应器及系统-CN201010141882.5有效
发明人： 陈涵斌;陈其国;钟真武;陈文龙 -专利权人：江苏中能硅业科技发展有限公司
申请日： 2010-04-08 - 公布日： 2011-07-27 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于西门子工艺生产棒状多晶硅的反应器，其包括底盘和罩在所述底盘上的筒体，所述底盘上密集地设有多对硅芯座、至少一个进气口和至少一个排气口，硅芯座中心、进气口中心和排气口中心一起在所述底盘上构成中心点阵，所述中心点阵的至少一部分中心点与相邻中心点之间的距离都相等。优选至少一部分中心点的任意相邻的三个中心点构成正三角形。该反应器实现了更密集的硅芯布置，提高了还原炉内热能利用率，实现了更均匀的流场分布，从而提高了每炉的多晶硅产量、改善了产品表面质量，并降低了能耗。本发明还公开了包括上述反应器的系统。
用于生产多晶反应器系统

[实用新型]一种用于拉制具有曲面形状硅薄壳的装置-CN200920282781.2有效
发明人：钟真武;陈涵斌;陈文龙 -专利权人：江苏中能硅业科技发展有限公司
申请日： 2009-12-31 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： C30B15/24 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于拉制具有曲面形状硅薄壳的装置，主要包含用于容纳熔融液态硅的坩埚、用于连续向坩埚中加入液态硅的加料器和加料管、位于坩埚内的模具以及与模具顶端连接的籽晶提拉装置，其特征在于所述模具具有内部间隙。利用液态硅虹吸原理在模具中形成液态硅膜，将籽晶插入模具间隙并提拉制得圆柱或圆弧形以及各种异型曲面薄壳状多晶硅。
一种用于拉制具有曲面形状硅薄壳装置

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