专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种导模法定向结晶装置及基于该装置的生长方法-CN202210324134.3在审
  • 薛艳艳;徐军;董建树;李健达;唐慧丽;王庆国 - 同济大学
  • 2022-03-29 - 2022-06-17 - C30B15/24
  • 本发明涉及一种导模法定向结晶装置,包括:坩埚,坩埚盖,通过吊杆吊起;模具,所述模具中间设有竖直的毛细通道,所述模具下端伸入所述坩埚内;籽晶杆,位于所述坩埚盖上部,所述籽晶杆下端固定籽晶,所述籽晶靠近所述模具的上端模具口。本发明模具中间设有竖直的毛细通道,开始结晶,晶体能够沿籽晶定向生长,生长出优质的晶体;坩埚盖通过吊杆吊起,不受力于坩埚,在结晶过程中,通过坩埚下移,将结晶在模具上的晶体与坩埚很好的分离,有助于保护昂贵金属坩埚。本发明有效解决高熔点氧化物晶体生长困难、坩埚难清理的问题,所生长晶体质量高,尺寸大,降低生产成本,工作效率高,具有较大的经济使用价值。
  • 一种法定结晶装置基于生长方法
  • [发明专利]单晶生长装置-CN201480066269.8有效
  • 方仁植;金喆焕 - LG矽得荣株式会社
  • 2014-11-19 - 2018-08-14 - C30B15/24
  • 实施例包括:腔室;坩埚,设置在该腔室中并且容纳熔融液体,该熔融液体是用于单晶生长的原料;坩锅屏,布置在该坩埚的上端;以及用于提高或降低该坩埚屏的移动单元,其中该坩埚屏和第一上部绝热单元被升高以控制行程距离,从而防止由行程距离的缩短引起的提离过程的不可能性以及在单晶中产生裂纹。
  • 生长装置
  • [实用新型]一种使用寿命长的单晶炉-CN201520567130.3有效
  • 林志高 - 福建鑫磊晶体有限公司
  • 2015-07-31 - 2015-12-02 - C30B15/24
  • 本实用新型公开了一种使用寿命长的单晶炉,包括单晶炉主体和氩气罐;所述氩气罐放置在单晶炉本体旁,氩气罐上设有输气管,且输气管的另一端连通单晶炉本体的炉腔;该使用寿命长的单晶炉,增设氩气罐,氩气罐内的氩气经输气管送入单晶炉本体的炉腔内,氩气作为保护气体,为单晶炉本体内熔体的结晶过程提供保护,不但能够延长单晶炉的使用寿命,而且提高产品的成品率。
  • 一种使用寿命单晶炉
  • [发明专利]一种空心硅芯的拉制模板-CN201110408258.1无效
  • 刘朝轩;王晨光 - 洛阳金诺机械工程有限公司
  • 2011-12-09 - 2013-06-19 - C30B15/24
  • 一种空心硅芯的拉制模板,涉及一种硅芯拉制模板,包括模板(4)、环形槽(1)、晶液通路(3)和中部块体(2),在模板(4)上设有环形槽(1),环形槽(1)为圆环形或多角形,所述环形槽(1)的中间为中部块体(2),在环形槽(1)的底部设有贯通至模板(4)底部的晶液通路(3);本发明通过在模板上设置环形槽,融化的晶液进入环形槽,然后通过籽晶提拉出空心硅芯,实现了空心硅芯的拉制;本发明构思奇妙、结构简单,使用成本较低,后期使用效果优于现有实心硅芯,具有一定的市场和应用前景。
  • 一种空心拉制模板
  • [发明专利]一种异形硅芯的拉制模板-CN201110408257.7无效
  • 刘朝轩;王晨光 - 洛阳金诺机械工程有限公司
  • 2011-12-09 - 2013-06-19 - C30B15/24
  • 一种异形硅芯的拉制模板,涉及一种模板,包括模板(2)、拉制槽,在模板上设有拉制槽,所述拉制槽为“工”字形槽(1)、“十”字形槽(4)、双“十”字槽(6)、“六”字形槽(8)、S形槽(10)或Z形槽(12)中的任一一个,在拉制槽的底部设有贯通至模板底部的晶液通路;本发明通过在模板上设置异形拉制槽,融化的晶液进入拉制槽便可拉制出“工”字形硅芯、“十”字形硅芯、双“十”字硅芯、“六”字形硅芯、S形硅芯或Z形硅芯中的任一一种异形硅芯,然后通过相同形状的籽晶提拉出相同形状的硅芯,实现了异形硅芯的拉制;本发明构思奇妙、结构简单,使用成本较低,后期使用效果优于现有实心硅芯,具有一定的市场和应用前景。
  • 一种异形拉制模板
  • [发明专利]一种C形硅芯的拉制方法-CN201110408213.4无效
  • 刘朝轩;王晨光 - 洛阳金诺机械工程有限公司
  • 2011-12-09 - 2013-06-19 - C30B15/24
  • 一种C形硅芯的拉制方法,包括用于融化晶体(7)的坩埚(5)和加热套(6);用于拉制C形硅芯(2)的模板(11)结构,所述拉制方法包括如下步骤:A、前期准备,B、晶体(7)料的融化,C、拉制硅芯,D、成品C形硅芯(2):重复前述步骤便可实现多次晶体拉制过程的C形硅芯(2)拉制;本发明在后续使用中,有效克服了现有实心方或圆硅芯直径较小的弊端,由相同重量的C形硅芯或略大于实心硅芯的C形硅芯,实现多晶棒的快速生长目的,本发明拉制硅芯的方法使用较为简单,大量节约了企业成本。
  • 一种形硅芯拉制方法
  • [发明专利]一种C形硅芯的拉制模板-CN201110408242.0无效
  • 刘朝轩;王晨光 - 洛阳金诺机械工程有限公司
  • 2011-12-09 - 2013-06-19 - C30B15/24
  • 一种C形硅芯的拉制模板,涉及一种模板,包括模板(4)和C形槽(1),在模板上设有C形槽,所述C形槽(1)的底部设有贯通至模板(4)底部的晶液通路;本发明通过在模板上设置C形槽,融化的晶液进入C形槽,然后通过C形籽晶提拉出C形硅芯,实现了C形硅芯的拉制;本发明构思奇妙、结构简单,使用成本较低,后期使用效果优于现有圆柱形实心硅芯,利用C形硅芯生长多晶棒速度远快于圆柱形实心硅芯,具有一定的市场和应用前景。
  • 一种形硅芯拉制模板
  • [实用新型]开有双孔的晶体生长保温罩-CN201220227011.X有效
  • 王楠;赵青;贾建国 - 鸿福晶体科技(安徽)有限公司
  • 2012-05-19 - 2013-01-02 - C30B15/24
  • 本实用新型公开了一种开有双孔的晶体生长保温罩,包括一支撑坩埚的保温底座、围绕在坩埚外侧周围的保温层和一置于所述坩埚和保温层上方的具有内腔的保温罩,所述的保温罩的顶部中间位置开有通孔,在所述的保温罩的一侧开有一与内腔相通且与保温罩的中垂线成一定夹角的倾斜通孔一,其特征在于:在所述的保温罩的另一侧对称的开有一与倾斜通孔一相同大小、相同倾斜角的倾斜通孔二。本实用新型是在保温罩上对称的两侧分别开有倾斜的通孔,能平衡晶体两侧温场,不仅能减少因晶体两侧温度不均而产生的应力,提高晶体质量,而且便于更全面的观察炉内情况。
  • 开有双孔晶体生长保温
  • [发明专利]蓝宝石晶体的生长方法及设备-CN201210017957.8无效
  • 维塔利·塔塔琴科;刘一凡;牛沈军;陈文渊;朱枝勇;李东振;帕维尔·斯万诺夫 - 上海中电振华晶体技术有限公司
  • 2012-01-20 - 2012-07-11 - C30B15/24
  • 本发明揭示了一种蓝宝石晶体的生长方法及设备,所述方法包括:步骤S1:将设定重量的高纯蓝宝石块料或粉料装入坩埚中,而后将坩埚置于晶体生长炉内;坩埚中设有导模模具;步骤S2:将晶体生长炉抽真空;步骤S3:通过主加热器控制晶体生长炉升温至2000-2100℃,待蓝宝石熔化成熔体;步骤S4:下籽晶,进行引晶;步骤S5:以10~100mm/h的速度进行晶体生长,至晶体生长结束;步骤S6:进行晶棒的退火处理,退火温度1600~2000℃,退火时间l0~20hr;步骤S7:以10~60℃/h的速度缓慢降温;步骤S8:炉内温度降至室温后,取出晶棒。本发明提出的蓝宝石晶体的生长方法及设备,可制得棒状的蓝宝石晶体,有效提高蓝宝石晶体利用效率。利用该方法生长的晶体,经过定型加工,可作为衬底用于LED、LD器件制造。
  • 蓝宝石晶体生长方法设备
  • [发明专利]导模法同步生长多条晶体的热场及方法-CN201210008917.7无效
  • 罗平;孟智勇;郑伟 - 徐州协鑫光电科技有限公司
  • 2012-01-12 - 2012-07-11 - C30B15/24
  • 本发明提供一种导模法同步生长多条晶体的热场,其包括加热保温装置、坩埚和籽晶夹头装置,加热保温装置包括发热体;坩埚具有相互平行的第一侧壁和第二侧壁;发热体为使坩埚的内部与其第一侧壁、第二侧壁等距的位置处温度相等的结构;坩埚内设置有并排式模具,并排式模具包括多个模具片,每一模具片到坩埚的第一侧壁、第二侧壁的距离相等,且每一模具片的上表面均与所要生长的晶体的截面尺寸、形状相同;并排式模具的上方设置籽晶,籽晶底部具有一可与每一模具片的上表面同时接触的熔接面。本发明还提供一种采用上述热场通过导模法同步生长多条晶体的方法。本发明的热场可同步生长出晶向一致、径向温度梯度均匀的多条晶体。
  • 导模法同步生长晶体方法

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