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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]存储装置的操作方法-CN202110204874.9在审
发明人：黄昱闳;程政宪;郑致杰;陈映仁 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2021-02-24 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储装置的操作方法，应用于具有多条字线及一条或多条功能线的一存储装置。操作方法包括：接收针对一目标存储单元的一读取操作命令；输出具有一第一波形的一信号至对应于目标存储单元的一目标字线，输出具有一第二波形的一信号至功能线，以及输出具有一第三波形的一信号至目标字线以外的其他字线。第三波形的一下降时间长于第二波形的一下降时间。
存储装置操作方法

[发明专利]用于存储装置的编程方法-CN202110067057.3在审
发明人：程政宪;黄昱闳;李佳鸿;陈映仁 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2021-01-19 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G06F8/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于存储装置的编程方法，存储装置包含多个存储单元、位线与多条字线。当存储装置处于在一编程操作中，存储单元包含选择存储单元与多个未选择存储单元。编程方法包含进行多个预充电步骤、进行多个编程步骤、以及在预充电步骤和编程步骤后对选择存储单元进行验证步骤。每一预充电步骤包含对用以驱动未选择存储单元的位线施加预充电电压。每一编程步骤包含对用以驱动选择存储单元的字线施加编程电压。
用于存储装置编程方法

[发明专利]步进编程脉冲操作中决定快速通过写入操作的方法与系统-CN201911066384.6在审
发明人：黄昱闳;程政宪;古绍泓;陈映仁 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2019-11-04 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： G11C16/24 文献下载
摘要：本发明公开了步进编程脉冲操作中决定快速通过写入操作的方法与系统。快速通过写入操作是在步进编程脉冲操作中同时施加一位线电压。此方法包括：依照变化在第一范围内的多个位线电压以及变化在第二范围内相对验证电压的多个电压差值，估计在该位线电压与该电压差值下所得到阈值电压分布宽度的缩减量，得到缩减量地形图。依照多个该位线电压以及多个该电压差值，估计施加该步进编程脉冲操作达到该编程验证电压所需要的编程枪数，得到编程枪数地形图。将缩减量地形图与编程枪数地形图叠置后，决定由该位线电压的施加范围以及该电压差值的施加范围所构成的操作区域。
步进编程脉冲操作决定快速通过写入方法系统

[发明专利]晶体管装置及记忆装置及晶体管装置的制造方法-CN201410658896.2有效
发明人：张逸鵬;陈映仁 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2014-11-18 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明是有关于一种晶体管装置及记忆装置及晶体管装置的制造方法。该晶体管装置包括跨置导体，晶体管具有栅极、通道及源极/漏极端，跨置导体设于源极/漏极端，电路连接于跨置导体，以施加一偏压，此偏压对被捕捉于绝缘材料内的电荷产生补偿倾向。
晶体管装置记忆制造方法

[发明专利]漏电侦测方法及存储器-CN201410044784.8在审
发明人：陈科仲;陈映仁;沈欣彰 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2014-02-07 - 公布日： 2015-08-12 - 主分类号： G11C29/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种漏电侦测方法及存储器。漏电侦测方法包括：施加测试电压至字线，且测试电压介于1伏特至5伏特之间；以及将测试电压自字线移除后，根据字线的电压变化，鉴别字线的漏电状态。
漏电侦测方法存储器

[发明专利]无须采用额外掩模以相同工艺制造存储与逻辑元件的方法-CN200710199607.7有效
发明人：陈冠复;陈映仁;韩宗廷;陈铭祥;李士勤 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2007-12-11 - 公布日： 2008-07-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种制造逻辑和非易失存储器件的方法，可通过一些额外步骤，利用公知CMOS工艺制造逻辑与存储器件。然而，这些额外步骤无须增加掩模。由此，该工艺可以在同样的衬底上，降低制造逻辑与存储器件的复杂度、时间、以及成本，对于嵌入应用尤其显著。
无须采用额外相同工艺制造存储逻辑元件方法

[发明专利]制造有较大栅极耦合比例的浮动栅极存储元件的装置及方法-CN200710136487.6有效
发明人：陈冠复;陈映仁;翁孟暄;韩宗廷;陈铭祥;吴俊沛 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2007-07-13 - 公布日： 2008-01-30 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种用以制造浮动栅极存储元件的方法，包括使用自动对准工艺来在一部分栅极结构上形成第四多晶硅层，其可不需要额外的光刻步骤。因此，因为较高的栅极耦合比例可以在较低的栅极偏压电平下被维持，其可以增加元件的可靠性。此外，工艺的复杂程度被降低，这样可以增加元件的产量以及降低生产成本。
制造较大栅极耦合比例浮动存储元件装置方法

[发明专利]非易失性存储器元件及其制造方法-CN200610095921.6有效
发明人：古绍泓;陈映仁;吕文彬;汪大晖 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2006-06-23 - 公布日： 2007-09-26 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：一种多位存储器单元包含一衬底；一多位电荷捕捉层于此衬底之上，此多位电荷捕捉层具有一第一侧边及一第二侧边；一源极区域于此衬底中，一部分此源极区域在此多位电荷捕捉层的此第一侧边之下；一漏极区域于此衬底中，一部分此漏极区域在此多位电荷捕捉层的此第二侧边之下；以及一沟道区域于此衬底中的此源极区域及此漏极区域之间。沟道区域具有一p型掺杂及一n型掺杂之一，且此掺杂配置为提供一最高掺杂浓度于接近此沟道区域的一中心部分。
非易失性存储器元件及其制造方法

[发明专利]与非门型多位电荷储存存储器阵列及其操作和制造方法-CN200610162814.0有效
发明人： 陈映仁;叶致锴;苏俊联;韩宗廷;陈铭祥 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2006-11-23 - 公布日： 2007-07-25 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：一种与非门(NAND)型多位电荷储存存储器阵列包括，第一和第二存储器串，每一串包括一个或多个电荷储存存储器单元和两个选择晶体管。该电荷储存存储器单元以串联的方式连接，以形成存储器单元串。该两个选择晶体管以串联的方式分别连接至该存储器单元串的两端。该NAND型多位电荷储存存储器阵列进一步包括，共用位线和第一和第二位线。该共用位线连接至该第一和该第二存储器串的第一端。该第一和该第二位线分别连接至该第一和该第二存储器串的第二端。每一存储器串的该第一选择晶体管和该第二选择晶体管，分别由第一和第二选择晶体管控制线所控制。
与非门型多位电荷储存存储器阵列及其操作制造方法

[发明专利]用于单次可程序化内存的无二极管的阵列-CN200610160954.4有效
发明人：陈冠复;陈映仁;韩宗廷;陈铭祥 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2006-12-06 - 公布日： 2007-06-13 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明一种单次可程序化内存阵列，其包含在第一行方向中延伸且安置于第一高度的第一行导体、在第二行方向中延伸且安置于第二高度的第二行导体和在列方向中延伸且安置成邻近于所述第一行导体并邻近于所述第二行导体的列导体。所述阵列也包含覆盖所述列导体的至少一部分的介电层、耦接在所述列导体上的所述介电层与所述第二行导体之间的熔丝链。
用于单次可程序化内存二极管阵列

[发明专利]不同层次的曝光方法-CN03142545.3有效
发明人：林顺利;杨金成;吕文彬;陈铭祥;秦启元;陈映仁 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2003-06-16 - 公布日： 2005-01-19 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种不同层次的曝光方法，以一微影机台对一芯片进行多层次曝光，该芯片具有多数集成电路层，该方法包括下列步骤：(A)将一具有多数相异线路图像的光罩定位于该微影机台上；(B)将该芯片定位于该微影机台上；(C)将该光罩其中的一线路图像对应成形出该芯片其中的一集成电路层；(D)将该芯片重新定位于该微影机台上，进而将该光罩其中另一线路图像对应成形出该芯片其中的另一集成电路层。本发明只使用相同一光罩上的对准记号进行相对定位于一微影机台后，即可选择性地将该等图像分别转移于芯片的预覆光阻层上，以相对应地形成芯片上至少一集成电路层，可降低光罩校正对准误差。
不同层次曝光方法

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