专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]妇科自动冲洗式刮宫装置-CN201510791622.5有效
  • 杨蕊蕊;秦翠梅;陈建梅 - 杨蕊蕊
  • 2015-11-11 - 2019-02-19 - A61B17/42
  • 本发明涉及一种妇科自动冲洗式刮宫装置,其属于医疗器械技术领域。本发明的妇科自动冲洗式刮宫装置,包括装置操作基台和给药引流制动盘,装置操作基台下侧设有操作台固定垫腿,装置操作基台内设有刮宫器保洁箱,刮宫器保洁箱内设有入体式刮宫器,刮宫器保洁箱左侧设有除味式装置左把手,刮宫器保洁箱右侧设有杀菌照射灯,除味式装置左把手上侧设有除味剂添加窗,除味式装置左把手左侧设有左搬运握柄,除味式装置左把手内侧设有除味通气板。本发明功能齐全,使用方便,在进行妇科刮宫治疗时,操作简便,省时省力,减轻了医务人员的工作难度。
  • 妇科自动冲洗刮宫装置
  • [发明专利]快速擦除的FLASH芯片及擦除方法-CN201410067930.9有效
  • 陈建梅;胡洪 - 北京兆易创新科技股份有限公司
  • 2014-02-27 - 2019-02-01 - G11C16/10
  • 本发明涉及存储器技术领域,尤其涉及一种快速擦除的FLASH芯片及擦除方法。快速擦除的FLASH芯片包括:存储阵列,存储阵列包括m个子存储阵列和隔离字线区域;m个子存储阵列形成于同一阱区,以及每一个子存储阵列的大小和FLASH芯片预设的最小擦除范围的大小相同;隔离字线区域形成在相邻的子存储阵列之间;m个子字线驱动电路,分别连接于m个子存储阵列,每一子字线驱动电路对与其相连接的子存储阵列提供驱动电压信号;以及位线选择电路,提供多根位线,连接于存储阵列每列存储单元中不包括隔离字线区域存储单元的漏极,用于选择存储阵列中存储单元。本发明技术方案,提升FLASH芯片的擦除速度,进而提升FLASH芯片的擦除效率。
  • 快速擦除flash芯片方法
  • [发明专利]FLASH芯片及FLASH芯片的擦除方法-CN201410067925.8有效
  • 胡洪;陈建梅 - 北京兆易创新科技股份有限公司
  • 2014-02-27 - 2018-10-30 - G11C16/14
  • 本发明涉及存储器技术领域,尤其涉及一种FLASH芯片及FLASH芯片的擦除方法。所述FLASH芯片,包括:存储阵列,存储阵列包括m个子存储阵列和冗余单元区域;m个子存储阵列形成于同一阱区;冗余单元区域形成于相邻两个子存储阵列之间;擦除时冗余单元区域中存储单元的漏极悬空;m个子字线驱动电路,m个子字线驱动电路分别连接于m个子存储阵列;每一子字线驱动电路对与其相连接的子存储阵列提供驱动信号;位线选择电路,位线选择电路提供多根位线,连接于存储阵列每列中子存储阵列存储单元的漏极,用于选择子存储阵列中存储单元。本发明实施例提供的FLASH芯片提高了擦除性能,减少了FLASH芯片的擦除时间,进而提升了擦除效率。
  • flash芯片擦除方法

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