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[发明专利]高效制备高质量碳化硅单晶的生长装置-CN202211344731.9在审
发明人：李远田;陈俊宏 -专利权人：江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效制备高质量碳化硅单晶生长装置，包括第一坩埚、第二坩埚和过滤部；籽晶纵向安装在第一坩埚内，且籽晶初始生长台阶端靠近第一坩埚顶壁；第二坩埚限定出原料腔，原料腔与第一坩埚内部连通；过滤部限定出容纳腔，容纳腔内设置有气氛调节件，气氛调节件包括碳框架和硅颗粒，硅颗粒内置在碳框架内部；过滤部安装在第二坩埚的出气口处，并对第二坩埚出气口形成遮挡，第二坩埚的出气口位于籽晶下方，第二坩埚内的原料升华为气体后经过滤部过滤后进入到第一坩埚内。本发明在长晶过程中能够降低籽晶初始生长台阶端的生长速率，同时能够调节碳化硅气氛中的Si/C原子比，从而降低晶体初期相变发生的概率，提高晶体的品质。
高效制备质量碳化硅生长装置

[发明专利]干细胞制剂用于治疗关节炎的用途及用于制备干细胞制剂的方法-CN202110959948.X在审
发明人：林峯辉;管哲雍;林妤楹;陈靖昀;陈緻宇;杨易轩;莊明熙;林珀丞;李家昕;张恺玲;赵沛璇;徐婉馨;陈俊宏;王亭茹 -专利权人：国玺干细胞应用技术股份有限公司
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： A61K35/28 文献下载
摘要：本发明提供干细胞制剂用于治疗关节炎的用途及用于制备干细胞制剂的方法。本发明干细胞制剂可有效延缓因关节炎所造成的软骨退化，且经由全血分析及血液生化分析证实呈三维干细胞团块的干细胞制剂提供一种应用于关节炎上的安全治疗。本发明亦提供一种用于制备干细胞制剂的方法。
干细胞制剂用于治疗关节炎用途制备方法

[发明专利]一种变磁通式转速传感器-CN202211271406.4在审
发明人：黎世清;陈伟;范德刚;陈俊宏;周弦;蒋常琼 -专利权人：四川新川航空仪器有限责任公司
申请日： 2022-10-18 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： G01P3/46 文献下载
摘要：本发明公开一种变磁通式转速传感器，包括触发轮、磁轭组件、测量线圈和永磁体，触发轮由待测转动源驱动转动，磁轭组件包括主磁轭组件和辅助磁轭组件，永磁体、主磁轭组件与触发轮组合构成主磁回路，永磁体与辅助磁轭组件组合构成辅助磁回路，主磁回路和辅助磁回路都为闭合磁路，主磁回路通过主磁轭组件与触发轮的齿部之间构成的气隙，主磁回路与辅助磁回路并联分流所述永磁体施加的磁场，测量线圈绕制在辅助磁回路上。本发明采用主磁回路与辅助磁回路的并联结构，形成差动互补效应，辅助磁回路中的磁通波动量大，测量线圈中的磁通变化率大，提高低转速时的输出电压，拓展转速采集范围，为多余度测量提供更灵活的设计选择。
一种通式转速传感器

[发明专利]流程操作系统及流程操作方法-CN202110862219.2在审
发明人：李振忠;陈俊宏;洪建国;陈文广;李恩齐 -专利权人：广达电脑股份有限公司
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： G06Q10/0631 文献下载
摘要：一种流程操作方法，包含：通过流程控管平台接收操作信息，通过语意分析方法提取出操作信息中的任务，并发布任务；通过流程操作平台接收任务，并将任务存入任务队列；其中，流程操作平台在接收任务后，依据任务定义处理流程，并排序任务在该任务队列中的顺序；以及通过端点任务机器人主动从流程操作平台取得任务，执行任务，将执行结果写入日志队列，并将执行结果会传至流程控管平台。
流程操作系统操作方法

[实用新型]晶体生长设备-CN202222789400.8有效
发明人：黄末;陈俊宏 -专利权人：徐州鑫晶半导体科技有限公司
申请日： 2022-10-21 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶体生长设备，包括：坩埚、导流筒、第一驱动机构、探测装置和控制装置，坩埚用于容纳用于生长晶体的熔汤，熔汤的上表面为熔汤液面；探测装置用于检测熔汤液面是否位于预设高度位置，探测装置包括探测件和第二驱动机构，探测件的下端具有探测头，第二驱动机构可以驱动探测件在初始位置和探测位置之间上下移动；探测件、第一驱动机构以及第二驱动机构均与控制装置电连接，控制装置用于根据探测位置与预设高度位置的高度位置关系，控制第一驱动机构，以使熔汤液面位于预设高度位置。根据本实用新型实施例的晶体生长设备，能够精确地确定并控制导流筒的底面与熔汤液面之间的距离，有助于提高生长晶体的品质。
晶体生长设备

[实用新型]单晶硅生长炉-CN202222849836.1有效
发明人： 陈俊宏 -专利权人：徐州鑫晶半导体科技有限公司
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： C30B27/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单晶硅生长炉，单晶硅生长炉包括第一壳体、第二壳体、坩埚组件、加热组件、保温组件、第一驱动机构、晶体提拉机构和保护气连接管，第一壳体具有晶体生长室、拉晶室和隔离室，第二壳体罩设于第一壳体外，且与第一壳体之间形成安装腔，坩埚组件设于晶体生长室，加热组件设于安装腔，保温组件设于安装腔且罩设于加热组件外，第一驱动机构设在第一壳体的底部以支撑和驱动第一壳体相对第二壳体转动，晶体提拉机构固设于隔离室内且适于跟随第一壳体同步转动，保护气连接管穿设于隔离室且连通至拉晶室。根据本实用新型实施例的单晶硅生长炉，可以延长加热组件的使用寿命，且便于简化单晶硅生长炉顶部结构的复杂度。
单晶硅生长

[实用新型]电极防护组件和具有其的晶体生长设备-CN202222663063.8有效
发明人：李向阳;陈俊宏 -专利权人：徐州鑫晶半导体科技有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H05B1/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电极防护组件和具有其的晶体生长设备，电极防护组件用于晶体生长设备，且包括护套和吹扫管路，护套内限定出容纳空间，容纳空间具有开口，且容纳空间用于容纳电极端子的至少部分，开口适于与晶体生长设备的内部空间连通；吹扫管路内设有用于流通保护气的流动通道，流动通道具有第一出气口，第一出气口与容纳空间连通。根据本实用新型的电极防护组件，吹扫管路通过第一出气口释放的保护气(例如低温惰性气体等)在电极端子和护套周围形成保护层，以保护电极端子和护套，可以延长电极端子和护套的使用寿命，降低电极的打火风险。
电极防护组件具有晶体生长设备

[实用新型]坩埚轴组件和晶体生长装置-CN202222714302.8有效
发明人： 陈俊宏 -专利权人：徐州鑫晶半导体科技有限公司
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： C30B15/30 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种坩埚轴组件和晶体生长装置，坩埚轴组件包括冷却件和转轴，冷却件形成为具有安装通道的管状结构，冷却件内形成有环绕安装通道的冷却通道，冷却通道沿安装通道的轴向螺旋延伸，转轴穿设于冷却件的安装通道中，转轴适于相对冷却件转动，转轴的一端与驱动机构相连，转轴另一端与坩埚相连，用于驱动坩埚旋转。根据本实用新型的坩埚轴组件，通过将转轴穿设于冷却件的安装通道中，转轴和冷却件相互独立，维修人员可以单独对冷却件或转轴进行维修或更换，简单方便，可以不必将整个坩埚轴组件进行更换，便于维修人员对坩埚轴组件进行维修，可以降低坩埚轴组件的维修成本。
坩埚组件晶体生长装置

[发明专利]真空吸笔-CN202110763626.8在审
发明人：汤根;陈俊宏 -专利权人：三赢科技（深圳）有限公司
申请日： 2021-07-06 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本申请提供一种真空吸笔，其包括笔杆、贯穿所述笔杆的空气管道、套接于所述笔杆的一端的第一套管以及第一吸附模块，所述第一吸附模块可移动地设置于所述第一套管上并能够沿第一方向移动。本申请提供的真空吸笔，第一吸嘴可在水平方向移动，第二嘴可围绕笔杆旋转，第三吸嘴可在竖直方向移动，通过上述移动和旋转可调整各吸嘴在被吸产品上的位置以及调整各吸嘴之间的相对位置，从而更准确地找准外形不规则或材质不均匀产品的重心，以便更稳固地吸取产品。
真空

[发明专利]一种创新型净化消杀的设备系统-CN202211196135.0在审
发明人：雷鹏洲;张怡豪;孙玲丽;陈俊宏;赵英强;王博;曾祥业;张占军;张坚栋;石志强 -专利权人：江苏瑞之康智能科技发展有限公司
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： A61L2/22 文献下载
摘要：本发明涉及消杀设备技术领域，且公开了一种创新型净化消杀的设备系统，包括自来水出水仓系统，消杀水反应仓系统，水泵系统，消杀安全门喷雾系统，污水回收系统和污水处理系统；所述自来水出水仓系统主要针对实际货物物量和消毒需求进行自来水提前储备，一般储备依吨级进行；所述消杀水反应仓系统内包括金刚石膜电极模块，反应仓指示灯模块，可视化的反向仓，智能控制屏幕，水箱和结构保护模块。该创新型净化消杀的设备系统，能够轻松对完成大肠杆菌、金色葡萄球菌、鼠伤寒沙门氏菌，新冠病毒等细菌病毒消杀，且消杀时间较短，消杀效率提升，本发明无腐蚀，无刺激，对人友好，不会造成人体伤害，且不会腐蚀金属表面。
一种创新净化设备系统

[发明专利]一种晶闸管电源均流实时测量系统及方法-CN202211070685.8在审
发明人：李维斌;姚巨堃;郑雪;吴一;陈俊宏;张潇鹏 -专利权人：核工业西南物理研究院
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： G01R31/40 文献下载
摘要：本发明属于电力电子技术领域，具体涉及一种晶闸管电源均流实时测量系统及方法，该系统包括鳄鱼夹、采样电阻、隔离放大电路、模拟数字AD转换器、均流计算控制器、按键输入指令模块、显示屏和鳄鱼夹；其中两个鳄鱼夹分别和采样电阻的一端连接，采样电阻、隔离放大电路、模拟数字AD转换器、均流计算控制器和显示屏顺次连接，按键输入指令模块连接在均流计算控制器的一侧。本发明有效提高大功率晶闸管整流电源系统桥臂均流测试的便利性和准确性，改善基于电流测量原理的均流仪均流测试精度。
一种晶闸管电源实时测量系统方法

[实用新型]碳化硅晶体生长设备-CN202222293540.6有效
发明人：李兆颖;陈俊宏;吴亚娟;周来平 -专利权人：江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种碳化硅晶体生长设备，碳化硅晶体生长设备包括：坩埚本体，坩埚本体限定出顶部敞开的原料腔；坩埚盖，坩埚盖设于坩埚本体的顶部，坩埚盖限定出用于粘贴籽晶的盛放腔；连接机构，连接机构设于坩埚本体和坩埚盖之间，连接机构具有连通原料腔和盛放腔的导流通道；导流机构，导流机构设于导流通道内，导流机构包括多个导流叶片，多个导流叶片在连接机构的周向上间隔开排布，每个导流叶片的转动中心线沿连接机构的径向方向延伸，多个所述导流叶片在第一位置和第二位置之间可同步转动。根据本实用新型的碳化硅晶体生长设备，有利于减少晶体凸出率，有利于减少晶体相变以及螺旋位错等缺陷的产生，可提高晶体的生长质量。
碳化硅晶体生长设备

[实用新型]一种巡检机器人吊挂轨道-CN202222421665.2有效
发明人： 陈俊宏;李瑞峰;梁凤顺;王志斌;吴洪;胡旭军;周嚞 -专利权人：福建（泉州）哈工大工程技术研究院
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： B65G35/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及轨道产品领域，特别是涉及巡检机器人用的吊挂轨道，具体是公开一种巡检机器人吊挂轨道，包括吊挂轨道本体，其上部为安装锁固板，所述安装锁固板沿长度方向的左右两侧对称位置分别设有锁固结构，两锁固结构的中间处设有对接定位结构。该结构的吊挂轨道便于施工安装、对接精度高，特别适合于环境复杂的输煤廊道使用。
一种巡检机器人吊挂轨道

[实用新型]漏液引流组件、漏液收集装置和晶体生长装置-CN202222773150.9有效
发明人： 陈俊宏 -专利权人：徐州鑫晶半导体科技有限公司
申请日： 2022-10-20 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种漏液引流组件、漏液收集装置和晶体生长装置，漏液引流组件包括承接件和密封件，承接件限定出用于承接从坩埚泄漏的硅熔液的承接腔，承接件形成有与承接腔连通的导流通道，导流通道的入口形成于承接腔的底壁；密封件设于导流通道内用于封堵导流通道，密封件包括第一可熔部，第一可熔部从密封件在导流通道延伸方向上的一侧表面延伸至另一侧表面，第一可熔部的熔点不高于硅熔液的熔点。根据本实用新型的漏液引流组件，可以防止外界气体从导流通道流入晶体生长装置内，保证硅晶体的生产质量，承接并引流泄漏的硅熔液，有效地对热场进行保护，降低硅熔液泄漏所造成的经济损失，提高晶体生长装置的整体性能。
引流组件收集装置晶体生长

[实用新型]碳化硅晶体生长设备-CN202221609368.4有效
发明人：许成凯;陈俊宏 -专利权人：江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种碳化硅晶体生长设备，包括生长坩埚和管道组件，生长坩埚包括坩埚本体和盖体，盖体设置在坩埚本体上；管道组件穿设于盖体，管道组件包括第一管道和第二管道，第一管道限定出第一流道，第二管道套设在第一管道外侧，且第二管道与第一管道限定出第二流道；其中，第一流道内形成负压，以将籽晶吸附在第一管道的吸气端；第二流道内形成负压，且第二流道与生长腔室常连通；籽晶将生长腔室分为第一腔室和第二腔室，第一腔室位于籽晶上方，第二腔室位于籽晶下方。本实用新型能够有效地优化传统籽晶固定方式导致的应力过大的问题，降低长晶过程中晶体出现位错的情况，从而减少晶体缺陷，提高晶体品质。
碳化硅晶体生长设备